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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDC638P FDC638P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE325627E07E28&compId=FDC638P.pdf?ci_sign=5f98fbb479d4a0ddac702ff34021f498553e81b2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
160+0.45 EUR
197+0.36 EUR
250+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401N FDC6401N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1426 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
100+0.72 EUR
118+0.61 EUR
136+0.53 EUR
158+0.45 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C FDC6420C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
104+0.69 EUR
133+0.54 EUR
161+0.45 EUR
191+0.37 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645N FDC645N ONSEMI FDC645N-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 48mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
100+0.72 EUR
133+0.54 EUR
151+0.48 EUR
200+0.42 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653N FDC653N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3B8B1706DE28&compId=FDC653N.pdf?ci_sign=35c36290ed188157eb81f3277826b6f37045f50a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
153+0.47 EUR
163+0.44 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
146+0.49 EUR
200+0.36 EUR
231+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN FDC6561AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE415E2FED9E28&compId=FDC6561AN.pdf?ci_sign=31da6a276db3534f0b9f0a4f9e8b203a89a1c493 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 152mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
100+0.72 EUR
145+0.49 EUR
169+0.42 EUR
250+0.35 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658AP FDC658AP ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 8.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
120+0.6 EUR
161+0.44 EUR
184+0.39 EUR
250+0.33 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P FDC658P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE496FB62DBE28&compId=FDC658P.pdf?ci_sign=466ec4213f6486879e0e409ee8e782f401901967 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
83+0.87 EUR
92+0.79 EUR
120+0.6 EUR
136+0.53 EUR
250+0.45 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0 ONSEMI FDD10AN06A0-D.PDF FDD10AN06A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
2500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0 ONSEMI fdd120an15a0-d.pdf FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.49 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE557EF911FE28&compId=FDD13AN06A0.pdf?ci_sign=2b58636c22c4a3e8d858385b4b8d526546c519d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
41+1.74 EUR
47+1.53 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0 ONSEMI FDD16AN08A0-D.pdf FDD16AN08A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.55 EUR
52+1.39 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572 FDD2572 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E081D963F93F1A303005056AB0C4F&compId=FDD2572.pdf?ci_sign=4de62bdfc984f3c4cdf77b8dfb8618eba2c573f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
38+1.93 EUR
43+1.7 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306P ONSEMI fdd306p-d.pdf FDD306P SMD P channel transistors
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
99+0.72 EUR
105+0.68 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE60BFDFDD5E28&compId=FDD3672.pdf?ci_sign=2f119ab2145af13489fbc2210acb4aeb21f21821 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
45+1.62 EUR
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3860 ONSEMI fdd3860-d.pdf FDD3860 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4141 FDD4141 ONSEMI FDD4141.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
72+1 EUR
83+0.86 EUR
103+0.7 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4243 FDD4243 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE6CB98F2EFE28&compId=FDD4243.pdf?ci_sign=81c6a5a0982d75ac86fda81d4817681cf9a40d14 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 69mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
91+0.79 EUR
103+0.7 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685 ONSEMI fdd4685-d.pdf FDD4685 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353 FDD5353 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1743 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
44+1.63 EUR
49+1.49 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
63+1.15 EUR
68+1.05 EUR
78+0.92 EUR
100+0.75 EUR
250+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 FDD6637 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
44+1.63 EUR
49+1.49 EUR
62+1.16 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N20TM FDD7N20TM ONSEMI fdd7n20tm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
88+0.82 EUR
120+0.6 EUR
136+0.53 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445 FDD8445 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE87F32A0E9E28&compId=FDD8445.pdf?ci_sign=76fd8828378ae233a76887cf525f0e22474174a1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
81+0.89 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L FDD8447L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2263 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8451 ONSEMI FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf FDD8451 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2008 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD850N10L ONSEMI fdd850n10l-d.pdf FDD850N10L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZ FDD86102LZ ONSEMI FDD86102LZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1829 Stücke:
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49+1.47 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250 FDD86250 ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 164A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2401 Stücke:
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34+2.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 FDD86252 ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 103mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Drain-source voltage: 150V
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2327 Stücke:
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60+1.2 EUR
65+1.12 EUR
67+1.07 EUR
100+0.97 EUR
250+0.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367 FDD86367 ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 945 Stücke:
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27+2.67 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8647L ONSEMI fdd8647l-d.pdf FDD8647L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8876 FDD8876 ONSEMI FDD%2CFDU8876.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2031 Stücke:
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69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8880 FDD8880 ONSEMI FDD8880-D.PDF 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1445 Stücke:
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57+1.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896 FDD8896 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEA292F17CBE28&compId=FDD%2CFDU8896.pdf?ci_sign=e5d32e9da7e23b5cc474f425424b98e6ad294062 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
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45+1.6 EUR
57+1.26 EUR
65+1.1 EUR
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250+0.67 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N ONSEMI fdg6303n-d.pdf FDG6303N Multi channel transistors
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125+0.57 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P ONSEMI fdg6304p-d.pdf FDG6304P Multi channel transistors
auf Bestellung 1230 Stücke:
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66+1.1 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6335N FDG6335N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
120+0.6 EUR
154+0.47 EUR
173+0.41 EUR
250+0.35 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH055N15A ONSEMI fdh055n15a-d.pdf FDH055N15A THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.78 EUR
11+6.79 EUR
12+6.42 EUR
30+6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH300A ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDH300A-ONS THT universal diodes
auf Bestellung 3690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
405+0.18 EUR
1613+0.044 EUR
1707+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 405
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH300ATR ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDH300ATR THT universal diodes
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
447+0.16 EUR
1894+0.038 EUR
2000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH333 FDH333 ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.2A; bulk; Ifsm: 1A; DO35; Ufmax: 1.15V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 1A
Case: DO35
Power dissipation: 0.5W
Leakage current: 0.5µA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. load current: 0.6A
Capacitance: 6pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2714 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
538+0.13 EUR
758+0.094 EUR
872+0.082 EUR
968+0.074 EUR
1078+0.066 EUR
5000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH44N50 FDH44N50 ONSEMI FDH44N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.18 EUR
9+8.24 EUR
10+7.72 EUR
30+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH45N50F-F133 FDH45N50F-F133 ONSEMI fdh45n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.18 EUR
12+6.05 EUR
14+5.41 EUR
30+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDL100N50F FDL100N50F ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF2A0648539E28&compId=FDL100N50F.pdf?ci_sign=e15a30c5b9381050fdc1b844e6f4baecd1f27c0b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.5kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 238nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.48 EUR
25+17.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL300A ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDLL300A SMD universal diodes
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
480+0.15 EUR
1276+0.056 EUR
1352+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 480
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL3595 ONSEMI fdll3595-d.pdf FDLL3595 SMD universal diodes
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
492+0.15 EUR
1220+0.059 EUR
1421+0.05 EUR
1502+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 492
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4148 FDLL4148 ONSEMI 1N91x_1N4x48.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
625+0.11 EUR
1163+0.061 EUR
1273+0.056 EUR
1701+0.042 EUR
2025+0.035 EUR
3013+0.024 EUR
3598+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4448 ONSEMI 1n914-d.pdf FDLL4448 SMD universal diodes
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
584+0.12 EUR
2348+0.03 EUR
5000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 584
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZ ONSEMI fdma1032cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.7/-3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
171+0.42 EUR
193+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZ ONSEMI fdma530pz-d.pdf FDMA530PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
27+2.65 EUR
74+0.97 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZT ONSEMI fdma6023pzt-d.pdf FAIRS29209-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMA6023PZT Multi channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
95+0.76 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF488B6BEB5E28&compId=FDMC4435BZ.pdf?ci_sign=66fb5574c0fda6b71c527f5b1fbafbb764fb341a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
63+1.14 EUR
71+1.02 EUR
83+0.86 EUR
106+0.68 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660 FDMC7660 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF4D36B10D5E28&compId=FDMC7660.pdf?ci_sign=a3f8e3c0e8cc9f77dae828e356702cd2412e3b82 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7692 FDMC7692 ONSEMI fdmc7692-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
90+0.8 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P ONSEMI fdmc86139p-d.pdf FDMC86139P SMD P channel transistors
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FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE325627E07E28&compId=FDC638P.pdf?ci_sign=5f98fbb479d4a0ddac702ff34021f498553e81b2
FDC638P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDC6401N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14
FDC6401N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
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FDC6420C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8
FDC6420C
