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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ESD9L3.3ST5G ONSEMI esd9l-d.pdf ESD9L3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9L5.0ST5G ESD9L5.0ST5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688951430750745&compId=ESD9L5.0ST5G.PDF?ci_sign=0bb65ff49ba4e4569b3466dbe83fcf59f28cd37c Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5.4V; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Leakage current: 1µA
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4527 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
288+0.25 EUR
407+0.18 EUR
788+0.091 EUR
1047+0.068 EUR
1067+0.067 EUR
1104+0.065 EUR
8000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 288
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9R3.3ST5G ESD9R3.3ST5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAAB4DB9A3C7E27&compId=ESD9R3.3ST5G-DTE.PDF?ci_sign=92b556fbe3efc2c533d83a05adbd46efca29e1a9 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 4.8V; 1A; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Case: SOD923
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4.8V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
143+0.5 EUR
198+0.36 EUR
210+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9X12ST5G ONSEMI esd9x3.3st5g-d.pdf ESD9X12ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9X5.0ST5G ESD9X5.0ST5G ONSEMI esd9x3.3st5g-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
820+0.087 EUR
1191+0.06 EUR
1401+0.051 EUR
1725+0.041 EUR
2009+0.036 EUR
2428+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESDONCAN1LT1G ONSEMI esdoncan1-d.pdf ESDONCAN1LT1G Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESDR0502BT1G ONSEMI esdr0502b-d.pdf ESDR0502BT1G Bidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESDR0502NMUTAG ONSEMI esdr0502n-d.pdf ESDR0502NMUTAG Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EU-SIGFOX-GEVB ONSEMI SIGFOX-GEVB_TEST_PROCEDURE.PDF EU-SIGFOX-GEVB Development kits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100CSX FAN3100CSX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF983137D4D3C259&compId=FAN3100C.pdf?ci_sign=1c2ddb726a17f1fff493c707bf6fb25e9becc375 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.8...2.5A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
78+0.92 EUR
94+0.76 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100TMPX FAN3100TMPX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Case: MLP6
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2929 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
58+1.24 EUR
91+0.79 EUR
96+0.75 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100TSX FAN3100TSX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3007 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
65+1.11 EUR
94+0.77 EUR
99+0.73 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3111CSX FAN3111CSX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF98333969136259&compId=FAN3111C.pdf?ci_sign=ba012764c95bb486a03091c8fa754924b9240b73 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
65+1.1 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3111ESX FAN3111ESX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF98333969136259&compId=FAN3111C.pdf?ci_sign=ba012764c95bb486a03091c8fa754924b9240b73 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1528 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
76+0.95 EUR
93+0.77 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
200+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3217TMX-F085 ONSEMI fan3217-d.pdf FAN3217TMX-F085 MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224CMX FAN3224CMX ONSEMI fan3223-d.pdf ONSM-S-A0004903499-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Output current: -4.3...2.8A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 20ns
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.06 EUR
37+1.97 EUR
42+1.73 EUR
44+1.64 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224TMX FAN3224TMX ONSEMI fan3223-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Output current: -4.3...2.8A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 20ns
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
52+1.39 EUR
80+0.9 EUR
84+0.86 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3227CMX ONSEMI ONSM-S-A0003539099-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAN3227CMX MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3227TMX ONSEMI fan3229t_f085-d.pdf FAN3227TMX MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3229TMX ONSEMI fan3229t_f085-d.pdf FAN3229TMX MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3268TMX ONSEMI fan3268-d.pdf FAN3268TMX MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3278TMX ONSEMI fan3278-d.pdf FAN3278TMX MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN4174IS5X ONSEMI FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN5333ASX FAN5333ASX ONSEMI fan5333b-d.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SOT23-5; 65mA; 1.8÷30V; Ch: 1; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...85°C
Kind of integrated circuit: LED driver
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Number of channels: 1
Output current: 65mA
Maximum output current: 1.5A
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Output voltage: 1.8...30V
Frequency: 1.5MHz
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN5622SX ONSEMI fan5626-d.pdf FAN5622SX LED drivers
auf Bestellung 2826 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.71 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN6605MX ONSEMI fan6605-d.pdf FAN6605MX Voltage regulators - PWM circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7081MX-GF085 ONSEMI fan7081_gf085-d.pdf FAN7081MX-GF085 MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73611MX ONSEMI fan73611-d.pdf FAN73611MX MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73711MX FAN73711MX ONSEMI fan73711-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; MillerDrive™; SOP8; -4÷4A; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: MillerDrive™
Case: SOP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 50ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7380MX FAN7380MX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF983D0C4A232259&compId=FAN7380.pdf?ci_sign=56651788b67f198912e28b21cd05c52ccdadc17b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -180...90mA
Pulse fall time: 90ns
Impulse rise time: 230ns
Mounting: SMD
Topology: MOSFET half-bridge
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
54+1.33 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7382M1X ONSEMI fan7382-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™; SOP14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Technology: MillerDrive™
Case: SOP14
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 140ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7382MX FAN7382MX ONSEMI fan7382-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™; SOP8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Pulse fall time: 80ns
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Voltage class: 600V
Impulse rise time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
52+1.4 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73832MX FAN73832MX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF983F2D23BDC259&compId=FAN73832.pdf?ci_sign=eb14b56d5f0b40de83c56d7163270043f8613286 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 100ns
Mounting: SMD
Topology: MOSFET half-bridge
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
55+1.3 EUR
67+1.07 EUR
72+1 EUR
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73833MX ONSEMI fan73833-d.pdf FAN73833MX MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7383MX FAN7383MX ONSEMI fan7383-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Case: SOP14
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 100ns
Mounting: SMD
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Number of channels: 4
Supply voltage: 15...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.59 EUR
44+1.63 EUR
45+1.59 EUR
250+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7385MX ONSEMI fan7385-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; MillerDrive™; SOP14; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SOP14
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Impulse rise time: 90ns
Pulse fall time: 70ns
Number of channels: 2
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Voltage class: 600V
Output current: -650...350mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73895MX ONSEMI fan73895-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO28-W
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -650...350mA
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 6
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7390MX FAN7390MX ONSEMI fan7390-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Technology: MillerDrive™
Case: SOP8
Output current: -4.5...4.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...22V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 50ns
Pulse fall time: 45ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7392MX ONSEMI fan7392-d.pdf FAN7392MX MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73932MX ONSEMI fan73932-d.pdf FAN73932MX MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73933MX ONSEMI fan73933-d.pdf FAN73933MX MOSFET/IGBT drivers
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FAN7842MX ONSEMI fan7842-d.pdf FAN7842MX MOSFET/IGBT drivers
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FCA20N60 ONSEMI fca20n60_f109-d.pdf FCA20N60 THT N channel transistors
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FCA20N60-F109 ONSEMI fca20n60_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 208W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 75nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F FCA20N60F ONSEMI fca20n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA36N60NF ONSEMI fca36n60nf-d.pdf FCA36N60NF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60 FCA47N60 ONSEMI fca47n60_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC88D1352A193EC0C7&compId=FCA47N60.PDF?ci_sign=01954dc827ada922524094f7f283b14057575cf1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60F ONSEMI fca47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCB070N65S3
+1
 		FCB070N65S3 ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.38 EUR
13+5.63 EUR
14+5.33 EUR
25+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB099N65S3 ONSEMI fcb099n65s3-d.pdf FCB099N65S3 SMD N channel transistors
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FCB110N65F ONSEMI fcb110n65f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 105A
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60TM ONSEMI fcb11n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3 ONSEMI fcb125n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB199N65S3 ONSEMI fcb199n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 35A; 98W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 98W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.62 EUR
12+6.11 EUR
20+3.68 EUR
21+3.47 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM FCB20N60TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED40BDF99915E28&compId=FCB20N60.pdf?ci_sign=de181f8cc01307fe38c07adb5e4af3bdb8b509db Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3 FCB260N65S3 ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.95 EUR
28+2.62 EUR
29+2.47 EUR
100+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB290N80 ONSEMI fcb290n80-d.pdf FCB290N80 SMD N channel transistors
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FCD1300N80Z ONSEMI fcd1300n80z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 12A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9L3.3ST5G esd9l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
ESD9L3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
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ESD9L5.0ST5G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688951430750745&compId=ESD9L5.0ST5G.PDF?ci_sign=0bb65ff49ba4e4569b3466dbe83fcf59f28cd37c
ESD9L5.0ST5G
Hersteller: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5.4V; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Leakage current: 1µA
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4527 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
288+0.25 EUR
407+0.18 EUR
788+0.091 EUR
1047+0.068 EUR
1067+0.067 EUR
1104+0.065 EUR
8000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 288
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9R3.3ST5G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAAB4DB9A3C7E27&compId=ESD9R3.3ST5G-DTE.PDF?ci_sign=92b556fbe3efc2c533d83a05adbd46efca29e1a9
ESD9R3.3ST5G
Hersteller: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 4.8V; 1A; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Case: SOD923
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4.8V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
143+0.5 EUR
198+0.36 EUR
210+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9X12ST5G esd9x3.3st5g-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
ESD9X12ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9X5.0ST5G esd9x3.3st5g-d.pdf
ESD9X5.0ST5G
Hersteller: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
820+0.087 EUR
1191+0.06 EUR
1401+0.051 EUR
1725+0.041 EUR
2009+0.036 EUR
2428+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESDONCAN1LT1G esdoncan1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
ESDONCAN1LT1G Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESDR0502BT1G esdr0502b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
ESDR0502BT1G Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESDR0502NMUTAG esdr0502n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
ESDR0502NMUTAG Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EU-SIGFOX-GEVB SIGFOX-GEVB_TEST_PROCEDURE.PDF
Hersteller: ONSEMI
EU-SIGFOX-GEVB Development kits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100CSX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF983137D4D3C259&compId=FAN3100C.pdf?ci_sign=1c2ddb726a17f1fff493c707bf6fb25e9becc375
FAN3100CSX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.8...2.5A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
78+0.92 EUR
94+0.76 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100TMPX fan3100t-d.pdf
FAN3100TMPX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Case: MLP6
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2929 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
58+1.24 EUR
91+0.79 EUR
96+0.75 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100TSX fan3100t-d.pdf
FAN3100TSX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3007 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
65+1.11 EUR
94+0.77 EUR
99+0.73 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3111CSX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF98333969136259&compId=FAN3111C.pdf?ci_sign=ba012764c95bb486a03091c8fa754924b9240b73
FAN3111CSX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
65+1.1 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
250+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3111ESX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF98333969136259&compId=FAN3111C.pdf?ci_sign=ba012764c95bb486a03091c8fa754924b9240b73
FAN3111ESX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1528 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
76+0.95 EUR
93+0.77 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
200+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3217TMX-F085 fan3217-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN3217TMX-F085 MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224CMX fan3223-d.pdf ONSM-S-A0004903499-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FAN3224CMX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Output current: -4.3...2.8A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 20ns
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.06 EUR
37+1.97 EUR
42+1.73 EUR
44+1.64 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224TMX fan3223-d.pdf
FAN3224TMX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Output current: -4.3...2.8A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 20ns
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
52+1.39 EUR
80+0.9 EUR
84+0.86 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3227CMX ONSM-S-A0003539099-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FAN3227CMX MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3227TMX fan3229t_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN3227TMX MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3229TMX fan3229t_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN3229TMX MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3268TMX fan3268-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN3268TMX MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3278TMX fan3278-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN3278TMX MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN4174IS5X FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
auf Bestellung 341 Stücke:
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Anzahl Preis
120+0.6 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN5333ASX fan5333b-d.pdf
FAN5333ASX
Hersteller: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SOT23-5; 65mA; 1.8÷30V; Ch: 1; 1.8÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...85°C
Kind of integrated circuit: LED driver
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Number of channels: 1
Output current: 65mA
Maximum output current: 1.5A
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Output voltage: 1.8...30V
Frequency: 1.5MHz
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN5622SX fan5626-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN5622SX LED drivers
auf Bestellung 2826 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
