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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDS3672 FDS3672 ONSEMI fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2456 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
61+1.17 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
250+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
123+0.58 EUR
153+0.47 EUR
168+0.43 EUR
250+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465 FDS4465 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC80D368C76259&compId=FDS4465.pdf?ci_sign=0ccb8af7e225282a329af0618515c2832bcb5946 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -13.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf description FDS4470 SMD N channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.27 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4480 FDS4480 ONSEMI fds4480-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
72+1.01 EUR
81+0.89 EUR
100+0.8 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672A FDS4672A ONSEMI fds4672a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
74+0.97 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675 ONSEMI fds4675-d.pdf FDS4675 SMD P channel transistors
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685 FDS4685 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
70+1.03 EUR
85+0.84 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A ONSEMI FDS4935A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
67+1.08 EUR
89+0.81 EUR
101+0.71 EUR
250+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZ FDS4935BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4702 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
89+0.81 EUR
106+0.68 EUR
123+0.58 EUR
141+0.51 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351 ONSEMI fds5351-d.pdf FDS5351 SMD N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
92+0.77 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6375 ONSEMI fds6375-d.pdf FDS6375 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ FDS6673BZ ONSEMI FDS6673BZ.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
73+0.99 EUR
81+0.89 EUR
100+0.74 EUR
250+0.66 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
123+0.58 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
68+1.07 EUR
82+0.88 EUR
95+0.76 EUR
109+0.66 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
87+0.82 EUR
99+0.73 EUR
110+0.65 EUR
122+0.59 EUR
250+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681Z ONSEMI FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6681Z SMD P channel transistors
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A ONSEMI fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf FDS6690A SMD N channel transistors
auf Bestellung 2196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
243+0.29 EUR
258+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898A FDS6898A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
69+1.04 EUR
75+0.95 EUR
93+0.78 EUR
101+0.71 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A ONSEMI FDS6912A-D.PDF FDS6912A Multi channel transistors
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.46 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8447 ONSEMI fds8447-d.pdf description FDS8447 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
61+1.17 EUR
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 ONSEMI FDS8880-D.PDF FDS8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884 ONSEMI FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8884 SMD N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.85 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141 ONSEMI fds89141-d.pdf FDS89141 Multi channel transistors
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.85 EUR
29+2.55 EUR
30+2.4 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161 FDS89161 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE714315B04C259&compId=FDS89161.pdf?ci_sign=84ea0d10f63123768be2a5a09d915664e90b6920 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
54+1.33 EUR
55+1.3 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 FDS8949 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
63+1.15 EUR
72+1 EUR
125+0.57 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A FDS9435A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
99+0.72 EUR
133+0.54 EUR
152+0.47 EUR
250+0.4 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926A FDS9926A ONSEMI FDS9926A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
125+0.57 EUR
141+0.51 EUR
184+0.39 EUR
204+0.35 EUR
250+0.31 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
fds9945 ONSEMI FDS9945-D.pdf FDS9945 Multi channel transistors
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
94+0.76 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9958 ONSEMI fds9958-d.pdf FDS9958 Multi channel transistors
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.05 EUR
143+0.5 EUR
151+0.48 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT1600N10ALZ ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT3612 ONSEMI fdt3612-d.pdf FDT3612 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458P ONSEMI fdt458p-d.pdf FDT458P SMD P channel transistors
auf Bestellung 3074 Stücke:
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62+1.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZ FDT86113LZ ONSEMI fdt86113lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 189mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2166 Stücke:
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48+1.52 EUR
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
102+0.7 EUR
113+0.63 EUR
250+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N FDV301N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0893DB4B55F1A303005056AB0C4F&compId=FDV301N.pdf?ci_sign=90bbeb0cb17ed9600b2d86a0dc13bb46d18c3438 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18086 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
736+0.097 EUR
910+0.079 EUR
1454+0.049 EUR
1713+0.042 EUR
2253+0.032 EUR
2464+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
472+0.15 EUR
671+0.11 EUR
779+0.092 EUR
1051+0.068 EUR
1166+0.061 EUR
1500+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304P FDV304P ONSEMI FDV304P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
715+0.1 EUR
981+0.073 EUR
1232+0.058 EUR
1352+0.053 EUR
1603+0.045 EUR
1701+0.042 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 715
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV305N ONSEMI FDV305N-D.pdf FDV305N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1789 Stücke:
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186+0.39 EUR
893+0.08 EUR
944+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDY300NZ FDY300NZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA13337BF8E259&compId=FDY300NZ.pdf?ci_sign=d6800381c05a0dbb9b65d0a6ad7cb736978460e9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.6A; 0.625W; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 0.6A
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.25Ω
Power dissipation: 0.625W
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
159+0.45 EUR
178+0.4 EUR
200+0.36 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSH40120ADN-F085 ONSEMI ffsh40120adn-f085-d.pdf FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+35.61 EUR
4+21.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSH4065ADN-F155 ONSEMI ffsh4065adn-f155-d.pdf FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.73 EUR
7+10.7 EUR
8+10.12 EUR
900+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.56 EUR
12+6.23 EUR
14+5.42 EUR
30+4.35 EUR
120+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3040G2-F085 FGB3040G2-F085 ONSEMI fgi3040g2_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.25 EUR
25+2.92 EUR
100+2.72 EUR
250+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 ONSEMI fgb40t65spd-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.98 EUR
14+5.22 EUR
16+4.7 EUR
25+3.99 EUR
100+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3245G2-F085 FGD3245G2-F085 ONSEMI fgd3245g2-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
27+2.75 EUR
30+2.43 EUR
35+2.09 EUR
50+1.86 EUR
100+1.66 EUR
250+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD5T120SH FGD5T120SH ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
46+1.56 EUR
100+1.14 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI FGH40N60SFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.19 EUR
17+4.43 EUR
30+3.42 EUR
90+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI FGH40N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.28 EUR
15+5.02 EUR
17+4.42 EUR
30+3.66 EUR
120+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI FGH40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.05 EUR
25+2.86 EUR
30+2.57 EUR
120+2.39 EUR
450+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.85 EUR
10+8.97 EUR
30+8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 ONSEMI FGH50T65SQD.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.95 EUR
17+4.45 EUR
19+3.93 EUR
30+3.55 EUR
120+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.18 EUR
13+5.86 EUR
30+4.66 EUR
120+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085
+1
 		FGY160T65SPD-F085 ONSEMI fgy160t65spd-f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.84 EUR
10+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN ONSEMI fgy75t120sqdn-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 399nC
Power dissipation: 395W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.56 EUR
10+12.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1001M5X FIN1001M5X ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196CD128D1B6259&compId=FIN1001.pdf?ci_sign=53b6431c1dea3dff1562add3767cb12df05d7f35 Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.6V DC
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Case: SOT23-5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5680 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
70+1.03 EUR
77+0.93 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1002M5X FIN1002M5X ONSEMI fin1002-d.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.6V DC
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Case: SOT23-5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJB102TM ONSEMI fjb102-d.pdf FJB102TM NPN SMD Darlington transistors
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.67 EUR
89+0.81 EUR
94+0.76 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJI5603DTU ONSEMI fji5603d-d.pdf FJI5603DTU NPN THT transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.23 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJL6920TU FJL6920TU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BABC4D59793251BF&compId=FJL6920TU-dte.pdf?ci_sign=105fb13075b7264a844b1326e208dd1589b973c5 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 20A; 200W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 800V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 5.5...8.5
Collector current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.81 EUR
12+6.44 EUR
13+5.56 EUR
25+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672 fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf
FDS3672
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2456 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
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76+0.94 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7
FDS4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
123+0.58 EUR
153+0.47 EUR
168+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC80D368C76259&compId=FDS4465.pdf?ci_sign=0ccb8af7e225282a329af0618515c2832bcb5946
FDS4465
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -13.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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10+7.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470 description fds4470-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
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32+2.27 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4480 fds4480-d.pdf
FDS4480
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2328 Stücke:
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Anzahl Preis
63+1.14 EUR
72+1.01 EUR
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100+0.8 EUR
500+0.76 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672A fds4672a-d.pdf
FDS4672A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2160 Stücke:
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46+1.56 EUR
74+0.97 EUR
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Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675 fds4675-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS4675 SMD P channel transistors
auf Bestellung 460 Stücke:
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Anzahl Preis
40+1.79 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa
FDS4685
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 756 Stücke:
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59+1.22 EUR
70+1.03 EUR
85+0.84 EUR
91+0.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A.pdf
FDS4935A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
67+1.08 EUR
89+0.81 EUR
101+0.71 EUR
250+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de
FDS4935BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4702 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
89+0.81 EUR
106+0.68 EUR
123+0.58 EUR
141+0.51 EUR
250+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351 fds5351-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS5351 SMD N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
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44+1.63 EUR
92+0.77 EUR
1000+0.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6375 fds6375-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ description FDS6673BZ.pdf
FDS6673BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
73+0.99 EUR
81+0.89 EUR
100+0.74 EUR
250+0.66 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450
FDS6675BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
123+0.58 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ FDS6679AZ.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
68+1.07 EUR
82+0.88 EUR
95+0.76 EUR
109+0.66 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A.pdf
FDS6680A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
87+0.82 EUR
99+0.73 EUR
110+0.65 EUR
122+0.59 EUR
250+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681Z FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS6681Z SMD P channel transistors
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6690A SMD N channel transistors
auf Bestellung 2196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
243+0.29 EUR
258+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466
FDS6898A
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
69+1.04 EUR
75+0.95 EUR
93+0.78 EUR
101+0.71 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A FDS6912A-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDS6912A Multi channel transistors
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.46 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8447 description fds8447-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
61+1.17 EUR
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884 FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS8884 SMD N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.85 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141 fds89141-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.85 EUR
