Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDD8447L | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8451 | ONSEMI |
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auf Bestellung 2034 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD850N10L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.1A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2353 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86102 | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDD86102LZ | ONSEMI |
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auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86110 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A On-state resistance: 10.2mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 127W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDD86250 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 132W Polarisation: unipolar Gate charge: 33nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 164A Mounting: SMD Case: DPAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86252 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 103mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2458 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86367 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A On-state resistance: 8.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 88nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86367-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDD86369 | ONSEMI |
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FDD86369-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDD86380-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDD86381-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDD8647L | ONSEMI |
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auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86540 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDD86567-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDD8770 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDD8796 | ONSEMI |
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FDD8796/BKN | ONSEMI | FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDD8870 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDD8876 | ONSEMI |
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auf Bestellung 2483 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8878 | ONSEMI |
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FDD8880 | ONSEMI |
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auf Bestellung 2496 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8896 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 94A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1211 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8N50NZTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
FDD9409-F085 | ONSEMI |
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FDFS2P106A | ONSEMI |
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FDG1024NZ | ONSEMI |
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FDG316P | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDG327N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.42W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.115Ω Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDG6301N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.4nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6301N-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDG6303N | ONSEMI |
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auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6304P | ONSEMI |
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auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6308P | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDG6317NZ | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDG6321C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 0.5/-0.41A On-state resistance: 720/1800mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 2.3/1.5nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8/±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2588 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6322C | ONSEMI |
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auf Bestellung 1501 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6332C | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDG6335N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 442mΩ Gate charge: 1.4nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG8850NZ | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDH038AN08A1 | ONSEMI |
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FDH047AN08A0 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDH055N15A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 118A Power dissipation: 429W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDH210N08 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDH333 | ONSEMI |
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auf Bestellung 3057 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDH3632 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDH44N50 | ONSEMI |
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auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDH45N50F-F133 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDI150N10 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDL100N50F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264 Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A Case: TO264 Polarisation: unipolar On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 2.5kW Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate charge: 238nC Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDLL300A | ONSEMI |
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auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDLL4148 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD80 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.4A Max. forward impulse current: 1A Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19631 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDLL4148-D87Z | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD80 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.4A Max. forward impulse current: 1A Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDLL4448 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD80 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.4A Max. forward impulse current: 1A Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3548 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDLL914 | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDM3622 | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDMA037N08LC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6A; Idm: 55A; 2.4W; WDFN6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 6A On-state resistance: 61mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 55A Case: WDFN6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
FDD8447L | ![]() |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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59+ | 1.22 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.82 EUR |
FDD8451 |
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Hersteller: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
FDD8451 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2034 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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53+ | 1.37 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
105+ | 0.69 EUR |
FDD850N10L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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52+ | 1.40 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.80 EUR |
FDD86102 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD86102 SMD N channel transistors
FDD86102 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD86102LZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD86102LZ SMD N channel transistors
FDD86102LZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.93 EUR |
60+ | 1.20 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
500+ | 1.10 EUR |
FDD86110 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 127W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 127W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD86250 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 164A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 164A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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32+ | 2.30 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
500+ | 1.66 EUR |
1000+ | 1.62 EUR |
FDD86252 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 1.30 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
1000+ | 0.94 EUR |
2500+ | 0.93 EUR |
FDD86367 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.96 EUR |
43+ | 1.69 EUR |
46+ | 1.59 EUR |
250+ | 1.56 EUR |
500+ | 1.52 EUR |
FDD86367-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD86367-F085 SMD N channel transistors
FDD86367-F085 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDD86369 |
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Hersteller: ONSEMI
FDD86369 SMD N channel transistors
FDD86369 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDD86369-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD86369-F085 SMD N channel transistors
