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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMS86320 ONSEMI fdms86320-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322 ONSEMI fdms86322-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350 ONSEMI fdms86350-d.pdf FDMS86350 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80 ONSEMI fdms86350et80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86500DC ONSEMI fdms86500dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86500L ONSEMI fdms86500l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520 ONSEMI fdms86520-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86540 ONSEMI fdms86540-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 642A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86550 ONSEMI fdms86550-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86550ET60 ONSEMI fdms86550et60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 1068A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 ONSEMI fdms8680-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8820 ONSEMI fdms8820-d.pdf FDMS8820 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8D8N15C ONSEMI fdms8d8n15c-d.pdf FDMS8D8N15C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9600S ONSEMI fdms9600s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 32/30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13/8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620S ONSEMI fdms9620s-d.pdf FDMS9620S Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT1D3N08B ONSEMI fdmt1d3n08b-d.pdf FDMT1D3N08B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DC ONSEMI fdmt800100dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
On-state resistance: 5.39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 989A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC ONSEMI fdmt800120dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 81A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 107nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 767A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800150DC ONSEMI fdmt800150dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 561A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 561A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800152DC ONSEMI fdmt800152dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 413A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DC ONSEMI fdmt80040dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 265A
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 338nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2644A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DC ONSEMI fdmt80060dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 238nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1825A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DC ONSEMI fdmt80080dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
On-state resistance: 2.22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 273nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1453A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20 ONSEMI fdn028n20-d.pdf FDN028N20 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P ONSEMI fdn302p-d.pdf FDN302P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
123+0.58 EUR
338+0.21 EUR
358+0.20 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P ONSEMI FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN304P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
219+0.33 EUR
232+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZ ONSEMI FAIRS43351-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN304PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P ONSEMI FDN306P-D.pdf FDN306P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
283+0.25 EUR
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N FDN327N ONSEMI FDN327N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.50 EUR
180+0.40 EUR
220+0.33 EUR
275+0.26 EUR
360+0.20 EUR
397+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N ONSEMI fdn335n-d.pdf FDN335N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
305+0.23 EUR
325+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P FDN336P ONSEMI FDN336P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
158+0.45 EUR
196+0.37 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N FDN337N ONSEMI FDN337N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4523 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.60 EUR
222+0.32 EUR
296+0.24 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P ONSEMI fdn338p-d.pdf FDN338P SMD P channel transistors
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
118+0.61 EUR
274+0.26 EUR
290+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN ONSEMI FDN339AN-D.PDF FDN339AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P FDN340P ONSEMI FDN340P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
179+0.40 EUR
234+0.31 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352AP ONSEMI fdn352ap-d.pdf FDN352AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
113+0.64 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N ONSEMI FDN357N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
149+0.48 EUR
180+0.40 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN358P SMD P channel transistors
auf Bestellung 5063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
116+0.62 EUR
285+0.25 EUR
302+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN ONSEMI fdn359an-d.pdf FDN359AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
298+0.24 EUR
317+0.23 EUR
1500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN ONSEMI fdn359bn-d.pdf FDN359BN SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360P ONSEMI fdn360p-d.pdf FDN360P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.49 EUR
419+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537N ONSEMI fdn537n-d.pdf FDN537N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.80 EUR
171+0.42 EUR
180+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630 ONSEMI FDN5630.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
169+0.42 EUR
226+0.32 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085 FDN5632N-F085 ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
103+0.70 EUR
171+0.42 EUR
181+0.40 EUR
500+0.38 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601 ONSEMI fdn8601-d.pdf FDN8601 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246 ONSEMI fdn86246-d.pdf FDN86246 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265P ONSEMI fdn86265p-d.pdf FDN86265P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86501LZ ONSEMI fdn86501lz-d.pdf FDN86501LZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP020N06B-F102 ONSEMI fdp020n06b-d.pdf FDP020N06B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP023N08B-F102 ONSEMI fdp023n08b-d.pdf FDP023N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP025N06 ONSEMI fdp025n06-d.pdf FDP025N06 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP027N08B-F102 ONSEMI fdp027n08b-d.pdf FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP030N06 ONSEMI fdp030n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP030N06B-F102 ONSEMI fdp030n06b-f102-d.pdf FDP030N06B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP032N08 ONSEMI fdp032n08-d.pdf FDP032N08 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP032N08B-F102 ONSEMI fdp032n08b-d.pdf FDP032N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A ONSEMI fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf FDP036N10A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP038AN06A0 FDP038AN06A0 ONSEMI fdp038an06a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.56 EUR
18+4.10 EUR
22+3.30 EUR
23+3.13 EUR
250+3.05 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP039N08B-F102 ONSEMI ONSM-S-A0003584668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdp039n08b-d.pdf FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86320 fdms86320-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 44A; Idm: 160A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86322 fdms86322-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 200A; 104W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350 fdms86350-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS86350 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86350ET80 fdms86350et80-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86500DC fdms86500dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86500L fdms86500l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 799A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520 fdms86520-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86540 fdms86540-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 642A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86550 fdms86550-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 1021A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86550ET60 fdms86550et60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; Idm: 1068A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Pulsed drain current: 1068A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8680 fdms8680-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8820 fdms8820-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS8820 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8D8N15C fdms8d8n15c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS8D8N15C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9600S fdms9600s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 32/30A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13/8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620S fdms9620s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS9620S Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT1D3N08B fdmt1d3n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMT1D3N08B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
On-state resistance: 5.39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 989A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC fdmt800120dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 81A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 107nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 767A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800150DC fdmt800150dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 561A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 561A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800152DC fdmt800152dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 413A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DC fdmt80040dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 265A
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 338nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2644A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DC fdmt80060dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 238nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1825A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DC fdmt80080dc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Mounting: SMD
Case: DFNW8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
On-state resistance: 2.22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 273nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1453A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20 fdn028n20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P fdn302p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
123+0.58 EUR
338+0.21 EUR
358+0.20 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDN304P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
219+0.33 EUR
232+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZ FAIRS43351-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDN304PZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P FDN306P-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN306P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
283+0.25 EUR
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N FDN327N.pdf
FDN327N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.50 EUR
180+0.40 EUR
220+0.33 EUR
275+0.26 EUR
360+0.20 EUR
397+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N fdn335n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
305+0.23 EUR
325+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P FDN336P.pdf
FDN336P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
158+0.45 EUR
196+0.37 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N FDN337N.pdf
FDN337N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4523 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.60 EUR
222+0.32 EUR
296+0.24 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P fdn338p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN338P SMD P channel transistors
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
118+0.61 EUR
274+0.26 EUR
290+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDN339AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P FDN340P.pdf
FDN340P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3369 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
179+0.40 EUR
234+0.31 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352AP fdn352ap-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN352AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
113+0.64 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N.pdf
FDN357N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
149+0.48 EUR
180+0.40 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDN358P SMD P channel transistors
auf Bestellung 5063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
116+0.62 EUR
285+0.25 EUR
302+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN fdn359an-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN359AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
298+0.24 EUR
317+0.23 EUR
1500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN359BN SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360P fdn360p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN360P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
145+0.49 EUR
419+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537N fdn537n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.80 EUR
171+0.42 EUR
180+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 FDN5630.pdf
FDN5630
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
169+0.42 EUR
226+0.32 EUR
358+0.20 EUR
376+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085 fdn5632n-f085-d.pdf
FDN5632N-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
103+0.70 EUR
171+0.42 EUR
181+0.40 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601 fdn8601-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN8601 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246 fdn86246-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN86246 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265P fdn86265p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN86265P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86501LZ fdn86501lz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN86501LZ SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP020N06B-F102 fdp020n06b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP020N06B-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP023N08B-F102 fdp023n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP023N08B-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP025N06 fdp025n06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP025N06 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP027N08B-F102 fdp027n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP027N08B-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP030N06 fdp030n06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP030N06B-F102 fdp030n06b-f102-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP030N06B-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP032N08 fdp032n08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP032N08 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP032N08B-F102 fdp032n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP032N08B-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf 5fa52e0bc1980e575636859e2bf25630.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP036N10A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP038AN06A0 fdp038an06a0-d.pdf
FDP038AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.56 EUR
18+4.10 EUR
22+3.30 EUR
23+3.13 EUR
250+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP039N08B-F102 ONSM-S-A0003584668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdp039n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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