Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDBL0630N150 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 169A Power dissipation: 500W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDBL86062-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDBL86063 | ONSEMI | FDBL86063 SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDBL86063-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDBL86066-F085 | ONSEMI |
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FDBL86210-F085 | ONSEMI |
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FDBL86361-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDBL86363-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDBL86366-F085 | ONSEMI |
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FDBL86561-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDBL86563-F085 | ONSEMI |
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FDBL86566-F085 | ONSEMI |
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FDBL9401-F085T6 | ONSEMI |
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FDBL9403-F085T6 | ONSEMI |
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FDBL9406-F085T6 | ONSEMI |
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FDC2612 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6 Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 200V Drain current: 1.1A On-state resistance: 1.43Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC3512 | ONSEMI |
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FDC3601N | ONSEMI |
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FDC3612 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDC5614P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3488 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC5661N | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDC5661N-F085 | ONSEMI |
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FDC602P | ONSEMI |
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FDC604P | ONSEMI |
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auf Bestellung 1979 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC606P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -12V Drain current: -6A On-state resistance: 53mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC608PZ | ONSEMI |
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auf Bestellung 3017 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC610PZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6 On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1826 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC6301N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.9W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC6303N | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDC6305N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 128mΩ Gate charge: 5nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.7A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1295 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC6310P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6 On-state resistance: 184mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
FDC6312P | ONSEMI |
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auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC6318P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.5A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2852 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC6320C | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDC6321C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 0.68/-0.46A On-state resistance: 720/1220mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 2.3/1.5nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1445 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC6323L | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDC6324L | ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 Type of integrated circuit: power switch Output current: 1.5A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Supply voltage: 3...20V DC Kind of integrated circuit: high-side Kind of package: reel; tape Control voltage: 1.5...8V DC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC6326L | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDC6327C | ONSEMI |
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auf Bestellung 2311 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC6329L | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDC6330L | ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 Type of integrated circuit: power switch Output current: 2.3A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 0.125Ω Supply voltage: 3...20V DC Kind of integrated circuit: high-side Kind of package: reel; tape Control voltage: 1.5...8V DC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2598 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC6331L | ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2.8A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 0.1Ω Kind of package: reel; tape Supply voltage: -8...8V DC Control voltage: -0.5...8V DC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1675 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC6333C | ONSEMI |
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auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC634P | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDC637AN | ONSEMI |
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auf Bestellung 2279 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC637BNZ | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDC638APZ | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDC638P | ONSEMI |
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auf Bestellung 1358 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC6401N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 106mΩ Gate charge: 4.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 3A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2549 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC640P | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDC6420C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3/-2.2A Power dissipation: 0.9W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70/125mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1728 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC642P | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDC645N | ONSEMI |
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auf Bestellung 1601 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC653N | ONSEMI |
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auf Bestellung 1949 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC654P | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDC655BN | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDC6561AN | ONSEMI |
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auf Bestellung 1872 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC658AP | ONSEMI |
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auf Bestellung 2240 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC658P | ONSEMI |
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auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDC855N | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
FDBL0630N150 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
Power dissipation: 500W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
Power dissipation: 500W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL86062-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL86062-F085 SMD N channel transistors
FDBL86062-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL86063 |
Hersteller: ONSEMI
FDBL86063 SMD N channel transistors
FDBL86063 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL86063-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL86063-F085 SMD N channel transistors
FDBL86063-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL86066-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL86066-F085 SMD N channel transistors
FDBL86066-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL86210-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL86210-F085 SMD N channel transistors
FDBL86210-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL86361-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL86363-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL86366-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL86561-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL86561-F085 SMD N channel transistors
FDBL86561-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL86563-F085 |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL86563-F085 SMD N channel transistors
FDBL86563-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL86566-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL86566-F085 SMD N channel transistors
FDBL86566-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL9401-F085T6 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL9401-F085T6 SMD N channel transistors
FDBL9401-F085T6 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL9403-F085T6 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL9403-F085T6 SMD N channel transistors
FDBL9403-F085T6 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDBL9406-F085T6 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDBL9406-F085T6 SMD N channel transistors
FDBL9406-F085T6 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC2612 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 1.13 EUR |
94+ | 0.76 EUR |
152+ | 0.47 EUR |
161+ | 0.45 EUR |
500+ | 0.43 EUR |
FDC3512 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC3512 SMD N channel transistors
FDC3512 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC3601N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC3601N Multi channel transistors
FDC3601N Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC3612 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC3612 SMD N channel transistors
FDC3612 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC5614P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
82+ | 0.87 EUR |
106+ | 0.68 EUR |
140+ | 0.51 EUR |
214+ | 0.33 EUR |
227+ | 0.32 EUR |
750+ | 0.31 EUR |
1000+ | 0.30 EUR |
FDC5661N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC5661N SMD N channel transistors
FDC5661N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC5661N-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC5661N-F085 SMD N channel transistors
FDC5661N-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC602P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC602P SMD P channel transistors
FDC602P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC604P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC604P SMD P channel transistors
FDC604P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
97+ | 0.74 EUR |
234+ | 0.31 EUR |
247+ | 0.29 EUR |
9000+ | 0.28 EUR |
FDC606P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.34 EUR |
78+ | 0.92 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
500+ | 0.56 EUR |
FDC608PZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC608PZ SMD P channel transistors
FDC608PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 3017 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.72 EUR |
237+ | 0.30 EUR |
250+ | 0.29 EUR |
1500+ | 0.28 EUR |
FDC610PZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1826 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
122+ | 0.59 EUR |
160+ | 0.45 EUR |
236+ | 0.30 EUR |
249+ | 0.29 EUR |
252+ | 0.28 EUR |
FDC6301N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
112+ | 0.64 EUR |
156+ | 0.46 EUR |
206+ | 0.34 EUR |
245+ | 0.29 EUR |
1000+ | 0.18 EUR |
FDC6303N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC6303N Multi channel transistors
FDC6303N Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC6305N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 128mΩ
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 128mΩ
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
82+ | 0.87 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
205+ | 0.35 EUR |
217+ | 0.33 EUR |
3000+ | 0.32 EUR |
FDC6310P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
On-state resistance: 184mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
On-state resistance: 184mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC6312P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC6312P Multi channel transistors
FDC6312P Multi channel transistors
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
89+ | 0.81 EUR |
119+ | 0.60 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
1000+ | 0.33 EUR |
FDC6318P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
79+ | 0.91 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
123+ | 0.58 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
250+ | 0.54 EUR |
500+ | 0.53 EUR |
FDC6320C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC6320C Multi channel transistors
FDC6320C Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC6321C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
77+ | 0.93 EUR |
134+ | 0.53 EUR |
151+ | 0.47 EUR |
200+ | 0.36 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
500+ | 0.33 EUR |
FDC6323L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC6323L Power switches - integrated circuits
FDC6323L Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC6324L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.37 EUR |
85+ | 0.85 EUR |
103+ | 0.70 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
FDC6326L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC6326L Power switches - integrated circuits
FDC6326L Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC6327C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC6327C Multi channel transistors
FDC6327C Multi channel transistors
auf Bestellung 2311 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 1.15 EUR |
250+ | 0.29 EUR |
265+ | 0.27 EUR |
FDC6329L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC6329L Power switches - integrated circuits
FDC6329L Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC6330L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.125Ω
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.125Ω
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.34 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
FDC6331L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
79+ | 0.91 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
159+ | 0.45 EUR |
168+ | 0.43 EUR |
FDC6333C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC6333C Multi channel transistors
FDC6333C Multi channel transistors
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
87+ | 0.83 EUR |
247+ | 0.29 EUR |
3000+ | 0.26 EUR |
FDC634P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC634P SMD P channel transistors
FDC634P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC637AN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC637AN SMD N channel transistors
FDC637AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
68+ | 1.06 EUR |
137+ | 0.52 EUR |
145+ | 0.49 EUR |
500+ | 0.47 EUR |
FDC637BNZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC637BNZ SMD N channel transistors
FDC637BNZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC638APZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC638APZ SMD P channel transistors
FDC638APZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC638P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC638P SMD P channel transistors
FDC638P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
87+ | 0.83 EUR |
219+ | 0.33 EUR |
231+ | 0.31 EUR |
3000+ | 0.30 EUR |
FDC6401N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2549 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 1.14 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
169+ | 0.42 EUR |
179+ | 0.40 EUR |
1000+ | 0.38 EUR |
FDC640P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC640P SMD P channel transistors
FDC640P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC6420C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 1.14 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
184+ | 0.39 EUR |
195+ | 0.37 EUR |
1000+ | 0.35 EUR |
FDC642P |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC642P SMD P channel transistors
FDC642P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC645N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC645N SMD N channel transistors
FDC645N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
78+ | 0.92 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
186+ | 0.39 EUR |
1000+ | 0.37 EUR |
FDC653N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC653N SMD N channel transistors
FDC653N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
126+ | 0.57 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
184+ | 0.39 EUR |
FDC654P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC654P SMD P channel transistors
FDC654P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC655BN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC655BN SMD N channel transistors
FDC655BN SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDC6561AN |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC6561AN Multi channel transistors
FDC6561AN Multi channel transistors
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
86+ | 0.83 EUR |
212+ | 0.34 EUR |
225+ | 0.32 EUR |
1000+ | 0.31 EUR |
FDC658AP |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC658AP SMD P channel transistors
FDC658AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
95+ | 0.76 EUR |
206+ | 0.35 EUR |
219+ | 0.33 EUR |
FDC658P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC658P SMD P channel transistors
FDC658P SMD P channel transistors
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
80+ | 0.89 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
3000+ | 0.33 EUR |
FDC855N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDC855N SMD N channel transistors
FDC855N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH