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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDD4243 ONSEMI ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD4243 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
250+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685 ONSEMI fdd4685-d.pdf FDD4685 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353 FDD5353 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 20.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
41+1.76 EUR
45+1.6 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
45+1.6 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
21+3.4 EUR
25+2.86 EUR
57+1.26 EUR
100+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N20TM FDD7N20TM ONSEMI fdd7n20tm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
81+0.89 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445 FDD8445 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE87F32A0E9E28&compId=FDD8445.pdf?ci_sign=76fd8828378ae233a76887cf525f0e22474174a1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
81+0.88 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L FDD8447L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
83+0.87 EUR
91+0.79 EUR
106+0.68 EUR
119+0.6 EUR
133+0.54 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8451 ONSEMI FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf FDD8451 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.1 EUR
103+0.7 EUR
109+0.66 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD850N10L FDD850N10L ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
55+1.3 EUR
62+1.17 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZ ONSEMI fdd86102lz-d.pdf FDD86102LZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250 FDD86250 ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 164A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
250+1.6 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252 ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
59+1.22 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367 FDD86367 ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.87 EUR
43+1.7 EUR
45+1.62 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8647L ONSEMI fdd8647l-d.pdf FDD8647L SMD N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
63+1.13 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8876 ONSEMI FDD%2CFDU8876.pdf FDD8876 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8880 ONSEMI FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.45 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896 FDD8896 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEA292F17CBE28&compId=FDD%2CFDU8896.pdf?ci_sign=e5d32e9da7e23b5cc474f425424b98e6ad294062 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
56+1.28 EUR
98+0.73 EUR
104+0.69 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N FDG6303N ONSEMI fdg6303n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.3nC
Technology: DMOS
Pulsed drain current: 1.3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
131+0.55 EUR
164+0.44 EUR
207+0.35 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P FDG6304P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEBE8A9C78DE28&compId=FDG6304P.pdf?ci_sign=ee98354042b808fb4f3e420220baaaae53e983eb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Gate charge: 1.5nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 1.9Ω
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
110+0.65 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6335N FDG6335N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Drain current: 0.7A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
111+0.65 EUR
143+0.5 EUR
230+0.31 EUR
243+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH055N15A ONSEMI fdh055n15a-d.pdf FDH055N15A THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.78 EUR
11+6.79 EUR
12+6.42 EUR
30+6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH300A ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDH300A-ONS THT universal diodes
auf Bestellung 3690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
405+0.18 EUR
1613+0.044 EUR
1707+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 405
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH300ATR ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDH300ATR THT universal diodes
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
447+0.16 EUR
1894+0.038 EUR
2000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH333 ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDH333 THT universal diodes
auf Bestellung 2724 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
320+0.22 EUR
1211+0.059 EUR
1283+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 320
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH44N50 FDH44N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF27B2F908FE28&compId=FDH44N50.pdf?ci_sign=f34f5aca0814e064482869ac42475d184cc1b75f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.9 EUR
9+8.18 EUR
120+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH45N50F-F133 FDH45N50F-F133 ONSEMI fdh45n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.74 EUR
13+5.58 EUR
30+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDL100N50F FDL100N50F ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF2A0648539E28&compId=FDL100N50F.pdf?ci_sign=e15a30c5b9381050fdc1b844e6f4baecd1f27c0b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.5kW
Drain-source voltage: 500V
Gate charge: 238nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Case: TO264
On-state resistance: 55mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.32 EUR
5+17.79 EUR
10+17.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL300A ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDLL300A SMD universal diodes
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
480+0.15 EUR
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FDLL3595 ONSEMI fdll3595-d.pdf FDLL3595 SMD universal diodes
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FDLL4148 FDLL4148 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CF5A650B2BAE0C7&compId=1N91x_1N4x48.PDF?ci_sign=a4258b07e70007c6a3a8c603a8d2c85f44ec76b5 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4448 FDLL4448 ONSEMI 1n914-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMA1032CZ ONSEMI fdma1032cz-d.pdf FDMA1032CZ Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZ FDMA530PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF3E5A95A3FE28&compId=FDMA530PZ.pdf?ci_sign=f3fd816d723e2dd2ce3e34a8e797ac5796a972af Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.8A; 2.4W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
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6+11.91 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZT ONSEMI fdma6023pzt-d.pdf FAIRS29209-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMA6023PZT Multi channel transistors
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95+0.76 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF488B6BEB5E28&compId=FDMC4435BZ.pdf?ci_sign=66fb5574c0fda6b71c527f5b1fbafbb764fb341a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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49+1.47 EUR
59+1.23 EUR
66+1.1 EUR
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500+0.67 EUR
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FDMC7660 FDMC7660 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF4D36B10D5E28&compId=FDMC7660.pdf?ci_sign=a3f8e3c0e8cc9f77dae828e356702cd2412e3b82 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7692 FDMC7692 ONSEMI fdmc7692-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2948 Stücke:
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74+0.97 EUR
90+0.8 EUR
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FDMC86139P ONSEMI fdmc86139p-d.pdf FDMC86139P SMD P channel transistors
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35+2.04 EUR
82+0.87 EUR
87+0.83 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2595 Stücke:
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48+1.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZ FDMS4435BZ ONSEMI FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
70+1.03 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L ONSEMI fdms8333l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
82+0.87 EUR
93+0.77 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.85 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
500+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.13 EUR
29+2.5 EUR
33+2.17 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.59 EUR
34+2.13 EUR
38+1.9 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20 ONSEMI fdn028n20-d.pdf FDN028N20 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
113+0.63 EUR
262+0.27 EUR
277+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P FDN302P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7F8CFD145E28&compId=FDN302P.pdf?ci_sign=a191bb28b9401e300ad30df3fd6e3e98f6c3ba9a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 14nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
143+0.5 EUR
161+0.45 EUR
220+0.33 EUR
336+0.21 EUR
355+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P ONSEMI FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN304P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8282E7B85E28&compId=FDN304PZ.pdf?ci_sign=45aa981ab3dabd156020d9713f675f0c2170746e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 20nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
110+0.65 EUR
213+0.34 EUR
226+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P FDN306P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
201+0.36 EUR
268+0.27 EUR
400+0.18 EUR
424+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N FDN327N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF875E74E87E28&compId=FDN327N.pdf?ci_sign=647dba67650dcc6217d7c8ab71a22b7dc59b804a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
177+0.41 EUR
208+0.34 EUR
300+0.24 EUR
360+0.2 EUR
379+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N ONSEMI FDN335N-D.PDF FDN335N SMD N channel transistors
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
108+0.67 EUR
305+0.23 EUR
323+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P FDN336P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8966AA767E28&compId=FDN336P.pdf?ci_sign=dbaac57b5f8c89495e861ac0e2889b9934955f9b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
152+0.47 EUR
208+0.34 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 117
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FDN337N FDN337N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C7529A2A5273D3&compId=FDN337N.pdf?ci_sign=df521a793e16e8ed1a6c2a17771c76ddab901570 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3091 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
234+0.31 EUR
300+0.24 EUR
332+0.22 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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FDN338P FDN338P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.2nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN FDN339AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89D2CB46652DE27&compId=FDN339AN-DTE.pdf?ci_sign=f5d832f4a40e72ad20afc888fbfd2c2e4f73c350 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P ONSEMI fdn340p-d.pdf FDN340P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352AP FDN352AP ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7A9B35810259&compId=FDN352AP.pdf?ci_sign=4d0ad261905347ec67d1219e0f9d940ccd88100a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.9nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4243 ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDD4243 SMD P channel transistors
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Anzahl Preis
62+1.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685 fdd4685-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD4685 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc
FDD5353
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 20.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1758 Stücke:
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36+1.99 EUR
41+1.76 EUR
45+1.6 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2413 Stücke:
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Anzahl Preis
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
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250+0.71 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595
FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2554 Stücke:
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Anzahl Preis
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
45+1.6 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
21+3.4 EUR
25+2.86 EUR
57+1.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N20TM fdd7n20tm-d.pdf
FDD7N20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
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Anzahl Preis
60+1.2 EUR
81+0.89 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE87F32A0E9E28&compId=FDD8445.pdf?ci_sign=76fd8828378ae233a76887cf525f0e22474174a1
FDD8445
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
81+0.88 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765
FDD8447L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
83+0.87 EUR
91+0.79 EUR
106+0.68 EUR
119+0.6 EUR
133+0.54 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8451 FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.1 EUR
103+0.7 EUR
109+0.66 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
FDD850N10L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
55+1.3 EUR
62+1.17 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZ fdd86102lz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD86102LZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250 fdd86250-d.pdf
FDD86250
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 164A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
250+1.6 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
59+1.22 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367 fdd86367-d.pdf
FDD86367
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.87 EUR
43+1.7 EUR
45+1.62 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8647L fdd8647l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8647L SMD N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
63+1.13 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8876 FDD%2CFDU8876.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8876 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8880 FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDD8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.45 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEA292F17CBE28&compId=FDD%2CFDU8896.pdf?ci_sign=e5d32e9da7e23b5cc474f425424b98e6ad294062
FDD8896
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
56+1.28 EUR
98+0.73 EUR
104+0.69 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N fdg6303n-d.pdf
FDG6303N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.3nC
Technology: DMOS
Pulsed drain current: 1.3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
131+0.55 EUR
164+0.44 EUR
207+0.35 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEBE8A9C78DE28&compId=FDG6304P.pdf?ci_sign=ee98354042b808fb4f3e420220baaaae53e983eb
FDG6304P
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Gate charge: 1.5nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 1.9Ω
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
110+0.65 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6335N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06
FDG6335N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Drain current: 0.7A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
111+0.65 EUR
143+0.5 EUR
230+0.31 EUR
243+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH055N15A fdh055n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDH055N15A THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.78 EUR
