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HUF75344G3

HUF75344G3 Fairchild

huf75344g3-datasheet.pdf
Produktcode: 59800
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 75 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 6,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3200/14
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HUF75344G3 HUF75344G3 ON Semiconductor huf75344p3d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.68 EUR
60+3.58 EUR
120+3.31 EUR
510+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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HUF75344G3 HUF75344G3 ON Semiconductor huf75344p3d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.72 EUR
49+3.56 EUR
60+3.4 EUR
120+3.09 EUR
510+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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HUF75344G3 HUF75344G3 ON Semiconductor huf75344p3d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 320 Stücke:
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163+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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HUF75344G3 HUF75344G3 ON Semiconductor huf75344p3d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.16 EUR
120+4.58 EUR
270+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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HUF75344G3 HUF75344G3 onsemi huf75344p3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.17 EUR
30+5.14 EUR
60+4.66 EUR
120+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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HUF75344G3 HUF75344G3 ON-Semiconductor info-thuf75344g.pdf N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+10.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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HUF75344G3 HUF75344G3 onsemi huf75344p3-d.pdf MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET
auf Bestellung 4487 Stücke:
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1+10.33 EUR
10+6.76 EUR
120+4.96 EUR
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HUF75344G3 HUF75344G3 ONSEMI 3736364.pdf Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 285W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.97 EUR
38+6.22 EUR
100+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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HUF75344G3 HUF75344G3 ONSEMI HUF75344G3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 60 Stücke:
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HUF75344G3 huf75344p3d.pdf
HUF75344G3
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2586 Stücke:
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48+3.68 EUR
60+3.58 EUR
120+3.31 EUR
510+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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HUF75344G3 huf75344p3d.pdf
HUF75344G3
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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48+3.72 EUR
49+3.56 EUR
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HUF75344G3 huf75344p3d.pdf
HUF75344G3
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
163+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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HUF75344G3 huf75344p3d.pdf
HUF75344G3
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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120+4.58 EUR
270+4.44 EUR
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HUF75344G3 huf75344p3-d.pdf
HUF75344G3
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
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HUF75344G3
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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HUF75344G3 huf75344p3-d.pdf
HUF75344G3
Hersteller: onsemi
MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET
auf Bestellung 4487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+6.76 EUR
120+4.96 EUR
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HUF75344G3 3736364.pdf
HUF75344G3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 285W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 433 Stücke:
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38+6.22 EUR
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HUF75344G3 HUF75344G3.pdf
HUF75344G3
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Flussmittel-Paste UV35 5 мл Mechanic (RMA-UV35)
Produktcode: 150916
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Flussmittel-Paste UV35 5 мл Mechanic (RMA-UV35)
Hersteller: Mechanic
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Kategorie: Flussmittel
Beschreibung: Das Flussmittel hat eine hohe Viskosität und enthält keine Halogene. Ideal zum Löten von SMD, BGA. No-Clean, oxidiert nicht, leitet keinen Strom
Konsistenz: Paste-Gel
erwartet: 520 St.
  • 500 St. - erwartet 21.02.2027
  • 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 18 St.
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Batterie AAA Alkaline 1,5V 1St. VARTA MAX POWER, MT-003-4
Produktcode: 130331
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Batterie AAA Alkaline 1,5V 1St. VARTA MAX POWER, MT-003-4Batterie AAA Alkaline 1,5V 1St. VARTA MAX POWER, MT-003-4
Batterie AAA Alkaline 1,5V 1St. VARTA MAX POWER, MT-003-4Batterie AAA Alkaline 1,5V 1St. VARTA MAX POWER, MT-003-4
Hersteller: VARTA
Batterien
Material: Alkaline
Größe: AAA / LR03 / "Micro"
Spannung, V: 1,5 В
Form: Zylindrisch
erwartet: 50 St.
  • 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 31 St.
  • 31 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.46 EUR
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Flussmittel № 226, 10 мл (Mechanic)
Produktcode: 127887
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Flussmittel № 226, 10 мл (Mechanic)Flussmittel № 226, 10 мл (Mechanic)
Flussmittel № 226, 10 мл (Mechanic)Flussmittel № 226, 10 мл (Mechanic)
Hersteller: Mechanic
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Kategorie: Flussmittel
Beschreibung: Flüssiges Flussmittel
Gewicht/Volumen/Menge: 10 мл
Konsistenz: Paste-Gel
erwartet: 120 St.
  • 100 St. - erwartet 21.02.2027
  • 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 52 St.
  • 52 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.89 EUR
10+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP100N6F7
Produktcode: 113452
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
stp100n6f7-datasheet.pdf
STP100N6F7
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 100 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,6 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1980/30
Montage: THT
auf Bestellung: 63 St.
  • 63 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.03 EUR
10+1.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Pyroelektrischer Infrarot-Bewegungssensor HC-SR501 (PIR)
Produktcode: 57818
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Pyroelektrischer Infrarot-Bewegungssensor HC-SR501 (PIR)Pyroelektrischer Infrarot-Bewegungssensor HC-SR501 (PIR)
Pyroelektrischer Infrarot-Bewegungssensor HC-SR501 (PIR)Pyroelektrischer Infrarot-Bewegungssensor HC-SR501 (PIR)
Hersteller: HC-SR501
Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Digitaler pyroelektrischer Infrarot-Bewegungssensor mit einstellbarer Empfindlichkeit und Erkennungsreichweite. Verzögerungszeit: 0.3 - 300 Sekunden (einstellbar). Auslösewinkel: 110° auf eine Distanz bis 7m. Auslöseverfahren: steht der Jumper auf "H", liegt am Ausgang die ganze Zeit High an, solange der Sensor Bewegung erfasst; bei "L" wechselt der Ausgangszustand von High auf Low. Versorgung: 4.5...12VDC. Abmessungen: 32x24mm.
Kategorie: Sensormodul
Bestimmung: Bewegungssensor
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 45 St.
  • 45 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.33 EUR
10+2.86 EUR
100+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH