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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDN352AP ONSEMI fdn352ap-d.pdf FDN352AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
113+0.64 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9016645D3E259&compId=FDN357N.pdf?ci_sign=fc8992d385bf25dd1c09c8a14438e0609bbc5ba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
149+0.48 EUR
180+0.40 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN358P SMD P channel transistors
auf Bestellung 5063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
116+0.62 EUR
285+0.25 EUR
302+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN ONSEMI fdn359an-d.pdf FDN359AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
298+0.24 EUR
317+0.23 EUR
1500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN ONSEMI fdn359bn-d.pdf FDN359BN SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360P ONSEMI fdn360p-d.pdf FDN360P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.49 EUR
419+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537N ONSEMI fdn537n-d.pdf FDN537N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.80 EUR
171+0.42 EUR
180+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 ONSEMI FDN5630.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
169+0.42 EUR
226+0.32 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085 FDN5632N-F085 ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
103+0.70 EUR
171+0.42 EUR
181+0.40 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601 ONSEMI fdn8601-d.pdf FDN8601 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246 ONSEMI fdn86246-d.pdf FDN86246 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265P ONSEMI fdn86265p-d.pdf FDN86265P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86501LZ ONSEMI fdn86501lz-d.pdf FDN86501LZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP020N06B-F102 ONSEMI fdp020n06b-d.pdf FDP020N06B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP023N08B-F102 ONSEMI fdp023n08b-d.pdf FDP023N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP025N06 ONSEMI fdp025n06-d.pdf FDP025N06 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP027N08B-F102 ONSEMI fdp027n08b-d.pdf FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP030N06 ONSEMI fdp030n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP030N06B-F102 ONSEMI fdp030n06b-f102-d.pdf FDP030N06B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP032N08 ONSEMI fdp032n08-d.pdf FDP032N08 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP032N08B-F102 ONSEMI fdp032n08b-d.pdf FDP032N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A ONSEMI fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf FDP036N10A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP038AN06A0 FDP038AN06A0 ONSEMI fdp038an06a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.56 EUR
18+4.10 EUR
22+3.30 EUR
23+3.13 EUR
250+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP039N08B-F102 ONSEMI ONSM-S-A0003584668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdp039n08b-d.pdf FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 ONSEMI fdp045n10a-d.pdf FDP045N10A-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 ONSEMI fdh047an08a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047N08 ONSEMI fdp047n08-d.pdf FDP047N08 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047N08-F102 ONSEMI fdp047n08jp-d.pdf FDP047N08-F102 THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.76 EUR
22+3.25 EUR
250+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047N10 ONSEMI fdp047n10-d.pdf FDP047N10 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP050AN06A0 FDP050AN06A0 ONSEMI FDB050AN06A0.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 245W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP053N08B-F102 ONSEMI fdp053n08b-d.pdf FDP053N08B-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP054N10 ONSEMI fdp054n10-d.pdf FDP054N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDP060AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
29+2.47 EUR
31+2.35 EUR
250+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP070AN06A0 ONSEMI fdp070an06a0-d.pdf FDP070AN06A0 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 ONSEMI FDP075N15A-F102.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
50+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI fdp083n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP085N10A-F102 ONSEMI fdp085n10a-d.pdf FDP085N10A-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP090N10 ONSEMI fdp090n10-d.pdf FDP090N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP100N10 ONSEMI fdp100n10-d.pdf FDP100N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP120N10 ONSEMI fdp120n10-d.pdf FDP120N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP150N10 ONSEMI fdp150n10-d.pdf FDP150N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP150N10A-F102 ONSEMI FDP150N10A.pdf FDP150N10A-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP16AN08A0 ONSEMI FAIRS45681-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDP16AN08A0 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP18N50 FDP18N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.42 EUR
24+3.09 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
250+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDP20N50F ONSEMI FDPF20N50FT-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.56 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
100+2.46 EUR
500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N ONSEMI fdp22n50n-d.pdf FDP22N50N THT N channel transistors
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.65 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2532 FDP2532 ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.32 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2552 FDP2552 ONSEMI fdp2552-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2572 FDP2572 ONSEMI FAIRS45683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2614 ONSEMI fdp2614-d.pdf FDP2614 THT N channel transistors
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.31 EUR
17+4.30 EUR
18+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP26N40 ONSEMI fdp26n40-d.pdf FDP26N40 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2710 ONSEMI fdp2710-d.pdf FDP2710 THT N channel transistors
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.15 EUR
17+4.20 EUR
250+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2D3N10C ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf FDP2D3N10C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP33N25 ONSEMI fdp33n25-d.pdf FDP33N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.50 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3632 FDP3632 ONSEMI FDB3632.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.09 EUR
24+3.02 EUR
26+2.85 EUR
50+2.80 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3651U ONSEMI fdp3651u-d.pdf FDP3651U THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3652 ONSEMI fdp3652-d.pdf FDP3652 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3672 ONSEMI fdp3672-d.pdf FDP3672 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3682 ONSEMI fdp3682-d.pdf FDP3682 THT N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.30 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP42AN15A0 FDP42AN15A0 ONSEMI FDP42AN15A0.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.56 EUR
36+2.03 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352AP fdn352ap-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN352AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
113+0.64 EUR
358+0.20 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9016645D3E259&compId=FDN357N.pdf?ci_sign=fc8992d385bf25dd1c09c8a14438e0609bbc5ba8
FDN357N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
149+0.48 EUR
180+0.40 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDN358P SMD P channel transistors
auf Bestellung 5063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
116+0.62 EUR
285+0.25 EUR
302+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN fdn359an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN359AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2775 Stücke:
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Anzahl Preis
107+0.67 EUR
298+0.24 EUR
317+0.23 EUR
1500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN359BN SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360P fdn360p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN360P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1626 Stücke:
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Anzahl Preis
145+0.49 EUR
419+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537N fdn537n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
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Anzahl Preis
90+0.80 EUR
171+0.42 EUR
180+0.40 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630.pdf
FDN5630
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
169+0.42 EUR
226+0.32 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085 fdn5632n-f085-d.pdf
FDN5632N-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
103+0.70 EUR
171+0.42 EUR
181+0.40 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601 fdn8601-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN8601 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246 fdn86246-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN86246 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265P fdn86265p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN86265P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86501LZ fdn86501lz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN86501LZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP020N06B-F102 fdp020n06b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP020N06B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP023N08B-F102 fdp023n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP023N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP025N06 fdp025n06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP025N06 THT N channel transistors
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FDP027N08B-F102 fdp027n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP030N06 fdp030n06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP030N06B-F102 fdp030n06b-f102-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP030N06B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP032N08 fdp032n08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP032N08 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP032N08B-F102 fdp032n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP032N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP036N10A THT N channel transistors
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FDP038AN06A0 fdp038an06a0-d.pdf
FDP038AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.56 EUR
18+4.10 EUR
22+3.30 EUR
23+3.13 EUR
250+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP039N08B-F102 ONSM-S-A0003584668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdp039n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 fdp045n10a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP045N10A-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047AN08A0 fdh047an08a0-d.pdf
FDP047AN08A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047N08 fdp047n08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP047N08 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047N08-F102 fdp047n08jp-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP047N08-F102 THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
22+3.25 EUR
250+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047N10 fdp047n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP047N10 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP050AN06A0 FDB050AN06A0.pdf
FDP050AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Power dissipation: 245W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP053N08B-F102 fdp053n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP053N08B-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP054N10 fdp054n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP054N10 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
29+2.47 EUR
31+2.35 EUR
250+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP070AN06A0 fdp070an06a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102.pdf
FDP075N15A-F102
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
50+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP083N15A-F102 fdp083n15a-d.pdf
FDP083N15A-F102
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP085N10A-F102 fdp085n10a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP085N10A-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP090N10 fdp090n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP090N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP100N10 fdp100n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP100N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP120N10 fdp120n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP120N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP150N10 fdp150n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP150N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP150N10A-F102 FDP150N10A.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP150N10A-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP16AN08A0 FAIRS45681-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDP16AN08A0 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP18N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4
FDP18N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.42 EUR
24+3.09 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
250+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.56 EUR
27+2.66 EUR
29+2.52 EUR
100+2.46 EUR
500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N fdp22n50n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP22N50N THT N channel transistors
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.65 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2532 FDX2532-DTE.pdf
FDP2532
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.32 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2552 fdp2552-d.pdf
FDP2552
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2572 FAIRS45683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDP2572
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2614 fdp2614-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.31 EUR
17+4.30 EUR
18+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP26N40 fdp26n40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP26N40 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2710 fdp2710-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP2710 THT N channel transistors
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.15 EUR
17+4.20 EUR
250+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP2D3N10C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP33N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.50 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3632 FDB3632.pdf
FDP3632
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.09 EUR
24+3.02 EUR
26+2.85 EUR
50+2.80 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3651U fdp3651u-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP3651U THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3652 fdp3652-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP3652 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3672 fdp3672-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP3672 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3682 fdp3682-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP3682 THT N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.30 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP42AN15A0 FDP42AN15A0.pdf
FDP42AN15A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.56 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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