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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BDK-DCDC-GEVB ONSEMI Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCV890100
Kit contents: prototype board
Components: NCV890100
Type of accessories for development kits: expansion board
development kits accessories features: Arduino Shield compatible
Kind of connector: pin strips; power supply; screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDK-GEVK ONSEMI Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Comp: AX8052F100,RSL10
Kit contents: cable USB A plug - USB micro plug; prototype board
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Kind of connector: CR2032; pin strips; Pmod socket; USB micro
Components: AX8052F100; RSL10
Type of development kit: evaluation
Programmers and development kits features: Arduino Shield compatible; Bluetooth board
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDV64BG BDV64BG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD2C2BD2BFC469&compId=BDV64BG.PDF?ci_sign=4c1079444a53a2960458ba8411143278c88fd201 Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Kind of transistor: Darlington
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO247-3
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.62 EUR
29+2.47 EUR
31+2.35 EUR
120+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDW94C BDW94C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD3F12EE6F2469&compId=BDW94C.pdf?ci_sign=690bb5e4108c20232162073b0e046bcaf29ed0f5 Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.53 EUR
55+1.32 EUR
63+1.15 EUR
96+0.75 EUR
102+0.71 EUR
106+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDW94CFTU BDW94CFTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB98A9098A1A26C0C7&compId=BDW94CF.pdf?ci_sign=26247f9f884003755699e45e1db0005e5f645378 Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 30W; TO220FP
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Current gain: 100...20000
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX33BG ONSEMI bdx33b-d.pdf BDX33BG NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
19+3.76 EUR
52+1.37 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX33CG BDX33CG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD53DA19E66469&compId=BDX33CG.PDF?ci_sign=3e2e1e0a6e5046e04fe17405a866f364761d2af7 Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.2 EUR
18+3.98 EUR
49+1.46 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX53CG BDX53CG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C047218844F2F1A6F5005056AB5A8F&compId=BDX53B-D.pdf?ci_sign=056bde2716b5cf16cca2770a062bb6c5a608bf09 Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
80+0.9 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BF720T1G ONSEMI bf720t1-d.pdf BF720T1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
119+0.6 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BLDC-GEVK ONSEMI BLDC-GEVK_Web.pdf Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: LV8907UWR2G
Interface: I2C; I2C - Slave; SPI
Kit contents: prototype board
Kind of connector: pin strips; screw
Components: LV8907UWR2G
Type of accessories for development kits: expansion board
development kits accessories features: Arduino Shield compatible; brushless DC motor driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BLE-IOT-GEVB ONSEMI BLE-IOT-GEVB Development kits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BLE-SWITCH001-GEVB ONSEMI BLE-SWITCH001-GEVB Development kits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9656 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
281+0.25 EUR
355+0.2 EUR
472+0.15 EUR
625+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
283+0.26 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
191+0.37 EUR
264+0.27 EUR
307+0.23 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
229+0.31 EUR
358+0.2 EUR
432+0.17 EUR
589+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS270 BS270 ONSEMI bs270-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
205+0.35 EUR
361+0.2 EUR
374+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS270-D74Z BS270-D74Z ONSEMI bs270-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1G BSP16T1G ONSEMI bsp16t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Case: SOT223-4; TO261-4
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Polarisation: bipolar
Frequency: 15MHz
Type of transistor: PNP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
209+0.34 EUR
363+0.2 EUR
382+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP52T1G BSP52T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD7DC9F5AF8469&compId=BSP52.PDF?ci_sign=f8f7489c22d6fe1d0f211ca7b159e04be9517d45 description Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
138+0.52 EUR
350+0.2 EUR
371+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP52T3G BSP52T3G ONSEMI bsp52t1-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR14 BSR14 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A2C68912BA611C&compId=BSR14-FAI-DTE.pdf?ci_sign=40fa2ea9af78f21d0b0cec20c99dc89bdab152e2 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 40V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
195+0.37 EUR
281+0.25 EUR
334+0.21 EUR
575+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR16 BSR16 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A604A081FD811C&compId=bsr16-fai-dte.pdf?ci_sign=aeea5129443f61098bae866dab48fe26f1e51c35 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 300MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
183+0.39 EUR
268+0.27 EUR
317+0.23 EUR
569+0.13 EUR
603+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR57 ONSEMI bsr57-d.pdf BSR57 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3045 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
449+0.16 EUR
475+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR58 BSR58 ONSEMI bsr58-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 8mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 60Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
182+0.39 EUR
305+0.23 EUR
353+0.2 EUR
562+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88BD4DE6196469&compId=BSS123-FAI.pdf?ci_sign=3de4c6cb611ab88835293b2fa726130d1a2a405d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
421+0.17 EUR
652+0.11 EUR
785+0.091 EUR
1812+0.039 EUR
1916+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123L BSS123L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5CD04746BB1BF&compId=BSS123L-DTE.pdf?ci_sign=8ed27bc96459eaec35a984b9465205e2fecb1beb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
789+0.091 EUR
933+0.077 EUR
1401+0.051 EUR
1480+0.048 EUR
1530+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88C8D2E08DC469&compId=BSS123LT1G.PDF?ci_sign=b55620e6b77cef6fe7c68cb8bb58db635295da56 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
338+0.21 EUR
525+0.14 EUR
631+0.11 EUR
790+0.091 EUR
1593+0.045 EUR
1684+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W BSS123W ONSEMI bss123w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
360+0.2 EUR
530+0.14 EUR
600+0.12 EUR
670+0.11 EUR
710+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 360
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-G BSS138-G ONSEMI bss138-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
368+0.19 EUR
582+0.12 EUR
794+0.09 EUR
834+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 BSS138 ONSEMI bss138-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
562+0.13 EUR
944+0.076 EUR
1127+0.063 EUR
1429+0.05 EUR
1634+0.044 EUR
1793+0.04 EUR
1998+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 562
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138K BSS138K ONSEMI bss138k-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
589+0.12 EUR
837+0.086 EUR
958+0.075 EUR
1846+0.039 EUR
1954+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138L BSS138L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90D007811653C0D5&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=3b1c6cb55f89c6709af38d9d877a48d80e8ff74d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
486+0.15 EUR
619+0.12 EUR
696+0.1 EUR
819+0.087 EUR
1819+0.039 EUR
1924+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1G BSS138LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB81F5DA269A88E0C7&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=d4e7758a5e7668a7ea517da14f04673491c06f7a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
443+0.16 EUR
561+0.13 EUR
787+0.091 EUR
973+0.074 EUR
1755+0.041 EUR
1859+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT3G BSS138LT3G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB81F5DA269A88E0C7&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=d4e7758a5e7668a7ea517da14f04673491c06f7a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
397+0.18 EUR
527+0.14 EUR
772+0.093 EUR
1174+0.061 EUR
1254+0.057 EUR
1283+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138W BSS138W ONSEMI bss138w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
On-state resistance: 5.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5359 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
332+0.22 EUR
498+0.14 EUR
579+0.12 EUR
827+0.087 EUR
875+0.082 EUR
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1G ONSEMI bss63lt1-d.pdf BSS63LT1G PNP SMD transistors
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
335+0.21 EUR
1815+0.04 EUR
24000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 335
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI bss64lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 60MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
455+0.16 EUR
658+0.11 EUR
772+0.093 EUR
1731+0.041 EUR
1800+0.04 EUR
9000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84 BSS84 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A79C54FF631B7E27&compId=BSS84-FAI-DTE.pdf?ci_sign=10eb7458a116d15a6d31471c0c0ea3a7e5b68dc0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84LT1G BSS84LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F048F1A6F5005056AB5A8F&compId=BSS84LT1-D.pdf?ci_sign=745ad206972ef0844f90e852c06114644586bec5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
694+0.1 EUR
878+0.082 EUR
1009+0.071 EUR
1073+0.067 EUR
1634+0.044 EUR
1731+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 694
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSV52LT1G BSV52LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EE56EDC417718BF&compId=BSV52LT1G.pdf?ci_sign=9aba51a09e73d8610d94d50c3331d014b9d24ed0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 400MHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 40...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
353+0.2 EUR
634+0.11 EUR
1027+0.07 EUR
1087+0.066 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BU406G BU406G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD93F969D24469&compId=BU406G.PDF?ci_sign=d4cf8db71c24159305f82021fb1d0dd01a737008 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Frequency: 10MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.35 EUR
48+1.5 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
250+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUB323ZT4G ONSEMI bub323z-d.pdf BUB323ZT4G NPN SMD Darlington transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUL45D2G ONSEMI bul45d2-d.pdf description BUL45D2G NPN THT transistors
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.55 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUT11AFTU ONSEMI BUT11%28F%2CAF%29.pdf BUT11AFTU NPN THT transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.53 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUV21G ONSEMI buv21-d.pdf ONSMS37842-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BUV21 NPN THT transistors
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.18 EUR
4+22.28 EUR
100+21.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUX85G ONSEMI bux85-d.pdf BUX85 NPN THT transistors
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.28 EUR
105+0.69 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3770A345D5EA&compId=BUZ11.pdf?ci_sign=480bd9e80f6c319adc6605698b02b4ebbacc37a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
52+1.38 EUR
59+1.22 EUR
92+0.79 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS123LT1G BVSS123LT1G ONSEMI bss123lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
204+0.35 EUR
241+0.3 EUR
443+0.16 EUR
658+0.11 EUR
705+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI bss138lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1G ONSEMI bss84lt1-d.pdf BVSS84LT1G SMD P channel transistors
auf Bestellung 3362 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
203+0.35 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 203
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYV32-200G BYV32-200G ONSEMI byv32-200-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Leakage current: 0.6mA
Reverse recovery time: 35ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
36+2.02 EUR
44+1.64 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW29-200G ONSEMI byw29-d.pdf description BYW29-200G THT universal diodes
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
92+0.79 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW51-200G ONSEMI byw51-200-d.pdf BYW51-200G THT universal diodes
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.2 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW80-200G ONSEMI byw80-d.pdf description BYW80-200G THT universal diodes
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.67 EUR
83+0.86 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZG03C150G BZG03C150G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA4BD31B544BBE0C7&compId=bzg03c15.pdf?ci_sign=b404193c4524a81d71071edef655dbc39cbbf2ff Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 150V; SMD; reel,tape; SMA; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 150V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZG03C
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
269+0.27 EUR
338+0.21 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C10 BZX79C10 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.2uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
532+0.13 EUR
650+0.11 EUR
848+0.084 EUR
1069+0.067 EUR
1731+0.041 EUR
1832+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C11 ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIRS25069-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BZX79C2V0%20SERIES_H2304.pdf BZX79C11-FAI THT Zener diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C12 BZX79C12 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
569+0.13 EUR
676+0.11 EUR
834+0.086 EUR
1409+0.051 EUR
1784+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C15 BZX79C15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.05uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
658+0.11 EUR
893+0.08 EUR
2464+0.029 EUR
2874+0.025 EUR
2970+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDK-DCDC-GEVB
Hersteller: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCV890100
Kit contents: prototype board
Components: NCV890100
Type of accessories for development kits: expansion board
development kits accessories features: Arduino Shield compatible
Kind of connector: pin strips; power supply; screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDK-GEVK
Hersteller: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Comp: AX8052F100,RSL10
Kit contents: cable USB A plug - USB micro plug; prototype board
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Kind of connector: CR2032; pin strips; Pmod socket; USB micro
Components: AX8052F100; RSL10
Type of development kit: evaluation
Programmers and development kits features: Arduino Shield compatible; Bluetooth board
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDV64BG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD2C2BD2BFC469&compId=BDV64BG.PDF?ci_sign=4c1079444a53a2960458ba8411143278c88fd201
BDV64BG
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Kind of transistor: Darlington
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO247-3
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.62 EUR
29+2.47 EUR
31+2.35 EUR
120+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDW94C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD3F12EE6F2469&compId=BDW94C.pdf?ci_sign=690bb5e4108c20232162073b0e046bcaf29ed0f5
BDW94C
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.53 EUR
55+1.32 EUR
63+1.15 EUR
96+0.75 EUR
102+0.71 EUR
106+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDW94CFTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB98A9098A1A26C0C7&compId=BDW94CF.pdf?ci_sign=26247f9f884003755699e45e1db0005e5f645378
BDW94CFTU
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 30W; TO220FP
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Current gain: 100...20000
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX33BG bdx33b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BDX33BG NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
19+3.76 EUR
52+1.37 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX33CG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD53DA19E66469&compId=BDX33CG.PDF?ci_sign=3e2e1e0a6e5046e04fe17405a866f364761d2af7
BDX33CG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.2 EUR
18+3.98 EUR
49+1.46 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BDX53CG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C047218844F2F1A6F5005056AB5A8F&compId=BDX53B-D.pdf?ci_sign=056bde2716b5cf16cca2770a062bb6c5a608bf09
BDX53CG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
80+0.9 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BF720T1G bf720t1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BF720T1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
119+0.6 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BLDC-GEVK BLDC-GEVK_Web.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: LV8907UWR2G
Interface: I2C; I2C - Slave; SPI
Kit contents: prototype board
