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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 ONSEMI fdh047an08a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
23+3.15 EUR
50+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDP060AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
19+3.76 EUR
50+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780826848070A6259&compId=FDP075N15A-F102.pdf?ci_sign=9e1a841a590a184f17491d5da0fd011fb1b831c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 92A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 333W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.13 EUR
20+3.72 EUR
50+3.29 EUR
100+2.95 EUR
250+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI fdp083n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.68 EUR
15+4.78 EUR
18+4.19 EUR
50+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP18N50 FDP18N50 ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.43 EUR
25+2.86 EUR
31+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N FDP22N50N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDP2532 THT N channel transistors
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.89 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2614 ONSEMI fdp2614-d.pdf FDP2614 THT N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.31 EUR
17+4.33 EUR
18+4.09 EUR
250+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP33N25 ONSEMI fdp33n25-d.pdf FDP33N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.5 EUR
44+1.64 EUR
46+1.56 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3632 FDP3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.72 EUR
20+3.62 EUR
26+2.77 EUR
50+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP42AN15A0 FDP42AN15A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE927EA0BAB4259&compId=FDP42AN15A0.pdf?ci_sign=5d81b96fc7857dceb89bd617b8a3b0fff3a3e3ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.15 EUR
28+2.57 EUR
32+2.29 EUR
50+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf FDP51N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
33+2.22 EUR
35+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP52N20 ONSEMI FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf FDP52N20 THT N channel transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.29 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
250+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
36+2.03 EUR
40+1.79 EUR
50+1.62 EUR
250+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
40+1.83 EUR
50+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50 FDPF18N50 ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.19 EUR
27+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50T FDPF18N50T ONSEMI FDPF18N50T-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.29 EUR
23+3.19 EUR
27+2.75 EUR
50+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT FDPF20N50FT ONSEMI FDPF20N50FT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.48 EUR
23+3.25 EUR
26+2.76 EUR
28+2.59 EUR
50+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T FDPF20N50T ONSEMI fdpf20n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.35 EUR
19+3.96 EUR
21+3.53 EUR
50+2.99 EUR
100+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.74 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
50+5 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF390N15A FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 60A; 22W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.92 EUR
42+1.72 EUR
50+1.46 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf FDPF51N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.29 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF55N06 FDPF55N06 ONSEMI fdpf55n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.6 EUR
30+2.39 EUR
50+1.56 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2572 ONSEMI FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
250+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582 ONSEMI fds2582-d.pdf FDS2582 SMD N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.97 EUR
79+0.92 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734 ONSEMI fds2734-d.pdf FDS2734 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.17 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3590 ONSEMI fds3590-d.pdf FDS3590 SMD N channel transistors
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.55 EUR
108+0.66 EUR
114+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672 FDS3672 ONSEMI fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2456 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
61+1.17 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
250+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
123+0.58 EUR
153+0.47 EUR
168+0.43 EUR
250+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465 FDS4465 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC80D368C76259&compId=FDS4465.pdf?ci_sign=0ccb8af7e225282a329af0618515c2832bcb5946 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -13.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf description FDS4470 SMD N channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.27 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4480 FDS4480 ONSEMI fds4480-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2328 Stücke:
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63+1.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672A FDS4672A ONSEMI fds4672a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675 ONSEMI fds4675-d.pdf FDS4675 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685 FDS4685 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A ONSEMI FDS4935A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZ FDS4935BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDS5351 ONSEMI fds5351-d.pdf FDS5351 SMD N channel transistors
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FDS6375 ONSEMI fds6375-d.pdf FDS6375 SMD P channel transistors
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FDS6673BZ FDS6673BZ ONSEMI FDS6673BZ.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
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68+1.07 EUR
82+0.88 EUR
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500+0.61 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1577 Stücke:
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250+0.57 EUR
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FDS6681Z ONSEMI FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6681Z SMD P channel transistors
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5000+1.12 EUR
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FDS6690A ONSEMI fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf FDS6690A SMD N channel transistors
auf Bestellung 2196 Stücke:
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96+0.75 EUR
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258+0.28 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898A FDS6898A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2030 Stücke:
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57+1.26 EUR
69+1.04 EUR
75+0.95 EUR
93+0.78 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A ONSEMI FDS6912A-D.PDF FDS6912A Multi channel transistors
auf Bestellung 1738 Stücke:
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140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8447 ONSEMI fds8447-d.pdf description FDS8447 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1600 Stücke:
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45+1.62 EUR
61+1.17 EUR
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 ONSEMI FDS8880-D.PDF FDS8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 297 Stücke:
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74+0.97 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884 ONSEMI FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8884 SMD N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
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85+0.85 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141 ONSEMI fds89141-d.pdf FDS89141 Multi channel transistors
auf Bestellung 1938 Stücke:
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26+2.85 EUR
29+2.55 EUR
30+2.4 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161 ONSEMI fds89161-d.pdf FDS89161 Multi channel transistors
auf Bestellung 2192 Stücke:
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52+1.39 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 FDS8949 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
63+1.15 EUR
72+1 EUR
125+0.57 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A FDS9435A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
99+0.72 EUR
133+0.54 EUR
152+0.47 EUR
250+0.4 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926A FDS9926A ONSEMI FDS9926A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
125+0.57 EUR
141+0.51 EUR
184+0.39 EUR
204+0.35 EUR
250+0.31 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
fds9945 ONSEMI FDS9945-D.pdf FDS9945 Multi channel transistors
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
94+0.76 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9958 ONSEMI fds9958-d.pdf FDS9958 Multi channel transistors
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.05 EUR
143+0.5 EUR
151+0.48 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT1600N10ALZ ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT3612 ONSEMI fdt3612-d.pdf FDT3612 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458P ONSEMI fdt458p-d.pdf FDT458P SMD P channel transistors
auf Bestellung 3074 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047AN08A0 fdh047an08a0-d.pdf
FDP047AN08A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
23+3.15 EUR
50+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
19+3.76 EUR
50+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP075N15A-F102 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780826848070A6259&compId=FDP075N15A-F102.pdf?ci_sign=9e1a841a590a184f17491d5da0fd011fb1b831c2
FDP075N15A-F102
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 92A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 333W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.13 EUR
20+3.72 EUR
50+3.29 EUR
100+2.95 EUR
250+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP083N15A-F102 fdp083n15a-d.pdf
FDP083N15A-F102
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.68 EUR
15+4.78 EUR
18+4.19 EUR
50+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP18N50 FDP18N50.pdf
FDP18N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7
FDP22N50N
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2532 FDP2532-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDP2532 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2614 fdp2614-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP33N25 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDP3632
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP42AN15A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE927EA0BAB4259&compId=FDP42AN15A0.pdf?ci_sign=5d81b96fc7857dceb89bd617b8a3b0fff3a3e3ba
FDP42AN15A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP51N25 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP52N20 FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP52N20 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0
FDPF12N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
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auf Bestellung 167 Stücke:
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Anzahl Preis
26+2.77 EUR
40+1.83 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50 FDP18N50.pdf
FDPF18N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
27+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50T FDPF18N50T-D.PDF
FDPF18N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.29 EUR
23+3.19 EUR
27+2.75 EUR
50+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT FDPF20N50FT.pdf
FDPF20N50FT
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
23+3.25 EUR
26+2.76 EUR
28+2.59 EUR
50+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
19+3.96 EUR
21+3.53 EUR
50+2.99 EUR
100+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
FDPF2D3N10C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.74 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
50+5 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
FDPF390N15A
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 60A; 22W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
42+1.72 EUR
50+1.46 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF51N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.29 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF55N06 fdpf55n06-d.pdf
FDPF55N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.6 EUR
30+2.39 EUR
50+1.56 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
250+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582 fds2582-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS2582 SMD N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
79+0.92 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734 fds2734-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS2734 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.17 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3590 fds3590-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS3590 SMD N channel transistors
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.55 EUR
108+0.66 EUR
114+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672 fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf
FDS3672
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2456 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
61+1.17 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
250+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7
FDS4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
123+0.58 EUR
153+0.47 EUR
168+0.43 EUR
250+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC80D368C76259&compId=FDS4465.pdf?ci_sign=0ccb8af7e225282a329af0618515c2832bcb5946
FDS4465
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -13.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470 description fds4470-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.27 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4480 fds4480-d.pdf
FDS4480
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
72+1.01 EUR
81+0.89 EUR
100+0.8 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672A fds4672a-d.pdf
FDS4672A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
74+0.97 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675 fds4675-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS4675 SMD P channel transistors
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa
FDS4685
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
70+1.03 EUR
85+0.84 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A.pdf
FDS4935A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
67+1.08 EUR
89+0.81 EUR
101+0.71 EUR
250+0.65 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de
FDS4935BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4702 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
89+0.81 EUR
106+0.68 EUR
123+0.58 EUR
141+0.51 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351 fds5351-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS5351 SMD N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
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44+1.63 EUR
92+0.77 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6375 fds6375-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ description FDS6673BZ.pdf
FDS6673BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
73+0.99 EUR
81+0.89 EUR
100+0.74 EUR
250+0.66 EUR
500+0.65 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450
FDS6675BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
123+0.58 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ FDS6679AZ.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
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Anzahl Preis
50+1.46 EUR
68+1.07 EUR
82+0.88 EUR
95+0.76 EUR
109+0.66 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A FDS6680A.pdf
FDS6680A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
87+0.82 EUR
99+0.73 EUR
110+0.65 EUR
122+0.59 EUR
250+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681Z FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS6681Z SMD P channel transistors
auf Bestellung 1272 Stücke:
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Anzahl Preis
30+2.42 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6690A SMD N channel transistors
auf Bestellung 2196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
243+0.29 EUR
258+0.28 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466
FDS6898A
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
69+1.04 EUR
75+0.95 EUR
93+0.78 EUR
101+0.71 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A FDS6912A-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDS6912A Multi channel transistors
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.46 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8447 description fds8447-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
61+1.17 EUR
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FDS8880-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884 FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS8884 SMD N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.85 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141 fds89141-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.85 EUR
29+2.55 EUR
30+2.4 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161 fds89161-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS89161 Multi channel transistors
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805
FDS8949
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
63+1.15 EUR
72+1 EUR
125+0.57 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b
FDS9435A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
99+0.72 EUR
133+0.54 EUR
152+0.47 EUR
250+0.4 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926A FDS9926A.pdf
FDS9926A
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
125+0.57 EUR
141+0.51 EUR
184+0.39 EUR
204+0.35 EUR
250+0.31 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
fds9945 FDS9945-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS9945 Multi channel transistors
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
94+0.76 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9958 fds9958-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS9958 Multi channel transistors
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.05 EUR
143+0.5 EUR
151+0.48 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT3612 fdt3612-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458P fdt458p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
auf Bestellung 3074 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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