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645N FDC645N-D.pdf
FDC645N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 48mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDC653N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3B8B1706DE28&compId=FDC653N.pdf?ci_sign=35c36290ed188157eb81f3277826b6f37045f50a
FDC653N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1890 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN FDC655BN.pdf
FDC655BN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
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Anzahl Preis
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FDC6561AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE415E2FED9E28&compId=FDC6561AN.pdf?ci_sign=31da6a276db3534f0b9f0a4f9e8b203a89a1c493
FDC6561AN
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 152mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
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Anzahl Preis
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100+0.72 EUR
145+0.49 EUR
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250+0.35 EUR
500+0.31 EUR
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FDC658AP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0
FDC658AP
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 8.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2476 Stücke:
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Anzahl Preis
90+0.8 EUR
120+0.6 EUR
161+0.44 EUR
184+0.39 EUR
250+0.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE496FB62DBE28&compId=FDC658P.pdf?ci_sign=466ec4213f6486879e0e409ee8e782f401901967
FDC658P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
83+0.87 EUR
92+0.79 EUR
120+0.6 EUR
136+0.53 EUR
250+0.45 EUR
500+0.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDD10AN06A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
2500+1.52 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD120AN15A0 fdd120an15a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1540 Stücke:
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Anzahl Preis
48+1.49 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD13AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE557EF911FE28&compId=FDD13AN06A0.pdf?ci_sign=2b58636c22c4a3e8d858385b4b8d526546c519d4
FDD13AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
41+1.74 EUR
47+1.53 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD16AN08A0 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
52+1.39 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E081D963F93F1A303005056AB0C4F&compId=FDD2572.pdf?ci_sign=4de62bdfc984f3c4cdf77b8dfb8618eba2c573f1
FDD2572
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
38+1.93 EUR
43+1.7 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306P fdd306p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD306P SMD P channel transistors
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
99+0.72 EUR
105+0.68 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE60BFDFDD5E28&compId=FDD3672.pdf?ci_sign=2f119ab2145af13489fbc2210acb4aeb21f21821
FDD3672
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
45+1.62 EUR
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3860 fdd3860-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD3860 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4141 FDD4141.pdf
FDD4141
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
72+1 EUR
83+0.86 EUR
103+0.7 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4243 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE6CB98F2EFE28&compId=FDD4243.pdf?ci_sign=81c6a5a0982d75ac86fda81d4817681cf9a40d14
FDD4243
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 69mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
91+0.79 EUR
103+0.7 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD4685 fdd4685-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD4685 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5353 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc
FDD5353
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1743 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
44+1.63 EUR
49+1.49 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
63+1.15 EUR
68+1.05 EUR
78+0.92 EUR
100+0.75 EUR
250+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6637 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595
FDD6637
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2544 Stücke:
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39+1.86 EUR
44+1.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD7N20TM fdd7n20tm-d.pdf
FDD7N20TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2479 Stücke:
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65+1.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8445 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE87F32A0E9E28&compId=FDD8445.pdf?ci_sign=76fd8828378ae233a76887cf525f0e22474174a1
FDD8445
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1604 Stücke:
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Anzahl Preis
67+1.07 EUR
81+0.89 EUR
84+0.86 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765
FDD8447L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
83+0.87 EUR
91+0.79 EUR
106+0.68 EUR
119+0.6 EUR
133+0.54 EUR
500+0.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8451 FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2008 Stücke:
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66+1.1 EUR
103+0.7 EUR
109+0.66 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD850N10L SMD N channel transistors
auf Bestellung 2047 Stücke:
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Anzahl Preis
44+1.66 EUR
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102LZ FDD86102LZ.pdf
FDD86102LZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1829 Stücke:
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Anzahl Preis
49+1.47 EUR
57+1.27 EUR
61+1.19 EUR
75+0.96 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86250 fdd86250-d.pdf
FDD86250
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 164A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2401 Stücke:
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Anzahl Preis
34+2.16 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
250+1.6 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 103mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Drain-source voltage: 150V