Kind of connector: pin strips; screw
Components: LV8907UWR2G
Type of accessories for development kits: expansion board
development kits accessories features: Arduino Shield compatible; brushless DC motor driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BLE-IOT-GEVB
Hersteller: ONSEMI
BLE-IOT-GEVB Development kits - others
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BLE-SWITCH001-GEVB
Hersteller: ONSEMI
BLE-SWITCH001-GEVB Development kits - others
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9656 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
281+0.25 EUR
355+0.2 EUR
472+0.15 EUR
625+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
283+0.26 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
191+0.37 EUR
264+0.27 EUR
307+0.23 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D27Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
229+0.31 EUR
358+0.2 EUR
432+0.17 EUR
589+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS270 bs270-d.pdf
BS270
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
205+0.35 EUR
361+0.2 EUR
374+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS270-D74Z bs270-d.pdf
BS270-D74Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1G bsp16t1-d.pdf
BSP16T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Case: SOT223-4; TO261-4
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Polarisation: bipolar
Frequency: 15MHz
Type of transistor: PNP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
209+0.34 EUR
363+0.2 EUR
382+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP52T1G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD7DC9F5AF8469&compId=BSP52.PDF?ci_sign=f8f7489c22d6fe1d0f211ca7b159e04be9517d45
BSP52T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
138+0.52 EUR
350+0.2 EUR
371+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP52T3G bsp52t1-d.pdf
BSP52T3G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR14 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A2C68912BA611C&compId=BSR14-FAI-DTE.pdf?ci_sign=40fa2ea9af78f21d0b0cec20c99dc89bdab152e2
BSR14
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 40V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
195+0.37 EUR
281+0.25 EUR
334+0.21 EUR
575+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR16 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A604A081FD811C&compId=bsr16-fai-dte.pdf?ci_sign=aeea5129443f61098bae866dab48fe26f1e51c35
BSR16
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 300MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
183+0.39 EUR
268+0.27 EUR
317+0.23 EUR
569+0.13 EUR
603+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR57 bsr57-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BSR57 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3045 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
449+0.16 EUR
475+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR58 bsr58-d.pdf
BSR58
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 8mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 60Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
182+0.39 EUR
305+0.23 EUR
353+0.2 EUR
562+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88BD4DE6196469&compId=BSS123-FAI.pdf?ci_sign=3de4c6cb611ab88835293b2fa726130d1a2a405d
BSS123
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
421+0.17 EUR
652+0.11 EUR
785+0.091 EUR
1812+0.039 EUR
1916+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5CD04746BB1BF&compId=BSS123L-DTE.pdf?ci_sign=8ed27bc96459eaec35a984b9465205e2fecb1beb
BSS123L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
789+0.091 EUR
933+0.077 EUR
1401+0.051 EUR
1480+0.048 EUR
1530+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88C8D2E08DC469&compId=BSS123LT1G.PDF?ci_sign=b55620e6b77cef6fe7c68cb8bb58db635295da56
BSS123LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
338+0.21 EUR
525+0.14 EUR
631+0.11 EUR
790+0.091 EUR
1593+0.045 EUR
1684+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W bss123w-d.pdf
BSS123W
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
360+0.2 EUR
530+0.14 EUR
600+0.12 EUR
670+0.11 EUR
710+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 360
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-G bss138-d.pdf
BSS138-G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
368+0.19 EUR
582+0.12 EUR
794+0.09 EUR
834+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 bss138-d.pdf
BSS138
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
562+0.13 EUR
944+0.076 EUR
1127+0.063 EUR
1429+0.05 EUR
1634+0.044 EUR
1793+0.04 EUR
1998+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 562
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138K bss138k-d.pdf
BSS138K
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
589+0.12 EUR
837+0.086 EUR
958+0.075 EUR
1846+0.039 EUR
1954+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90D007811653C0D5&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=3b1c6cb55f89c6709af38d9d877a48d80e8ff74d
BSS138L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
486+0.15 EUR
619+0.12 EUR
696+0.1 EUR
819+0.087 EUR
1819+0.039 EUR
1924+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB81F5DA269A88E0C7&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=d4e7758a5e7668a7ea517da14f04673491c06f7a
BSS138LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
443+0.16 EUR
561+0.13 EUR
787+0.091 EUR
973+0.074 EUR
1755+0.041 EUR
1859+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB81F5DA269A88E0C7&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=d4e7758a5e7668a7ea517da14f04673491c06f7a
BSS138LT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
397+0.18 EUR
527+0.14 EUR
772+0.093 EUR
1174+0.061 EUR
1254+0.057 EUR
1283+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138W bss138w-d.pdf
BSS138W
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
On-state resistance: 5.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5359 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
332+0.22 EUR
498+0.14 EUR
579+0.12 EUR
