Produkte > ONSEMI > Alle Produkte des Herstellers ONSEMI (142008) > Seite 1751 nach 2367

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1888 2124 2360 2367  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BD13516STU BD13516STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
109+0.66 EUR
129+0.56 EUR
148+0.48 EUR
164+0.44 EUR
300+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD137G BD137G ONSEMI BD137.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12W
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
140+0.51 EUR
171+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13716STU BD13716STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
142+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13810STU BD13810STU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6F24EF38EAE40CE&compId=BD136_138_140.pdf?ci_sign=110b6f88cafbe0e2a7fcb0c0b1b608b4bf5ae0b0 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 63...160
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
151+0.48 EUR
167+0.43 EUR
188+0.38 EUR
480+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
158+0.45 EUR
172+0.42 EUR
187+0.38 EUR
201+0.36 EUR
540+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139G BD139G ONSEMI bd135-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
94+0.77 EUR
109+0.66 EUR
133+0.54 EUR
200+0.49 EUR
250+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140G BD140G ONSEMI BD136G_BD140G.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Current gain: 40...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO225
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.97 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237G BD237G ONSEMI bd237-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
89+0.81 EUR
105+0.69 EUR
122+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD242CG BD242CG ONSEMI bd241c-d.pdf ONSM-S-A0003590441-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Current gain: 25
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
95+0.76 EUR
121+0.59 EUR
129+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD243CG BD243CG ONSEMI BD244CG.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 20
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
65+1.11 EUR
79+0.91 EUR
105+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD244CG BD244CG ONSEMI BD244CG.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 30
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.76 EUR
65+1.11 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD440S BD440S ONSEMI BD440%2C442.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 36W
Collector current: 4A
Current gain: 40...140
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
86+0.84 EUR
95+0.75 EUR
109+0.66 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD441G ONSEMI bd437-d.pdf BD441G NPN THT transistors
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD442G BD442G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE989BF2B85D3D138BF&compId=BD436-8%2CBD440-2.pdf?ci_sign=08943676f14e8cad8d43e29458a5c41ba68eb3ce Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 40...475
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
91+0.79 EUR
117+0.62 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD679AS ONSEMI bd681-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
131+0.55 EUR
151+0.47 EUR
250+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD681G BD681G ONSEMI BD681G.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
83+0.86 EUR
99+0.72 EUR
108+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDV64BG ONSEMI bdv65b-d.pdf BDV64BG PNP THT Darlington transistors
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.78 EUR
29+2.47 EUR
31+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDW94C BDW94C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD3F12EE6F2469&compId=BDW94C.pdf?ci_sign=690bb5e4108c20232162073b0e046bcaf29ed0f5 Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
61+1.18 EUR
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
106+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX33CG ONSEMI bdx33b-d.pdf BDX33CG NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
95+0.76 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX53CG ONSEMI bdx53b-d.pdf BDX53CG NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.5 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BF720T1G BF720T1G ONSEMI bf720t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
188+0.38 EUR
290+0.25 EUR
336+0.21 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
350+0.2 EUR
443+0.16 EUR
575+0.12 EUR
676+0.11 EUR
736+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
304+0.24 EUR
394+0.18 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
250+0.29 EUR
291+0.25 EUR
341+0.21 EUR
417+0.17 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
222+0.32 EUR
278+0.26 EUR
334+0.21 EUR
394+0.18 EUR
569+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS270 BS270 ONSEMI bs270-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4594 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
205+0.35 EUR
374+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1G BSP16T1G ONSEMI bsp16t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
190+0.38 EUR
250+0.29 EUR
285+0.25 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP52T1G BSP52T1G ONSEMI BSP52.PDF description Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
173+0.41 EUR
268+0.27 EUR
315+0.23 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR14 ONSEMI bsr14-d.pdf BSR14-FAI NPN SMD transistors
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
159+0.45 EUR
658+0.11 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR16 BSR16 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A604A081FD811C&compId=bsr16-fai-dte.pdf?ci_sign=aeea5129443f61098bae866dab48fe26f1e51c35 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 300MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2076 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
198+0.36 EUR
290+0.25 EUR
343+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
1500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR57 BSR57 ONSEMI bsr57-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
On-state resistance: 40Ω
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
335+0.21 EUR
375+0.19 EUR
420+0.17 EUR
500+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 335
