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HUF75344G3

HUF75344G3 Fairchild

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Produktcode: 59800
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3200/14
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HUF75344G3 HUF75344G3 ON Semiconductor huf75344p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.63 EUR
120+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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HUF75344G3 HUF75344G3 ON Semiconductor huf75344p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.71 EUR
120+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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HUF75344G3 HUF75344G3 ON Semiconductor huf75344p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
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38+4.66 EUR
120+3.8 EUR
270+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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HUF75344G3 HUF75344G3 ONSEMI HUF75344G3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.94 EUR
16+5.53 EUR
18+4.74 EUR
21+4.07 EUR
23+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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HUF75344G3 HUF75344G3 onsemi huf75344p3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.69 EUR
30+4.86 EUR
120+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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HUF75344G3 HUF75344G3 onsemi huf75344p3-d.pdf MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET
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1+8.73 EUR
10+4.88 EUR
120+4.02 EUR
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HUF75344G3 HUF75344G3 ON-Semiconductor info-thuf75344g.pdf N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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HUF75344G3 HUF75344G3 ONSEMI huf75344p3-d.pdf Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 439 Stücke:
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HUF75344G3 huf75344p3-d.pdf
HUF75344G3
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 266 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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HUF75344G3 huf75344p3-d.pdf
HUF75344G3
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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HUF75344G3 huf75344p3-d.pdf
HUF75344G3
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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38+4.66 EUR
120+3.8 EUR
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HUF75344G3
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+5.94 EUR
16+5.53 EUR
18+4.74 EUR
21+4.07 EUR
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HUF75344G3 huf75344p3-d.pdf
HUF75344G3
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.69 EUR
30+4.86 EUR
120+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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HUF75344G3 huf75344p3-d.pdf
HUF75344G3
Hersteller: onsemi
MOSFETs 75a 55V NCh UltraFET
auf Bestellung 494 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+8.73 EUR
10+4.88 EUR
120+4.02 EUR
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HUF75344G3
Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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HUF75344G3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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STP100N6F7
Produktcode: 113452
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
stp100n6f7-datasheet.pdf
STP100N6F7
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 100 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1980/30
Montage: THT
auf Bestellung 89 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH