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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDN359AN FDN359AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE903C94EADA259&compId=FDN359AN.pdf?ci_sign=a80057f0f9f224c8fd968e6e92eb392f70c0472f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
138+0.52 EUR
182+0.39 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
1500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360P FDN360P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 9nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
124+0.58 EUR
140+0.51 EUR
197+0.36 EUR
231+0.31 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537N ONSEMI fdn537n-d.pdf FDN537N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.02 EUR
169+0.42 EUR
178+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9084782FDE259&compId=FDN5630.pdf?ci_sign=b509e67f7d3c5b69bed0dc6b2b0e78cdb27cad08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
165+0.43 EUR
220+0.33 EUR
358+0.2 EUR
376+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085 ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
174+0.41 EUR
183+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP038AN06A0 ONSEMI fdp038an06a0-d.pdf FDP038AN06A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.8 EUR
22+3.3 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047AN08A0 ONSEMI fdh047an08a0-d.pdf FDP047AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.72 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
100+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDP060AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
19+3.76 EUR
50+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP075N15A-F102 ONSEMI fdp075n15a-d.pdf FDP075N15A-F102 THT N channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.69 EUR
23+3.12 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI fdp083n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.12 EUR
17+4.33 EUR
18+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP18N50 FDP18N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.43 EUR
25+2.86 EUR
31+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N FDP22N50N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
15+4.76 EUR
50+2.93 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2532 FDP2532 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAEF9EF4A52251BF&compId=FDX2532-DTE.pdf?ci_sign=ca84b16cf8e55477890456458d5f303edc78ec17 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.65 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
50+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2614 ONSEMI fdp2614-d.pdf FDP2614 THT N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.31 EUR
17+4.33 EUR
18+4.09 EUR
250+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP33N25 FDP33N25 ONSEMI fdp33n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.37 EUR
36+2.02 EUR
44+1.64 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3632 FDP3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.09 EUR
24+3 EUR
26+2.85 EUR
50+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP42AN15A0 ONSEMI TO220B03_Pkg_Dwg.pdf FDP42AN15A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP51N25 FDP51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.36 EUR
28+2.6 EUR
33+2.17 EUR
35+2.1 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP52N20 FDP52N20 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE92CE32B8FA259&compId=FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf?ci_sign=9f6ce9ee9503deb9021bb393eee3bd9d4a8dfe0b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.12 EUR
37+1.96 EUR
39+1.84 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50T ONSEMI fdpf12n50t-d.pdf FDPF12N50T THT N channel transistors
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
50+1.7 EUR
100+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50 FDPF18N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50T FDPF18N50T ONSEMI FDPF18N50T-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.29 EUR
23+3.19 EUR
27+2.75 EUR
50+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT FDPF20N50FT ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9C9F026A3C259&compId=FDPF20N50FT.pdf?ci_sign=b479c7204a96e874848198195968938e0b3f4df0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.83 EUR
21+3.5 EUR
27+2.72 EUR
28+2.56 EUR
100+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T FDPF20N50T ONSEMI fdpf20n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.69 EUR
17+4.28 EUR
24+3.1 EUR
25+2.93 EUR
250+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.74 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
50+5 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf FDPF390N15A THT N channel transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.17 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF51N25 FDPF51N25 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68DF2032BEC9CCFA8&compId=FDPF51N25.pdf?ci_sign=0618070f0be784403e53d149ddfd3d92cb28a1cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 48mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 38W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.12 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
250+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF55N06 FDPF55N06 ONSEMI fdpf55n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDS2572 ONSEMI FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2572 SMD N channel transistors
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FDS2582 ONSEMI fds2582-d.pdf FDS2582 SMD N channel transistors
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FDS2734 ONSEMI fds2734-d.pdf FDS2734 SMD N channel transistors
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FDS3590 ONSEMI fds3590-d.pdf FDS3590 SMD N channel transistors
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FDS3672 ONSEMI fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf FDS3672 SMD N channel transistors
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FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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FDS4465 FDS4465 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC80D368C76259&compId=FDS4465.pdf?ci_sign=0ccb8af7e225282a329af0618515c2832bcb5946 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -13.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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9+7.95 EUR
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FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf description FDS4470 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4480 FDS4480 ONSEMI fds4480-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2338 Stücke:
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59+1.23 EUR
66+1.09 EUR
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FDS4672A ONSEMI fds4672a-d.pdf FDS4672A SMD N channel transistors
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FDS4675 FDS4675 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC831677B06259&compId=FDS4675.pdf?ci_sign=4809cbb1187c7fbf052c62301643a4894d0b7257 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
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43+1.7 EUR
52+1.4 EUR
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FDS4685 FDS4685 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
70+1.03 EUR
85+0.84 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AF4FC2A64F1A303005056AB0C4F&compId=FDS4935A.pdf?ci_sign=514b24c1d2fc63ab61f3c65adae4d6dee6c96e00 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
62+1.17 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
250+0.66 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZ FDS4935BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 35mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
82+0.88 EUR
98+0.73 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351 ONSEMI fds5351-d.pdf FDS5351 SMD N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
92+0.77 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6375 ONSEMI fds6375-d.pdf FDS6375 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ ONSEMI fds6673bz-d.pdf description FDS6673BZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.45 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
85+0.85 EUR
92+0.78 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8FC78DC9A259&compId=FDS6679AZ.pdf?ci_sign=ae883a16e760a329d01a04afd566302e1aa3f2f2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Gate charge: 96nC
On-state resistance: 14.8mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
63+1.15 EUR
76+0.95 EUR
108+0.66 EUR
114+0.63 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A ONSEMI fds6680a-d.pdf FDS6680A SMD N channel transistors
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681Z ONSEMI FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6681Z SMD P channel transistors
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A ONSEMI fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf FDS6690A SMD N channel transistors
auf Bestellung 2196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
243+0.29 EUR
258+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898A FDS6898A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Drain current: 9.4A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
64+1.12 EUR
70+1.03 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A ONSEMI FDS6912A-D.PDF FDS6912A Multi channel transistors
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.46 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8447 ONSEMI fds8447-d.pdf description FDS8447 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
61+1.17 EUR
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 ONSEMI FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884 ONSEMI FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8884 SMD N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.85 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141 ONSEMI fds89141-d.pdf FDS89141 Multi channel transistors
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.85 EUR
29+2.55 EUR
30+2.4 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161 FDS89161 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE714315B04C259&compId=FDS89161.pdf?ci_sign=84ea0d10f63123768be2a5a09d915664e90b6920 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
54+1.33 EUR
55+1.3 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 FDS8949 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
58+1.24 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
500+0.48 EUR
2500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A FDS9435A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
92+0.78 EUR
187+0.38 EUR
197+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE903C94EADA259&compId=FDN359AN.pdf?ci_sign=a80057f0f9f224c8fd968e6e92eb392f70c0472f
FDN359AN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
138+0.52 EUR
182+0.39 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
1500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574
FDN360P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 9nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
124+0.58 EUR
140+0.51 EUR
197+0.36 EUR
231+0.31 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537N fdn537n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.02 EUR
169+0.42 EUR
178+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9084782FDE259&compId=FDN5630.pdf?ci_sign=b509e67f7d3c5b69bed0dc6b2b0e78cdb27cad08
FDN5630
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
165+0.43 EUR
220+0.33 EUR
358+0.2 EUR
376+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085 fdn5632n-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
174+0.41 EUR
183+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP038AN06A0 fdp038an06a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP038AN06A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.8 EUR
22+3.3 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047AN08A0 fdh047an08a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP047AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.72 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
100+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
19+3.76 EUR
50+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP075N15A-F102 fdp075n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP075N15A-F102 THT N channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
23+3.12 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP083N15A-F102 fdp083n15a-d.pdf
FDP083N15A-F102
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.12 EUR
17+4.33 EUR
18+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP18N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4
FDP18N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.43 EUR
25+2.86 EUR
31+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7
FDP22N50N
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
15+4.76 EUR
50+2.93 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2532 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAEF9EF4A52251BF&compId=FDX2532-DTE.pdf?ci_sign=ca84b16cf8e55477890456458d5f303edc78ec17
FDP2532
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.65 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
50+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2614 fdp2614-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.31 EUR
17+4.33 EUR
18+4.09 EUR
250+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.37 EUR
36+2.02 EUR
44+1.64 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDP3632
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.09 EUR
24+3 EUR
26+2.85 EUR
50+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP42AN15A0 TO220B03_Pkg_Dwg.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP42AN15A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
FDP51N25
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.36 EUR
28+2.6 EUR
33+2.17 EUR
35+2.1 EUR
50+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP52N20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE92CE32B8FA259&compId=FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf?ci_sign=9f6ce9ee9503deb9021bb393eee3bd9d4a8dfe0b