11+6.79 EUR
12+6.42 EUR
30+6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH300A ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDH300A-ONS THT universal diodes
auf Bestellung 3690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
405+0.18 EUR
1613+0.044 EUR
1707+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 405
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH300ATR ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDH300ATR THT universal diodes
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
447+0.16 EUR
1894+0.038 EUR
2000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH333 ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDH333 THT universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH44N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF27B2F908FE28&compId=FDH44N50.pdf?ci_sign=f34f5aca0814e064482869ac42475d184cc1b75f
FDH44N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH45N50F-F133 fdh45n50f-d.pdf
FDH45N50F-F133
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
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13+5.58 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDL100N50F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF2A0648539E28&compId=FDL100N50F.pdf?ci_sign=e15a30c5b9381050fdc1b844e6f4baecd1f27c0b
FDL100N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.5kW
Drain-source voltage: 500V
Gate charge: 238nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Case: TO264
On-state resistance: 55mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL300A ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDLL300A SMD universal diodes
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480+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL3595 fdll3595-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDLL3595 SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4148 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CF5A650B2BAE0C7&compId=1N91x_1N4x48.PDF?ci_sign=a4258b07e70007c6a3a8c603a8d2c85f44ec76b5
FDLL4148
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4448 1n914-d.pdf
FDLL4448
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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584+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZ fdma1032cz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMA1032CZ Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
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134+0.53 EUR
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216+0.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF3E5A95A3FE28&compId=FDMA530PZ.pdf?ci_sign=f3fd816d723e2dd2ce3e34a8e797ac5796a972af
FDMA530PZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.8A; 2.4W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
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Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
27+2.65 EUR
74+0.97 EUR
250+0.58 EUR
500+0.57 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZT fdma6023pzt-d.pdf FAIRS29209-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMA6023PZT Multi channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
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Anzahl Preis
54+1.33 EUR
95+0.76 EUR
500+0.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF488B6BEB5E28&compId=FDMC4435BZ.pdf?ci_sign=66fb5574c0fda6b71c527f5b1fbafbb764fb341a
FDMC4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2706 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
59+1.23 EUR
66+1.1 EUR
100+0.72 EUR
105+0.68 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF4D36B10D5E28&compId=FDMC7660.pdf?ci_sign=a3f8e3c0e8cc9f77dae828e356702cd2412e3b82
FDMC7660
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7692 fdmc7692-d.pdf
FDMC7692
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
90+0.8 EUR
103+0.7 EUR
113+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMC86139P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
82+0.87 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
40+1.79 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
250+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZ FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf
FDMS4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
70+1.03 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
82+0.87 EUR
93+0.77 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86163P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97
FDMS86163P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.85 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
500+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252L fdms86252l-d.pdf
FDMS86252L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.13 EUR
29+2.5 EUR
33+2.17 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
34+2.13 EUR
38+1.9 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20 fdn028n20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
113+0.63 EUR
262+0.27 EUR
277+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF7F8CFD145E28&compId=FDN302P.pdf?ci_sign=a191bb28b9401e300ad30df3fd6e3e98f6c3ba9a
FDN302P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 14nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
143+0.5 EUR
161+0.45 EUR
220+0.33 EUR
336+0.21 EUR
355+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDN304P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8282E7B85E28&compId=FDN304PZ.pdf?ci_sign=45aa981ab3dabd156020d9713f675f0c2170746e
FDN304PZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 20nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
110+0.65 EUR
213+0.34 EUR
226+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85
FDN306P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
201+0.36 EUR
268+0.27 EUR
400+0.18 EUR
424+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF875E74E87E28&compId=FDN327N.pdf?ci_sign=647dba67650dcc6217d7c8ab71a22b7dc59b804a
FDN327N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
177+0.41 EUR
208+0.34 EUR
300+0.24 EUR
360+0.2 EUR
379+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N FDN335N-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
108+0.67 EUR
305+0.23 EUR
323+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8966AA767E28&compId=FDN336P.pdf?ci_sign=dbaac57b5f8c89495e861ac0e2889b9934955f9b
FDN336P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
152+0.47 EUR
208+0.34 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C7529A2A5273D3&compId=FDN337N.pdf?ci_sign=df521a793e16e8ed1a6c2a17771c76ddab901570
FDN337N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3091 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
234+0.31 EUR
300+0.24 EUR
332+0.22 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf
FDN338P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.2nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
142+0.51 EUR
195+0.37 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89D2CB46652DE27&compId=FDN339AN-DTE.pdf?ci_sign=f5d832f4a40e72ad20afc888fbfd2c2e4f73c350
FDN339AN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
143+0.5 EUR
187+0.38 EUR
256+0.28 EUR
271+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P fdn340p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN340P SMD P channel transistors
auf Bestellung 3086 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
146+0.49 EUR
544+0.13 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 146
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352AP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7A9B35810259&compId=FDN352AP.pdf?ci_sign=4d0ad261905347ec67d1219e0f9d940ccd88100a
FDN352AP
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.9nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
149+0.48 EUR
197+0.36 EUR
355+0.2 EUR
376+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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