827+0.087 EUR
875+0.082 EUR
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BSS63LT1G PNP SMD transistors
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
335+0.21 EUR
1815+0.04 EUR
24000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 335
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
BSS64LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 60MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
455+0.16 EUR
658+0.11 EUR
772+0.093 EUR
1731+0.041 EUR
1800+0.04 EUR
9000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A79C54FF631B7E27&compId=BSS84-FAI-DTE.pdf?ci_sign=10eb7458a116d15a6d31471c0c0ea3a7e5b68dc0
BSS84
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F048F1A6F5005056AB5A8F&compId=BSS84LT1-D.pdf?ci_sign=745ad206972ef0844f90e852c06114644586bec5
BSS84LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
694+0.1 EUR
878+0.082 EUR
1009+0.071 EUR
1073+0.067 EUR
1634+0.044 EUR
1731+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 694
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSV52LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EE56EDC417718BF&compId=BSV52LT1G.pdf?ci_sign=9aba51a09e73d8610d94d50c3331d014b9d24ed0
BSV52LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 400MHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 40...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
353+0.2 EUR
634+0.11 EUR
1027+0.07 EUR
1087+0.066 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BU406G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD93F969D24469&compId=BU406G.PDF?ci_sign=d4cf8db71c24159305f82021fb1d0dd01a737008
BU406G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Frequency: 10MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
48+1.5 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
250+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUB323ZT4G bub323z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BUB323ZT4G NPN SMD Darlington transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUL45D2G description bul45d2-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BUL45D2G NPN THT transistors
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUT11AFTU BUT11%28F%2CAF%29.pdf
Hersteller: ONSEMI
BUT11AFTU NPN THT transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.53 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUV21G buv21-d.pdf ONSMS37842-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
BUV21 NPN THT transistors
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.18 EUR
4+22.28 EUR
100+21.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUX85G bux85-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BUX85 NPN THT transistors
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.28 EUR
105+0.69 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3770A345D5EA&compId=BUZ11.pdf?ci_sign=480bd9e80f6c319adc6605698b02b4ebbacc37a1
BUZ11-NR4941
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
52+1.38 EUR
59+1.22 EUR
92+0.79 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BVSS123LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
204+0.35 EUR
241+0.3 EUR
443+0.16 EUR
658+0.11 EUR
705+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS138LT1G bss138lt1-d.pdf
BVSS138LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1G bss84lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BVSS84LT1G SMD P channel transistors
auf Bestellung 3362 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
203+0.35 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 203
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYV32-200G byv32-200-d.pdf
BYV32-200G
Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Leakage current: 0.6mA
Reverse recovery time: 35ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
36+2.02 EUR
44+1.64 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW29-200G description byw29-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BYW29-200G THT universal diodes
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
92+0.79 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW51-200G byw51-200-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BYW51-200G THT universal diodes
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.2 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW80-200G description byw80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BYW80-200G THT universal diodes
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.67 EUR
83+0.86 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZG03C150G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA4BD31B544BBE0C7&compId=bzg03c15.pdf?ci_sign=b404193c4524a81d71071edef655dbc39cbbf2ff
BZG03C150G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 150V; SMD; reel,tape; SMA; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 150V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZG03C
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
269+0.27 EUR
338+0.21 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C10
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.2uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
532+0.13 EUR
650+0.11 EUR
848+0.084 EUR
1069+0.067 EUR
1731+0.041 EUR
1832+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C11 ONSM-S-A0003579732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIRS25069-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BZX79C2V0%20SERIES_H2304.pdf
Hersteller: ONSEMI
BZX79C11-FAI THT Zener diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C12 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C12
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
569+0.13 EUR
676+0.11 EUR
834+0.086 EUR
1409+0.051 EUR
1784+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C15
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.05uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
658+0.11 EUR
893+0.08 EUR
2464+0.029 EUR
2874+0.025 EUR
2970+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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