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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.43 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 FDC2612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDF324D945BE28&compId=FDC2612.pdf?ci_sign=b08958927efbbe59602a02ad513f2cee528da82d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Case: SuperSOT-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
106+0.68 EUR
152+0.47 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
109+0.66 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
132+0.54 EUR
194+0.37 EUR
205+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P FDC5614P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A48AEDAD788F0A50&compId=FDC5614P-DTE.pdf?ci_sign=15f5eeeaa1d3b2143fa6d597203868db13d69957 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
97+0.74 EUR
108+0.66 EUR
154+0.47 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC602P FDC602P ONSEMI fdc602p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
114+0.63 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC604P ONSEMI fdc604p-d.pdf FDC604P SMD P channel transistors
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
234+0.31 EUR
247+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC606P FDC606P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
127+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZ ONSEMI fdc608pz-d.pdf FDC608PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
111+0.65 EUR
235+0.3 EUR
249+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ FDC610PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE095835B0BE28&compId=FDC610PZ.pdf?ci_sign=bc8458006aa7d1578219a992334348fefe69bb64 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
139+0.52 EUR
241+0.3 EUR
254+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N FDC6301N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
50+1.43 EUR
99+0.73 EUR
271+0.26 EUR
1500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N ONSEMI fdc6303n-d.pdf FDC6303N Multi channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305N FDC6305N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 128mΩ
Gate charge: 5nC
Drain current: 2.7A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
108+0.67 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312P FDC6312P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
94+0.76 EUR
102+0.7 EUR
105+0.69 EUR
106+0.67 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318P ONSEMI fdc6318p-d.pdf FDC6318P Multi channel transistors
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6321C FDC6321C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE180B16ED3E28&compId=FDC6321C.pdf?ci_sign=0983ccd23aa10f3fa785907e3ddb9524ecfa334b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 2.3/1.5nC
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 25/-25V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
111+0.64 EUR
126+0.57 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6324L FDC6324L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1D6526CF1E28&compId=FDC6324L.pdf?ci_sign=602e5776b41e8a8e424d752b8317b30c281de0d3 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.52 EUR
108+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6327C FDC6327C ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
250+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6330L FDC6330L ONSEMI fdc6330l-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of output: P-Channel
Number of channels: 1
Output current: 2.3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
87+0.83 EUR
104+0.69 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6331L FDC6331L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C899B19A1EE6469&compId=FDC6331L.pdf?ci_sign=16b573b3bc53dc02e5be72a141eae117b8d5bf0a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
107+0.67 EUR
119+0.6 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333C FDC6333C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE20DC87FB3E28&compId=FDC6333C.pdf?ci_sign=d9aa1d00b0d0749eb8b25b38b8ba986528b35ddd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
83+0.86 EUR
106+0.68 EUR
250+0.29 EUR
265+0.27 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637AN ONSEMI fdc637an-d.pdf FDC637AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
142+0.5 EUR
150+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZ ONSEMI fdc637bnz-d.pdf FDC637BNZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
166+0.43 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ ONSEMI fdc638apz-d.pdf FDC638APZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.85 EUR
286+0.25 EUR
304+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638P ONSEMI fdc638p-d.pdf FDC638P SMD P channel transistors
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
217+0.33 EUR
230+0.31 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401N FDC6401N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Drain current: 3A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
93+0.77 EUR
109+0.66 EUR
168+0.43 EUR
178+0.4 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70/125mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 3/-2.2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
96+0.75 EUR
124+0.58 EUR
184+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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FDC645N ONSEMI FDC645N-D.pdf FDC645N SMD N channel transistors
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FDC653N ONSEMI fdc653n-d.pdf FDC653N SMD N channel transistors
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FDC655BN ONSEMI fdc655bn-d.pdf FDC655BN SMD N channel transistors
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FDC6561AN FDC6561AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE415E2FED9E28&compId=FDC6561AN.pdf?ci_sign=31da6a276db3534f0b9f0a4f9e8b203a89a1c493 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 152mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDC658AP FDC658AP ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDC658P ONSEMI fdc658p-d.pdf FDC658P SMD P channel transistors
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FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE4D9205AC7E28&compId=FDD10AN06A0.pdf?ci_sign=4e052e6efe0be8d0f631debf2d61922496e87d06 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDD120AN15A0 ONSEMI fdd120an15a0-d.pdf FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
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FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE557EF911FE28&compId=FDD13AN06A0.pdf?ci_sign=2b58636c22c4a3e8d858385b4b8d526546c519d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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32+2.3 EUR
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48+1.5 EUR
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FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE583211559E28&compId=FDD16AN08A0.pdf?ci_sign=6b17b4c49d9b0b1d59b28ad2f189b105b41e2e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2005 Stücke:
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30+2.42 EUR
36+2.02 EUR
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FDD2572 FDD2572 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E081D963F93F1A303005056AB0C4F&compId=FDD2572.pdf?ci_sign=4de62bdfc984f3c4cdf77b8dfb8618eba2c573f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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30+2.4 EUR
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FDD306P ONSEMI fdd306p-d.pdf FDD306P SMD P channel transistors
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FDD3672 FDD3672 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE60BFDFDD5E28&compId=FDD3672.pdf?ci_sign=2f119ab2145af13489fbc2210acb4aeb21f21821 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1552 Stücke:
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33+2.2 EUR
41+1.74 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
250+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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FDD3860 ONSEMI fdd3860-d.pdf FDD3860 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1757 Stücke:
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68+1.06 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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FDD4141 FDD4141 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8944BB55062469&compId=FDD4141.pdf?ci_sign=e1022bcb30bc8c84476440b86751d8881d3057bf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
54+1.33 EUR
63+1.15 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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FDD4243 ONSEMI ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD4243 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
250+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 62
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FDD4685 ONSEMI fdd4685-d.pdf FDD4685 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353 FDD5353 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 20.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
41+1.76 EUR
45+1.6 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
45+1.6 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
21+3.4 EUR
25+2.86 EUR
57+1.26 EUR
100+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N20TM FDD7N20TM ONSEMI fdd7n20tm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
81+0.89 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445 FDD8445 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE87F32A0E9E28&compId=FDD8445.pdf?ci_sign=76fd8828378ae233a76887cf525f0e22474174a1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
81+0.88 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L FDD8447L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
83+0.87 EUR
91+0.79 EUR
106+0.68 EUR
119+0.6 EUR
133+0.54 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8451 ONSEMI FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf FDD8451 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.1 EUR
103+0.7 EUR
109+0.66 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD850N10L FDD850N10L ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
55+1.3 EUR
62+1.17 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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FDD86102LZ ONSEMI fdd86102lz-d.pdf FDD86102LZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250 FDD86250 ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 164A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
250+1.6 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252 ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
59+1.22 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367 FDD86367 ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.87 EUR
43+1.7 EUR
45+1.62 EUR
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Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8647L ONSEMI fdd8647l-d.pdf FDD8647L SMD N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
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43+1.69 EUR
63+1.13 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8876 ONSEMI FDD%2CFDU8876.pdf FDD8876 SMD N channel transistors
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61+1.19 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8880 ONSEMI FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1460 Stücke:
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50+1.45 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
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Anzahl Preis
17+4.43 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDF324D945BE28&compId=FDC2612.pdf?ci_sign=b08958927efbbe59602a02ad513f2cee528da82d
FDC2612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Case: SuperSOT-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
106+0.68 EUR
152+0.47 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
109+0.66 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f
FDC3612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
132+0.54 EUR
194+0.37 EUR
205+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A48AEDAD788F0A50&compId=FDC5614P-DTE.pdf?ci_sign=15f5eeeaa1d3b2143fa6d597203868db13d69957
FDC5614P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
97+0.74 EUR
108+0.66 EUR
154+0.47 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC602P fdc602p-d.pdf
FDC602P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
114+0.63 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC604P fdc604p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC604P SMD P channel transistors
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
234+0.31 EUR
247+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC606P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c
FDC606P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
127+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC608PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
111+0.65 EUR
235+0.3 EUR
249+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC610PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE095835B0BE28&compId=FDC610PZ.pdf?ci_sign=bc8458006aa7d1578219a992334348fefe69bb64
FDC610PZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
139+0.52 EUR
241+0.3 EUR
254+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6301N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28
FDC6301N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
50+1.43 EUR
99+0.73 EUR
271+0.26 EUR
1500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6303N Multi channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6305N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6
FDC6305N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 128mΩ
Gate charge: 5nC
Drain current: 2.7A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
108+0.67 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4
FDC6312P
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
94+0.76 EUR
102+0.7 EUR
105+0.69 EUR
106+0.67 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC6318P Multi channel transistors
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6321C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE180B16ED3E28&compId=FDC6321C.pdf?ci_sign=0983ccd23aa10f3fa785907e3ddb9524ecfa334b
FDC6321C
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 2.3/1.5nC
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 25/-25V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
111+0.64 EUR
126+0.57 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6324L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1D6526CF1E28&compId=FDC6324L.pdf?ci_sign=602e5776b41e8a8e424d752b8317b30c281de0d3
FDC6324L
Hersteller: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.52 EUR
108+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6327C fdc6327c-d.pdf
FDC6327C
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
75+0.96 EUR
100+0.72 EUR
250+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6330L fdc6330l-d.pdf
FDC6330L
Hersteller: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of output: P-Channel
Number of channels: 1
Output current: 2.3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
87+0.83 EUR
104+0.69 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6331L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C899B19A1EE6469&compId=FDC6331L.pdf?ci_sign=16b573b3bc53dc02e5be72a141eae117b8d5bf0a
