HUF75344G3 ON Semiconductor
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Technische Details HUF75344G3 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - MOSFET, N-KANAL, 55V, 75A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 285W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote HUF75344G3 nach Preis ab 2.75 EUR bis 8.54 EUR
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HUF75344G3 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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HUF75344G3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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HUF75344G3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Power dissipation: 285W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 7nC Technology: UltraFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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HUF75344G3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Power dissipation: 285W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 7nC Technology: UltraFET® |
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HUF75344G3 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 285W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V |
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HUF75344G3 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET |
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HUF75344G3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| HUF75344G3 | Hersteller : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| HUF75344G3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - MOSFET, N-KANAL, 55V, 75A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 285W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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HUF75344G3 Produktcode: 59800
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Fairchild |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 55 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3200/14 JHGF: THT |
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HUF75344G3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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