102+0.71 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN6605MX fan6605-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN6605MX Voltage regulators - PWM circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7081MX-GF085 fan7081_gf085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN7081MX-GF085 MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73611MX fan73611-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN73611MX MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73711MX fan73711-d.pdf
FAN73711MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; MillerDrive™; SOP8; -4÷4A; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: MillerDrive™
Case: SOP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 50ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7380MX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF983D0C4A232259&compId=FAN7380.pdf?ci_sign=56651788b67f198912e28b21cd05c52ccdadc17b
FAN7380MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -180...90mA
Pulse fall time: 90ns
Impulse rise time: 230ns
Mounting: SMD
Topology: MOSFET half-bridge
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
54+1.33 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7382M1X fan7382-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™; SOP14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Technology: MillerDrive™
Case: SOP14
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 140ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7382MX fan7382-d.pdf
FAN7382MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™; SOP8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Pulse fall time: 80ns
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Voltage class: 600V
Impulse rise time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
52+1.4 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73832MX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF983F2D23BDC259&compId=FAN73832.pdf?ci_sign=eb14b56d5f0b40de83c56d7163270043f8613286
FAN73832MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 100ns
Mounting: SMD
Topology: MOSFET half-bridge
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
55+1.3 EUR
67+1.07 EUR
72+1 EUR
500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73833MX fan73833-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN73833MX MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7383MX fan7383-d.pdf
FAN7383MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Case: SOP14
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 100ns
Mounting: SMD
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Number of channels: 4
Supply voltage: 15...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
44+1.63 EUR
45+1.59 EUR
250+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7385MX fan7385-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; MillerDrive™; SOP14; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SOP14
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Impulse rise time: 90ns
Pulse fall time: 70ns
Number of channels: 2
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Voltage class: 600V
Output current: -650...350mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73895MX fan73895-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO28-W
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -650...350mA
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 6
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7390MX fan7390-d.pdf
FAN7390MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Technology: MillerDrive™
Case: SOP8
Output current: -4.5...4.5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...22V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 50ns
Pulse fall time: 45ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7392MX fan7392-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN7392MX MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73932MX fan73932-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN73932MX MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73933MX fan73933-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN73933MX MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7842MX fan7842-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FAN7842MX MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60 fca20n60_f109-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCA20N60 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 208W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 75nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
FCA20N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA36N60NF fca36n60nf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCA36N60NF THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60 fca47n60_f109-d.pdf
FCA47N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60-F109 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC88D1352A193EC0C7&compId=FCA47N60.PDF?ci_sign=01954dc827ada922524094f7f283b14057575cf1
FCA47N60-F109
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA47N60F fca47n60f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.38 EUR
13+5.63 EUR
14+5.33 EUR
25+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB099N65S3 fcb099n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCB099N65S3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 105A
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB11N60TM fcb11n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB199N65S3 fcb199n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 35A; 98W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 98W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.62 EUR
12+6.11 EUR
20+3.68 EUR
21+3.47 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED40BDF99915E28&compId=FCB20N60.pdf?ci_sign=de181f8cc01307fe38c07adb5e4af3bdb8b509db
FCB20N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3 fcb260n65s3-d.pdf
FCB260N65S3
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.95 EUR
28+2.62 EUR
29+2.47 EUR
100+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB290N80 fcb290n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCB290N80 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD1300N80Z fcd1300n80z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 12A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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