FDC6331L
Hersteller: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
107+0.67 EUR
119+0.6 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6333C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE20DC87FB3E28&compId=FDC6333C.pdf?ci_sign=d9aa1d00b0d0749eb8b25b38b8ba986528b35ddd
FDC6333C
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
83+0.86 EUR
106+0.68 EUR
250+0.29 EUR
265+0.27 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637AN fdc637an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC637AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
142+0.5 EUR
150+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC637BNZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
166+0.43 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC638APZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.85 EUR
286+0.25 EUR
304+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638P fdc638p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC638P SMD P channel transistors
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
217+0.33 EUR
230+0.31 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14
FDC6401N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Drain current: 3A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
93+0.77 EUR
109+0.66 EUR
168+0.43 EUR
178+0.4 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8
FDC6420C
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70/125mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 3/-2.2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
96+0.75 EUR
124+0.58 EUR
184+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645N FDC645N-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC645N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.05 EUR
175+0.41 EUR
185+0.39 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653N fdc653n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC653N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
124+0.58 EUR
154+0.46 EUR
163+0.44 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 124
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN fdc655bn-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC655BN SMD N channel transistors
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
98+0.73 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE415E2FED9E28&compId=FDC6561AN.pdf?ci_sign=31da6a276db3534f0b9f0a4f9e8b203a89a1c493
FDC6561AN
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 152mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
93+0.78 EUR
211+0.34 EUR
224+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658AP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0
FDC658AP
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
111+0.64 EUR
150+0.48 EUR
232+0.31 EUR
246+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P fdc658p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC658P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
154+0.46 EUR
163+0.44 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE4D9205AC7E28&compId=FDD10AN06A0.pdf?ci_sign=4e052e6efe0be8d0f631debf2d61922496e87d06
FDD10AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
45+1.6 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0 fdd120an15a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.49 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE557EF911FE28&compId=FDD13AN06A0.pdf?ci_sign=2b58636c22c4a3e8d858385b4b8d526546c519d4
FDD13AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
38+1.89 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE583211559E28&compId=FDD16AN08A0.pdf?ci_sign=6b17b4c49d9b0b1d59b28ad2f189b105b41e2e3f
FDD16AN08A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
36+2.02 EUR
40+1.82 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E081D963F93F1A303005056AB0C4F&compId=FDD2572.pdf?ci_sign=4de62bdfc984f3c4cdf77b8dfb8618eba2c573f1
FDD2572
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.4 EUR
35+2.07 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306P fdd306p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD306P SMD P channel transistors
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
99+0.72 EUR
105+0.68 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE60BFDFDD5E28&compId=FDD3672.pdf?ci_sign=2f119ab2145af13489fbc2210acb4aeb21f21821
FDD3672
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1552 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
41+1.74 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
250+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3860 fdd3860-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD3860 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4141 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8944BB55062469&compId=FDD4141.pdf?ci_sign=e1022bcb30bc8c84476440b86751d8881d3057bf
FDD4141
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
54+1.33 EUR
63+1.15 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4243 ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDD4243 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
250+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685 fdd4685-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD4685 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc
FDD5353
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 20.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
41+1.76 EUR
45+1.6 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595
FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.02 EUR
41+1.76 EUR
45+1.6 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
250+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
21+3.4 EUR
25+2.86 EUR
57+1.26 EUR
100+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N20TM fdd7n20tm-d.pdf
FDD7N20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
81+0.89 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE87F32A0E9E28&compId=FDD8445.pdf?ci_sign=76fd8828378ae233a76887cf525f0e22474174a1
FDD8445
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
81+0.88 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765
FDD8447L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
83+0.87 EUR
91+0.79 EUR
106+0.68 EUR
119+0.6 EUR
133+0.54 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8451 FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.1 EUR
103+0.7 EUR
109+0.66 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
FDD850N10L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
55+1.3 EUR
62+1.17 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZ fdd86102lz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD86102LZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250 fdd86250-d.pdf
FDD86250
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 164A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
250+1.6 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
59+1.22 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367 fdd86367-d.pdf
FDD86367
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.87 EUR
43+1.7 EUR
45+1.62 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8647L fdd8647l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8647L SMD N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
63+1.13 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8876 FDD%2CFDU8876.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8876 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8880 FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDD8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.45 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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