FDP52N20
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.12 EUR
37+1.96 EUR
39+1.84 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50T fdpf12n50t-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF12N50T THT N channel transistors
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
50+1.7 EUR
100+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4
FDPF18N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50T FDPF18N50T-D.PDF
FDPF18N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.29 EUR
23+3.19 EUR
27+2.75 EUR
50+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9C9F026A3C259&compId=FDPF20N50FT.pdf?ci_sign=b479c7204a96e874848198195968938e0b3f4df0
FDPF20N50FT
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.83 EUR
21+3.5 EUR
27+2.72 EUR
28+2.56 EUR
100+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
17+4.28 EUR
24+3.1 EUR
25+2.93 EUR
250+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
FDPF2D3N10C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.74 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
50+5 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF390N15A THT N channel transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.17 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF51N25 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68DF2032BEC9CCFA8&compId=FDPF51N25.pdf?ci_sign=0618070f0be784403e53d149ddfd3d92cb28a1cf
FDPF51N25
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 48mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 38W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.12 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
250+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF55N06 fdpf55n06-d.pdf
FDPF55N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.82 EUR
31+2.36 EUR
38+1.89 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2185 Stücke:
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Hersteller: ONSEMI
FDS2582 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDS2734 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FDS3590 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672 fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS3672 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7
FDS4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC80D368C76259&compId=FDS4465.pdf?ci_sign=0ccb8af7e225282a329af0618515c2832bcb5946
FDS4465
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -13.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470 description fds4470-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
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32+2.27 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4480 fds4480-d.pdf
FDS4480
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2338 Stücke:
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59+1.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672A fds4672a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS4672A SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC831677B06259&compId=FDS4675.pdf?ci_sign=4809cbb1187c7fbf052c62301643a4894d0b7257
FDS4675
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 470 Stücke:
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43+1.7 EUR
52+1.4 EUR
57+1.26 EUR
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79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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FDS4685 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa
FDS4685
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 756 Stücke:
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59+1.22 EUR
70+1.03 EUR
85+0.84 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AF4FC2A64F1A303005056AB0C4F&compId=FDS4935A.pdf?ci_sign=514b24c1d2fc63ab61f3c65adae4d6dee6c96e00
FDS4935A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
62+1.17 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
250+0.66 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de
FDS4935BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 35mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
82+0.88 EUR
98+0.73 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS5351 fds5351-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS5351 SMD N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
92+0.77 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6375 fds6375-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6673BZ description fds6673bz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6673BZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.45 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450
FDS6675BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
85+0.85 EUR
92+0.78 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8FC78DC9A259&compId=FDS6679AZ.pdf?ci_sign=ae883a16e760a329d01a04afd566302e1aa3f2f2
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Gate charge: 96nC
On-state resistance: 14.8mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
63+1.15 EUR
76+0.95 EUR
108+0.66 EUR
114+0.63 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A fds6680a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6680A SMD N channel transistors
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681Z FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS6681Z SMD P channel transistors
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6690A SMD N channel transistors
auf Bestellung 2196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
243+0.29 EUR
258+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466
FDS6898A
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Drain current: 9.4A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
64+1.12 EUR
70+1.03 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A FDS6912A-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDS6912A Multi channel transistors
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.46 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8447 description fds8447-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
61+1.17 EUR
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884 FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS8884 SMD N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.85 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141 fds89141-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.85 EUR
29+2.55 EUR
30+2.4 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE714315B04C259&compId=FDS89161.pdf?ci_sign=84ea0d10f63123768be2a5a09d915664e90b6920
FDS89161
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
54+1.33 EUR
55+1.3 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805
FDS8949
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
58+1.24 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
500+0.48 EUR
2500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b
FDS9435A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
92+0.78 EUR
187+0.38 EUR
197+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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