FDD86369-F085 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDD86380-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD86380-F085 SMD N channel transistors
FDD86380-F085 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDD86381-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD86381-F085 SMD N channel transistors
FDD86381-F085 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDD8647L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD8647L SMD N channel transistors
FDD8647L SMD N channel transistors
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
43+ | 1.69 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
FDD86540 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD86540 SMD N channel transistors
FDD86540 SMD N channel transistors
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FDD86567-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD86567-F085 SMD N channel transistors
FDD86567-F085 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDD8770 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD8770 SMD N channel transistors
FDD8770 SMD N channel transistors
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FDD8796 |
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Hersteller: ONSEMI
FDD8796 SMD N channel transistors
FDD8796 SMD N channel transistors
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FDD8796/BKN |
Hersteller: ONSEMI
FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors
FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors
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FDD8870 |
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Hersteller: ONSEMI
FDD8870 SMD N channel transistors
FDD8870 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDD8876 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD8876 SMD N channel transistors
FDD8876 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.86 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
71+ | 1.01 EUR |
500+ | 1.00 EUR |
FDD8878 |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD8878 SMD N channel transistors
FDD8878 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDD8880 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD8880 SMD N channel transistors
FDD8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
144+ | 0.50 EUR |
152+ | 0.47 EUR |
5000+ | 0.46 EUR |
FDD8896 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.74 EUR |
62+ | 1.15 EUR |
98+ | 0.73 EUR |
104+ | 0.69 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
FDD8N50NZTM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
FDD9409-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD9409-F085 SMD N channel transistors
FDD9409-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FDFS2P106A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDFS2P106A SMD P channel transistors
FDFS2P106A SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDG1024NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG1024NZ Multi channel transistors
FDG1024NZ Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDG316P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG316P SMD P channel transistors
FDG316P SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDG327N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.42W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.115Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.42W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.115Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
FDG6301N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
157+ | 0.46 EUR |
182+ | 0.39 EUR |
200+ | 0.36 EUR |
273+ | 0.26 EUR |
1000+ | 0.20 EUR |
FDG6301N-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6301N-F085 Multi channel transistors
FDG6301N-F085 Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
FDG6303N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6303N Multi channel transistors
FDG6303N Multi channel transistors
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
149+ | 0.48 EUR |
369+ | 0.19 EUR |
390+ | 0.18 EUR |
FDG6304P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6304P Multi channel transistors
FDG6304P Multi channel transistors
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
106+ | 0.68 EUR |
271+ | 0.26 EUR |
286+ | 0.25 EUR |
FDG6308P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6308P Multi channel transistors
FDG6308P Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDG6317NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6317NZ Multi channel transistors
FDG6317NZ Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDG6321C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.5/-0.41A
On-state resistance: 720/1800mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.5/-0.41A
On-state resistance: 720/1800mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
97+ | 0.74 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
261+ | 0.27 EUR |
275+ | 0.26 EUR |
3000+ | 0.25 EUR |
FDG6322C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6322C Multi channel transistors
FDG6322C Multi channel transistors
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
146+ | 0.49 EUR |
273+ | 0.26 EUR |
289+ | 0.25 EUR |
3000+ | 0.24 EUR |
FDG6332C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6332C Multi channel transistors
FDG6332C Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDG6335N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
111+ | 0.65 EUR |
143+ | 0.50 EUR |
232+ | 0.31 EUR |
246+ | 0.29 EUR |
3000+ | 0.28 EUR |
FDG8850NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG8850NZ Multi channel transistors
FDG8850NZ Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDH038AN08A1 |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH038AN08A1 THT N channel transistors
FDH038AN08A1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDH047AN08A0 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH047AN08A0 THT N channel transistors
FDH047AN08A0 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDH055N15A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Power dissipation: 429W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Power dissipation: 429W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.85 EUR |
11+ | 6.78 EUR |
12+ | 6.41 EUR |
FDH210N08 |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH210N08 THT N channel transistors
FDH210N08 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDH333 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH333 THT universal diodes
FDH333 THT universal diodes
auf Bestellung 3057 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.41 EUR |
1214+ | 0.06 EUR |
1286+ | 0.06 EUR |
FDH3632 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH3632 THT N channel transistors
FDH3632 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDH44N50 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH44N50 THT N channel transistors
FDH44N50 THT N channel transistors
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.37 EUR |
9+ | 8.17 EUR |
450+ | 7.97 EUR |
FDH45N50F-F133 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH45N50F-F133 THT N channel transistors
FDH45N50F-F133 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDI045N10A-F102 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDI045N10A-F102 THT N channel transistors
FDI045N10A-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDI150N10 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDI150N10 THT N channel transistors
FDI150N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDL100N50F |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: TO264
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 2.5kW
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 238nC
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: TO264
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 2.5kW
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 238nC
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.32 EUR |
25+ | 18.00 EUR |
100+ | 17.60 EUR |
FDLL300A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDLL300A SMD universal diodes
FDLL300A SMD universal diodes
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
230+ | 0.31 EUR |
1279+ | 0.06 EUR |
1352+ | 0.05 EUR |
62500+ | 0.05 EUR |
FDLL4148 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
546+ | 0.13 EUR |
736+ | 0.10 EUR |
807+ | 0.09 EUR |
1185+ | 0.06 EUR |
1389+ | 0.05 EUR |
1558+ | 0.05 EUR |
2233+ | 0.03 EUR |
FDLL4148-D87Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDLL4448 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
548+ | 0.13 EUR |
944+ | 0.08 EUR |
1511+ | 0.05 EUR |
1619+ | 0.04 EUR |
3031+ | 0.02 EUR |
3206+ | 0.02 EUR |
100000+ | 0.02 EUR |
FDLL914 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDLL914 SMD universal diodes
FDLL914 SMD universal diodes
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Stück im Wert von UAH
FDM3622 |
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Hersteller: ONSEMI
FDM3622 SMD N channel transistors
FDM3622 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FDMA037N08LC |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6A; Idm: 55A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6A
On-state resistance: 61mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 55A
Case: WDFN6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6A; Idm: 55A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6A
On-state resistance: 61mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 55A
Case: WDFN6
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