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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDB024N06 FDB024N06 ONSEMI fdb024n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N08BL7 ONSEMI fdb024n08bl7-d.pdf FDB024N08BL7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0250N807L ONSEMI fdb0250n807l-d.pdf FDB0250N807L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L ONSEMI fdb0260n1007l-d.pdf FDB0260N1007L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0300N1007L ONSEMI fdb0300n1007l-d.pdf FDB0300N1007L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ONSEMI FDB035AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.48 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
50+4.82 EUR
100+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035N10A FDB035N10A ONSEMI fdb035n10a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB045AN08A0 ONSEMI FAIRS45898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB045AN08A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.38 EUR
23+3.17 EUR
24+3.00 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB047N10 ONSEMI FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB047N10 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB050AN06A0 ONSEMI fdp050an06a0-d.pdf FDB050AN06A0 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDB060AN08A0 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0630N1507L ONSEMI fdb0630n1507l-d.pdf FDB0630N1507L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0690N1507L ONSEMI fdb0690n1507l-d.pdf FDB0690N1507L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 ONSEMI FDB070AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 175W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
5+14.30 EUR
6+11.91 EUR
17+4.20 EUR
800+2.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB075N15A ONSEMI fdp075n15a-d.pdf FDB075N15A SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB075N15A-F085 ONSEMI fdb075n15a_f085-d.pdf FDB075N15A-F085 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB082N15A ONSEMI fdb082n15a-d.pdf FDB082N15A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB088N08 ONSEMI fdb088n08-d.pdf FDB088N08 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB110N15A ONSEMI ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB110N15A SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB120N10 ONSEMI fdb120n10-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB12N50FTM-WS FDB12N50FTM-WS ONSEMI fdb12n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.7Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB12N50TM ONSEMI fdb12n50tm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: DMOS; UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ONSEMI FDB13AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
36+2.02 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB150N10 ONSEMI fdb150n10-d.pdf FDB150N10 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI FDB15N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
250+2.93 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB16AN08A0 ONSEMI fdb16an08a0-d.pdf FDB16AN08A0 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB1D7N10CL7 ONSEMI fdb1d7n10cl7-d.pdf FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50F ONSEMI fdb20n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDB2532 ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.88 EUR
21+3.46 EUR
22+3.27 EUR
800+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552 ONSEMI fdp2552-d.pdf FDB2552 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
800+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614 FDB2614 ONSEMI FDB2614.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710 ONSEMI fdb2710-d.pdf FDB2710 SMD N channel transistors
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.01 EUR
18+3.99 EUR
19+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM ONSEMI fdb28n30tm-d.pdf FDB28N30TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
800+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB33N25TM FDB33N25TM ONSEMI FDB33N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 235W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.30 EUR
36+2.03 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
100+1.67 EUR
800+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3502 ONSEMI fdb3502-d.pdf FDB3502 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 FDB3632 ONSEMI FDB3632.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652 FDB3652 ONSEMI FDB3652.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
On-state resistance: 43mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.30 EUR
36+2.03 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
800+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3682 ONSEMI fdp3682-d.pdf FDB3682 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB38N30U ONSEMI fdb38n30u-d.pdf FDB38N30U SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB390N15A ONSEMI fdb390n15a-d.pdf FDB390N15A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB52N20TM ONSEMI FAIRS46515-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB52N20TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.75 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.66 EUR
27+2.67 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8447L ONSEMI fdb8447l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZ ONSEMI ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB86102LZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135 ONSEMI fdb86135-d.pdf FDB86135 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085 ONSEMI fdb86563_f085-d.pdf FDB86563_F085-D.PDF FDB86563-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896 ONSEMI FDB8896-D.pdf FDB8896 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0065N40 ONSEMI fdbl0065n40-d.pdf FDBL0065N40 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40 ONSEMI fdbl0090n40-d.pdf FDBL0090N40 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60 ONSEMI fdbl0110n60-d.pdf FDBL0110N60 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 ONSEMI fdbl0150n60-d.pdf FDBL0150N60 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80 ONSEMI fdbl0150n80-d.pdf FDBL0150N80 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100 ONSEMI fdbl0200n100-d.pdf FDBL0200N100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80 ONSEMI fdbl0210n80-d.pdf FDBL0210N80 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0240N100 ONSEMI fdbl0240n100-d.pdf FDBL0240N100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf FDBL0260N100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0330N80 ONSEMI fdbl0330n80-d.pdf FDBL0330N80 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150 ONSEMI fdbl0630n150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
Power dissipation: 500W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB024N06 fdb024n06-d.pdf
FDB024N06
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDB024N08BL7 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDB0250N807L SMD N channel transistors
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FDB0260N1007L SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDB0300N1007L SMD N channel transistors
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FDB035AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDB035N10A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDB045AN08A0 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB047N10 FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDB047N10 SMD N channel transistors
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FDB050AN06A0 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDB060AN08A0 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDB0630N1507L SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDB0690N1507L SMD N channel transistors
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FDB070AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 175W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: ONSEMI
FDB075N15A SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDB075N15A-F085 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDB082N15A SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDB088N08 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDB110N15A SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB12N50FTM-WS fdb12n50f-d.pdf
FDB12N50FTM-WS
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.7Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB12N50TM fdb12n50tm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: DMOS; UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0.pdf
FDB13AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
36+2.02 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FDB150N10 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB15N50 FDB15N50.pdf
FDB15N50
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.63 EUR
23+3.20 EUR
24+3.03 EUR
250+2.93 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FDB16AN08A0 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB20N50F fdb20n50f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDX2532-DTE.pdf
FDB2532
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.88 EUR
21+3.46 EUR
22+3.27 EUR
800+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2552 fdp2552-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB2552 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
800+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2614 FDB2614.pdf
FDB2614
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710 fdb2710-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB2710 SMD N channel transistors
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.01 EUR
18+3.99 EUR
19+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM fdb28n30tm-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB28N30TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
800+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB33N25TM FDB33N25.pdf
FDB33N25TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 235W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.30 EUR
36+2.03 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
100+1.67 EUR
800+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3502 fdb3502-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB3502 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3632 FDB3632.pdf
FDB3632
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652 FDB3652.pdf
FDB3652
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
On-state resistance: 43mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.30 EUR
36+2.03 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
800+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3682 fdp3682-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB3682 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB38N30U fdb38n30u-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB38N30U SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB390N15A fdb390n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB390N15A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB52N20TM FAIRS46515-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDB52N20TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.75 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
27+2.67 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8447L fdb8447l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86102LZ ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDB86102LZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86135 fdb86135-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB86135 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB86563-F085 fdb86563_f085-d.pdf FDB86563_F085-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDB86563-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB8896 FDB8896-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB8896 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0065N40 fdbl0065n40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0065N40 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0090N40 fdbl0090n40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0090N40 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0110N60 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0150N60 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0150N80 fdbl0150n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0150N80 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0200N100 fdbl0200n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0200N100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80 fdbl0210n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0210N80 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0240N100 fdbl0240n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0240N100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0260N100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0330N80 fdbl0330n80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0330N80 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0630N150 fdbl0630n150-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
Power dissipation: 500W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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