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
65+1.12 EUR
67+1.07 EUR
100+0.97 EUR
250+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86367 fdd86367-d.pdf
FDD86367
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
38+1.92 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8647L fdd8647l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDD8647L SMD N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
63+1.13 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8876 FDD%2CFDU8876.pdf
FDD8876
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8880 FDD8880-D.PDF 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf
FDD8880
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
64+1.13 EUR
72+1.01 EUR
111+0.64 EUR
136+0.53 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEA292F17CBE28&compId=FDD%2CFDU8896.pdf?ci_sign=e5d32e9da7e23b5cc474f425424b98e6ad294062
FDD8896
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
57+1.26 EUR
65+1.1 EUR
79+0.9 EUR
100+0.72 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6303N fdg6303n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDG6303N Multi channel transistors
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6304P fdg6304p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDG6304P Multi channel transistors
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.1 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG6335N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06
FDG6335N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
120+0.6 EUR
154+0.47 EUR
173+0.41 EUR
250+0.35 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH055N15A fdh055n15a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDH055N15A THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.78 EUR
11+6.79 EUR
12+6.42 EUR
30+6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH300A ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDH300A-ONS THT universal diodes
auf Bestellung 3690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
405+0.18 EUR
1613+0.044 EUR
1707+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 405
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH300ATR ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDH300ATR THT universal diodes
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
447+0.16 EUR
1894+0.038 EUR
2000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH333 ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDH333
Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.2A; bulk; Ifsm: 1A; DO35; Ufmax: 1.15V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 1A
Case: DO35
Power dissipation: 0.5W
Leakage current: 0.5µA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. load current: 0.6A
Capacitance: 6pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2714 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
538+0.13 EUR
758+0.094 EUR
872+0.082 EUR
968+0.074 EUR
1078+0.066 EUR
5000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH44N50 FDH44N50.pdf
FDH44N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.18 EUR
9+8.24 EUR
10+7.72 EUR
30+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDH45N50F-F133 fdh45n50f-d.pdf
FDH45N50F-F133
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.18 EUR
12+6.05 EUR
14+5.41 EUR
30+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDL100N50F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF2A0648539E28&compId=FDL100N50F.pdf?ci_sign=e15a30c5b9381050fdc1b844e6f4baecd1f27c0b
FDL100N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.5kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 238nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.48 EUR
25+17.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL300A ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDLL300A SMD universal diodes
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
480+0.15 EUR
1276+0.056 EUR
1352+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 480
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL3595 fdll3595-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDLL3595 SMD universal diodes
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
492+0.15 EUR
1220+0.059 EUR
1421+0.05 EUR
1502+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 492
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4148 1N91x_1N4x48.PDF
FDLL4148
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
1163+0.061 EUR
1273+0.056 EUR
1701+0.042 EUR
2025+0.035 EUR
3013+0.024 EUR
3598+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4448 1n914-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDLL4448 SMD universal diodes
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
584+0.12 EUR
2348+0.03 EUR
5000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 584
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZ fdma1032cz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.7/-3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
171+0.42 EUR
193+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZ fdma530pz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMA530PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
27+2.65 EUR
74+0.97 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA6023PZT fdma6023pzt-d.pdf FAIRS29209-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMA6023PZT Multi channel transistors
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
95+0.76 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF488B6BEB5E28&compId=FDMC4435BZ.pdf?ci_sign=66fb5574c0fda6b71c527f5b1fbafbb764fb341a
FDMC4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
63+1.14 EUR
71+1.02 EUR
83+0.86 EUR
106+0.68 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7660 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF4D36B10D5E28&compId=FDMC7660.pdf?ci_sign=a3f8e3c0e8cc9f77dae828e356702cd2412e3b82
FDMC7660
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC7692 fdmc7692-d.pdf
FDMC7692
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
90+0.8 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMC86139P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
82+0.87 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
44+1.66 EUR
46+1.59 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
55+1.3 EUR
60+1.2 EUR
67+1.07 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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