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR58 BSR58 ONSEMI bsr58-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 8mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 60Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
209+0.34 EUR
350+0.2 EUR
407+0.18 EUR
562+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
428+0.17 EUR
632+0.11 EUR
749+0.096 EUR
1069+0.067 EUR
1217+0.059 EUR
1500+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123L BSS123L ONSEMI BSS123L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
500+0.14 EUR
603+0.12 EUR
933+0.077 EUR
1099+0.065 EUR
1498+0.048 EUR
1539+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
432+0.17 EUR
642+0.11 EUR
765+0.094 EUR
949+0.075 EUR
1102+0.065 EUR
1266+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W BSS123W ONSEMI bss123w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
570+0.13 EUR
650+0.11 EUR
715+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-G BSS138-G ONSEMI bss138-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
397+0.18 EUR
633+0.11 EUR
715+0.1 EUR
770+0.093 EUR
1000+0.089 EUR
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 BSS138 ONSEMI bss138-d.pdf 5399_BSS138%20SOT-23.PDF BSS138.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
273+0.26 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 273
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138K BSS138K ONSEMI bss138k-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
472+0.15 EUR
717+0.1 EUR
847+0.085 EUR
1169+0.061 EUR
1306+0.055 EUR
3000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138L BSS138L ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11315 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
527+0.14 EUR
669+0.11 EUR
748+0.096 EUR
878+0.082 EUR
997+0.072 EUR
1145+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1G BSS138LT1G ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
610+0.12 EUR
792+0.09 EUR
1139+0.063 EUR
1386+0.052 EUR
1563+0.046 EUR
1725+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT3G BSS138LT3G ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
455+0.16 EUR
642+0.11 EUR
1034+0.069 EUR
10000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138W BSS138W ONSEMI bss138w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
321+0.22 EUR
391+0.18 EUR
596+0.12 EUR
689+0.1 EUR
879+0.081 EUR
1000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1G ONSEMI bss63lt1-d.pdf BSS63LT1G PNP SMD transistors
auf Bestellung 3485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
352+0.2 EUR
2025+0.035 EUR
2137+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 352
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64LT1G ONSEMI bss64lt1-d.pdf BSS64LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
315+0.23 EUR
1731+0.041 EUR
1800+0.04 EUR
24000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 315
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84 BSS84 ONSEMI BSS84-FAI-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
242+0.3 EUR
343+0.21 EUR
403+0.18 EUR
504+0.14 EUR
592+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84LT1G BSS84LT1G ONSEMI BSS84LT1-D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
705+0.1 EUR
854+0.084 EUR
928+0.077 EUR
1129+0.063 EUR
1229+0.058 EUR
3000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSV52LT1G ONSEMI bsv52lt1-d.pdf BSV52LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
212+0.34 EUR
1027+0.07 EUR
1087+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 212
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BU406G BU406G ONSEMI BU406G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
41+1.74 EUR
67+1.07 EUR
100+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUV21G BUV21G ONSEMI BUV21.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 8MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
54+1.34 EUR
62+1.16 EUR
98+0.73 EUR
101+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS123LT1G BVSS123LT1G ONSEMI bss123lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
236+0.3 EUR
291+0.25 EUR
596+0.12 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1G ONSEMI bss84lt1-d.pdf BVSS84LT1G SMD P channel transistors
auf Bestellung 3101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
166+0.43 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYV32-200G BYV32-200G ONSEMI byv32-200-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 0.6mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
42+1.72 EUR
54+1.34 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW29-200G ONSEMI byw29-d.pdf description BYW29-200G THT universal diodes
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
84+0.86 EUR
93+0.77 EUR
99+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW51-200G ONSEMI byw51-200-d.pdf BYW51-200G THT universal diodes
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.4 EUR
57+1.26 EUR
59+1.22 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW80-200G BYW80-200G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868868017BA6A745&compId=BYW80-200G.PDF?ci_sign=56b60dde4211bdb98c10afa8426444b809616a8d description Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Reverse recovery time: 35ns
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
95+0.76 EUR
99+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZG03C150G ONSEMI bzg03c15-d.pdf BZG03C150G SMD Zener diodes
auf Bestellung 5301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
269+0.27 EUR
365+0.2 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 269
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C10 ONSEMI BZX79C2V4-D.PDF BZX79C10-FAI THT Zener diodes
auf Bestellung 4905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
379+0.19 EUR
1015+0.07 EUR
1731+0.041 EUR
1832+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 379
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C11 ONSEMI BZX79C2V4-D.PDF BZX79C11-FAI THT Zener diodes
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
404+0.18 EUR
1846+0.039 EUR
1954+0.037 EUR
1977+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 404
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13516STU BD135_137_139.PDF
BD13516STU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
109+0.66 EUR
129+0.56 EUR
148+0.48 EUR
164+0.44 EUR
300+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD137G BD137.PDF
BD137G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12W
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
140+0.51 EUR
171+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13716STU BD135_137_139.PDF
BD13716STU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
142+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13810STU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6F24EF38EAE40CE&compId=BD136_138_140.pdf?ci_sign=110b6f88cafbe0e2a7fcb0c0b1b608b4bf5ae0b0
BD13810STU
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 63...160
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
151+0.48 EUR
167+0.43 EUR
188+0.38 EUR
480+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD135_137_139.PDF
BD13916STU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
158+0.45 EUR
172+0.42 EUR
187+0.38 EUR
201+0.36 EUR
540+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139G bd135-d.pdf
BD139G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
94+0.77 EUR
109+0.66 EUR
133+0.54 EUR
200+0.49 EUR
250+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140G BD136G_BD140G.PDF
BD140G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Current gain: 40...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO225
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.97 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237G bd237-d.pdf
BD237G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
89+0.81 EUR
105+0.69 EUR
122+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD242CG bd241c-d.pdf ONSM-S-A0003590441-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BD242CG
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Current gain: 25
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
95+0.76 EUR
121+0.59 EUR
129+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD243CG BD244CG.PDF
BD243CG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 20
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
65+1.11 EUR
79+0.91 EUR
105+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD244CG BD244CG.PDF
BD244CG
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 30
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
65+1.11 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD440S BD440%2C442.pdf
BD440S
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 36W
Collector current: 4A
Current gain: 40...140
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
86+0.84 EUR
95+0.75 EUR
109+0.66 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD441G bd437-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BD441G NPN THT transistors
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD442G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE989BF2B85D3D138BF&compId=BD436-8%2CBD440-2.pdf?ci_sign=08943676f14e8cad8d43e29458a5c41ba68eb3ce
BD442G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 40...475
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
91+0.79 EUR
117+0.62 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD679AS bd681-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
131+0.55 EUR
151+0.47 EUR
250+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD681G BD681G.PDF
BD681G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
83+0.86 EUR
99+0.72 EUR
108+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDV64BG bdv65b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BDV64BG PNP THT Darlington transistors
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.78 EUR
29+2.47 EUR
31+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDW94C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD3F12EE6F2469&compId=BDW94C.pdf?ci_sign=690bb5e4108c20232162073b0e046bcaf29ed0f5
BDW94C
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
61+1.18 EUR
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
106+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX33CG bdx33b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BDX33CG NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
95+0.76 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX53CG bdx53b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BDX53CG NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.5 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BF720T1G bf720t1-d.pdf
BF720T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
188+0.38 EUR
290+0.25 EUR
336+0.21 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170,MMBF170.PDF
BS170
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
350+0.2 EUR
443+0.16 EUR
575+0.12 EUR
676+0.11 EUR
736+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
304+0.24 EUR
394+0.18 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
211+0.34 EUR
250+0.29 EUR
291+0.25 EUR
341+0.21 EUR
417+0.17 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D27Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
222+0.32 EUR
278+0.26 EUR
334+0.21 EUR
394+0.18 EUR
569+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS270 bs270-d.pdf
BS270
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4594 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
205+0.35 EUR
374+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1G bsp16t1-d.pdf
BSP16T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
190+0.38 EUR
250+0.29 EUR
285+0.25 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP52T1G description BSP52.PDF
BSP52T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
173+0.41 EUR
268+0.27 EUR
315+0.23 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR14 bsr14-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BSR14-FAI NPN SMD transistors
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
159+0.45 EUR
658+0.11 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR16 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A604A081FD811C&compId=bsr16-fai-dte.pdf?ci_sign=aeea5129443f61098bae866dab48fe26f1e51c35
BSR16
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 300MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2076 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
198+0.36 EUR
290+0.25 EUR
343+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
1500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR57 bsr57-d.pdf
BSR57
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
On-state resistance: 40Ω
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
335+0.21 EUR
375+0.19 EUR
420+0.17 EUR
500+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 335
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR58 bsr58-d.pdf
BSR58