29+2.55 EUR
30+2.4 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE714315B04C259&compId=FDS89161.pdf?ci_sign=84ea0d10f63123768be2a5a09d915664e90b6920
FDS89161
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
54+1.33 EUR
55+1.3 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805
FDS8949
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
63+1.15 EUR
72+1 EUR
125+0.57 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b
FDS9435A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
99+0.72 EUR
133+0.54 EUR
152+0.47 EUR
250+0.4 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926A FDS9926A.pdf
FDS9926A
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
125+0.57 EUR
141+0.51 EUR
184+0.39 EUR
204+0.35 EUR
250+0.31 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
fds9945 FDS9945-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS9945 Multi channel transistors
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
94+0.76 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9958 fds9958-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS9958 Multi channel transistors
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.05 EUR
143+0.5 EUR
151+0.48 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT3612 fdt3612-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458P fdt458p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
auf Bestellung 3074 Stücke:
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Anzahl Preis
62+1.16 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZ fdt86113lz-d.pdf
FDT86113LZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 189mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
70+1.03 EUR
79+0.91 EUR
102+0.7 EUR
113+0.63 EUR
250+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0893DB4B55F1A303005056AB0C4F&compId=FDV301N.pdf?ci_sign=90bbeb0cb17ed9600b2d86a0dc13bb46d18c3438
FDV301N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18086 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
736+0.097 EUR
910+0.079 EUR
1454+0.049 EUR
1713+0.042 EUR
2253+0.032 EUR
2464+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85
FDV303N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
472+0.15 EUR
671+0.11 EUR
779+0.092 EUR
1051+0.068 EUR
1166+0.061 EUR
1500+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304P FDV304P.pdf
FDV304P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
715+0.1 EUR
981+0.073 EUR
1232+0.058 EUR
1352+0.053 EUR
1603+0.045 EUR
1701+0.042 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 715
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV305N FDV305N-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDV305N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
893+0.08 EUR
944+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDY300NZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA13337BF8E259&compId=FDY300NZ.pdf?ci_sign=d6800381c05a0dbb9b65d0a6ad7cb736978460e9
FDY300NZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.6A; 0.625W; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 0.6A
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.25Ω
Power dissipation: 0.625W
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
159+0.45 EUR
178+0.4 EUR
200+0.36 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSH40120ADN-F085 ffsh40120adn-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+35.61 EUR
4+21.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSH4065ADN-F155 ffsh4065adn-f155-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.73 EUR
7+10.7 EUR
8+10.12 EUR
900+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMD FGA60N65SMD-DTE.pdf
FGA60N65SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.56 EUR
12+6.23 EUR
14+5.42 EUR
30+4.35 EUR
120+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3040G2-F085 fgi3040g2_f085-d.pdf
FGB3040G2-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.25 EUR
25+2.92 EUR
100+2.72 EUR
250+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB40T65SPD-F085 fgb40t65spd-f085-d.pdf
FGB40T65SPD-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.98 EUR
14+5.22 EUR
16+4.7 EUR
25+3.99 EUR
100+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3245G2-F085 fgd3245g2-f085-d.pdf
FGD3245G2-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
27+2.75 EUR
30+2.43 EUR
35+2.09 EUR
50+1.86 EUR
100+1.66 EUR
250+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD5T120SH fgd5t120sh-d.pdf
FGD5T120SH
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
46+1.56 EUR
100+1.14 EUR
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFD.pdf
FGH40N60SFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.19 EUR
17+4.43 EUR
30+3.42 EUR
90+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD FGH40N60SMD.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.28 EUR
15+5.02 EUR
17+4.42 EUR
30+3.66 EUR
120+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.05 EUR
25+2.86 EUR
30+2.57 EUR
120+2.39 EUR
450+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab
FGH40T120SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.85 EUR
10+8.97 EUR
30+8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD-F155 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD.PDF
FGH50T65SQD-F155
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.95 EUR
17+4.45 EUR
19+3.93 EUR
30+3.55 EUR
120+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD FGH60N60SMD.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.18 EUR
13+5.86 EUR
30+4.66 EUR
120+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085 fgy160t65spd-f085-d.pdf
FGY160T65SPD-F085
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.84 EUR
10+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY75T120SQDN fgy75t120sqdn-d.pdf
FGY75T120SQDN
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 399nC
Power dissipation: 395W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.56 EUR
10+12.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1001M5X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196CD128D1B6259&compId=FIN1001.pdf?ci_sign=53b6431c1dea3dff1562add3767cb12df05d7f35
FIN1001M5X
Hersteller: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.6V DC
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Case: SOT23-5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5680 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
70+1.03 EUR
77+0.93 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1002M5X fin1002-d.pdf
FIN1002M5X
Hersteller: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.6V DC
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Case: SOT23-5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJB102TM fjb102-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.67 EUR
89+0.81 EUR
94+0.76 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJI5603DTU fji5603d-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FJI5603DTU NPN THT transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
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Anzahl Preis
32+2.23 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJL6920TU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BABC4D59793251BF&compId=FJL6920TU-dte.pdf?ci_sign=105fb13075b7264a844b1326e208dd1589b973c5
FJL6920TU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 20A; 200W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 800V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 5.5...8.5
Collector current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.81 EUR
12+6.44 EUR
13+5.56 EUR
25+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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