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EGP20J

EGP20J onsemi

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Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO15
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-15
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details EGP20J onsemi

Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO15, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-15, Current - Average Rectified (Io): 2A, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
EGP20J EGP20J Fairchild Semiconductor FAIRS45036-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO15
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-15
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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EGP20J EGP20J onsemi egp20k-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO15
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-15
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
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EGP20J
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO15
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-15
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
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Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-15
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
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Hersteller: ZOWIE
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