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 8mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 60Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
209+0.34 EUR
350+0.2 EUR
407+0.18 EUR
562+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-FAI.pdf
BSS123
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
428+0.17 EUR
632+0.11 EUR
749+0.096 EUR
1069+0.067 EUR
1217+0.059 EUR
1500+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123L BSS123L-DTE.pdf
BSS123L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
500+0.14 EUR
603+0.12 EUR
933+0.077 EUR
1099+0.065 EUR
1498+0.048 EUR
1539+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G.PDF
BSS123LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
432+0.17 EUR
642+0.11 EUR
765+0.094 EUR
949+0.075 EUR
1102+0.065 EUR
1266+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W bss123w-d.pdf
BSS123W
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
570+0.13 EUR
650+0.11 EUR
715+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-G bss138-d.pdf
BSS138-G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
397+0.18 EUR
633+0.11 EUR
715+0.1 EUR
770+0.093 EUR
1000+0.089 EUR
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 bss138-d.pdf 5399_BSS138%20SOT-23.PDF BSS138.pdf
BSS138
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
273+0.26 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 273
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138K bss138k-d.pdf
BSS138K
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
472+0.15 EUR
717+0.1 EUR
847+0.085 EUR
1169+0.061 EUR
1306+0.055 EUR
3000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138L BSS138L.PDF
BSS138L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11315 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
527+0.14 EUR
669+0.11 EUR
748+0.096 EUR
878+0.082 EUR
997+0.072 EUR
1145+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1G BSS138L.PDF
BSS138LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
610+0.12 EUR
792+0.09 EUR
1139+0.063 EUR
1386+0.052 EUR
1563+0.046 EUR
1725+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT3G BSS138L.PDF
BSS138LT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
455+0.16 EUR
642+0.11 EUR
1034+0.069 EUR
10000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138W bss138w-d.pdf
BSS138W
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
321+0.22 EUR
391+0.18 EUR
596+0.12 EUR
689+0.1 EUR
879+0.081 EUR
1000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BSS63LT1G PNP SMD transistors
auf Bestellung 3485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
352+0.2 EUR
2025+0.035 EUR
2137+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 352
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BSS64LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
315+0.23 EUR
1731+0.041 EUR
1800+0.04 EUR
24000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 315
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84 BSS84-FAI-DTE.pdf
BSS84
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
242+0.3 EUR
343+0.21 EUR
403+0.18 EUR
504+0.14 EUR
592+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84LT1G BSS84LT1-D.pdf
BSS84LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
705+0.1 EUR
854+0.084 EUR
928+0.077 EUR
1129+0.063 EUR
1229+0.058 EUR
3000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSV52LT1G bsv52lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BSV52LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
212+0.34 EUR
1027+0.07 EUR
1087+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 212
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BU406G BU406G.PDF
BU406G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
41+1.74 EUR
67+1.07 EUR
100+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUV21G BUV21.PDF
BUV21G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 8MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941 BUZ11.pdf
BUZ11-NR4941
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
54+1.34 EUR
62+1.16 EUR
98+0.73 EUR
101+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BVSS123LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
236+0.3 EUR
291+0.25 EUR
596+0.12 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1G bss84lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BVSS84LT1G SMD P channel transistors
auf Bestellung 3101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
166+0.43 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYV32-200G byv32-200-d.pdf
BYV32-200G
Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 0.6mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
42+1.72 EUR
54+1.34 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW29-200G description byw29-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BYW29-200G THT universal diodes
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
84+0.86 EUR
93+0.77 EUR
99+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW51-200G byw51-200-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BYW51-200G THT universal diodes
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.4 EUR
57+1.26 EUR
59+1.22 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW80-200G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868868017BA6A745&compId=BYW80-200G.PDF?ci_sign=56b60dde4211bdb98c10afa8426444b809616a8d
BYW80-200G
Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Reverse recovery time: 35ns
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
95+0.76 EUR
99+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZG03C150G bzg03c15-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BZG03C150G SMD Zener diodes
auf Bestellung 5301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
269+0.27 EUR
365+0.2 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 269
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C10 BZX79C2V4-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
BZX79C10-FAI THT Zener diodes
auf Bestellung 4905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
379+0.19 EUR
1015+0.07 EUR
1731+0.041 EUR
1832+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 379
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C11 BZX79C2V4-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
BZX79C11-FAI THT Zener diodes
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
404+0.18 EUR
1846+0.039 EUR
1954+0.037 EUR
1977+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 404
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1756 1888 2124 2360 2367  [ Nächste Seite >> ]