Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDPF2710T | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
FDPF2D3N10C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 157A Pulsed drain current: 888A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
FDPF320N06L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
FDPF33N25T | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDPF3860T | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDPF390N15A | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
FDPF39N20 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Drain current: 23.4A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 49nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
FDPF3N50NZ | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDPF51N25 | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
FDPF55N06 | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
FDPF8D5N10C | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS2572 | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 2439 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
FDS2582 | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 877 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
FDS2670 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS2672 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS2734 | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 2483 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
FDS3572 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS3580 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
FDS3590 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 6.5A On-state resistance: 86mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS3672 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
FDS3692 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS3890 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
FDS3992 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 123mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
FDS4435BZ | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1894 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
FDS4465 | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 1996 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
FDS4470 | ONSEMI |
![]() ![]() |
auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS4480 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4501h | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8 Drain current: 9.3/-5.6A Gate charge: 21/27nC Drain-source voltage: 30/-20V Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20/±8V Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Polarisation: unipolar Mounting: SMD On-state resistance: 80/29mΩ Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
FDS4672A | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
FDS4675 | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS4685 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.2A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 793 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4935A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4935BZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.9A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2088 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS5351 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.1A On-state resistance: 58.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
FDS5670 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS5672 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS6375 | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 1616 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
FDS6574A | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS6575 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS6576 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
FDS6612A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.4A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
FDS6670A | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS6673BZ | ONSEMI |
![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
FDS6675BZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 21.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1295 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
FDS6679AZ | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 1157 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
FDS6680A | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 1912 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 260nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2535 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
FDS6682 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
FDS6690A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
FDS6699S | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS6875 | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 1693 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDS6898A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 21mΩ Gate charge: 23nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.4A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2287 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
FDS6898AZ | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS6910 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS6911 | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS6912A | ONSEMI |
![]() |
auf Bestellung 2346 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
FDS6930A | ONSEMI |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
FDS6930B | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 62mΩ Gate charge: 3.8nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
FDS6990A | ONSEMI |
![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
FDS8447 | ONSEMI |
![]() ![]() |
auf Bestellung 1783 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
FDPF2710T |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDPF2710T THT N channel transistors
FDPF2710T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDPF2D3N10C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDPF320N06L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDPF33N25T |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDPF33N25T THT N channel transistors
FDPF33N25T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDPF3860T |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDPF3860T THT N channel transistors
FDPF3860T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDPF390N15A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDPF390N15A THT N channel transistors
FDPF390N15A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDPF39N20 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDPF3N50NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDPF3N50NZ-ONS THT N channel transistors
FDPF3N50NZ-ONS THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDPF51N25 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDPF51N25 THT N channel transistors
FDPF51N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.25 EUR |
26+ | 2.75 EUR |
250+ | 1.80 EUR |
FDPF55N06 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDPF55N06 THT N channel transistors
FDPF55N06 THT N channel transistors
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.65 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
500+ | 1.36 EUR |
FDPF8D5N10C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDPF8D5N10C THT N channel transistors
FDPF8D5N10C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS2572 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS2572 SMD N channel transistors
FDS2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.07 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
FDS2582 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS2582 SMD N channel transistors
FDS2582 SMD N channel transistors
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
51+ | 1.42 EUR |
80+ | 0.90 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
FDS2670 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS2670 SMD N channel transistors
FDS2670 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS2672 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS2672 SMD N channel transistors
FDS2672 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS2734 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS2734 SMD N channel transistors
FDS2734 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.42 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
FDS3572 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS3572 SMD N channel transistors
FDS3572 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS3580 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS3580 SMD N channel transistors
FDS3580 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS3590 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 86mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 86mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
116+ | 0.62 EUR |
500+ | 0.60 EUR |
FDS3672 |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS3692 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS3692 SMD N channel transistors
FDS3692 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS3890 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS3890 Multi channel transistors
FDS3890 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS3992 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS4435BZ | ![]() |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.10 EUR |
102+ | 0.70 EUR |
159+ | 0.45 EUR |
168+ | 0.43 EUR |
250+ | 0.41 EUR |
FDS4465 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS4465 SMD P channel transistors
FDS4465 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.06 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
1000+ | 1.09 EUR |
FDS4470 | ![]() |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
FDS4470 SMD N channel transistors
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.57 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
FDS4480 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.23 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
500+ | 0.78 EUR |
FDS4501h |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Drain current: 9.3/-5.6A
Gate charge: 21/27nC
Drain-source voltage: 30/-20V
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 80/29mΩ
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Drain current: 9.3/-5.6A
Gate charge: 21/27nC
Drain-source voltage: 30/-20V
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 80/29mΩ
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS4672A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS4672A SMD N channel transistors
FDS4672A SMD N channel transistors
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
43+ | 1.69 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
1000+ | 0.89 EUR |
FDS4675 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS4675 SMD P channel transistors
FDS4675 SMD P channel transistors
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.97 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
500+ | 0.90 EUR |
FDS4685 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.80 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
500+ | 0.76 EUR |
FDS4935A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
45+ | 1.62 EUR |
63+ | 1.15 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
105+ | 0.69 EUR |
500+ | 0.66 EUR |
FDS4935BZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
51+ | 1.42 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
126+ | 0.57 EUR |
133+ | 0.54 EUR |
1000+ | 0.53 EUR |
2500+ | 0.52 EUR |
FDS5351 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
60+ | 1.20 EUR |
79+ | 0.90 EUR |
92+ | 0.77 EUR |
500+ | 0.46 EUR |
FDS5670 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS5670 SMD N channel transistors
FDS5670 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS5672 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS5672 SMD N channel transistors
FDS5672 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6375 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
FDS6375 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1616 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
47+ | 1.53 EUR |
108+ | 0.67 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
FDS6574A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6574A SMD N channel transistors
FDS6574A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6575 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6575 SMD P channel transistors
FDS6575 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6576 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6576 SMD P channel transistors
FDS6576 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6612A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6670A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6670A SMD N channel transistors
FDS6670A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6673BZ | ![]() |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6673BZ SMD P channel transistors
FDS6673BZ SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6675BZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
68+ | 1.06 EUR |
94+ | 0.77 EUR |
127+ | 0.56 EUR |
135+ | 0.53 EUR |
1000+ | 0.52 EUR |
2500+ | 0.51 EUR |
FDS6679AZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6679AZ SMD P channel transistors
FDS6679AZ SMD P channel transistors
auf Bestellung 1157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.37 EUR |
108+ | 0.66 EUR |
115+ | 0.63 EUR |
1000+ | 0.60 EUR |
FDS6680A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6680A SMD N channel transistors
FDS6680A SMD N channel transistors
auf Bestellung 1912 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 1.12 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
FDS6681Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 260nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 260nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.39 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
60+ | 1.20 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
100+ | 1.12 EUR |
250+ | 1.09 EUR |
FDS6682 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6682 SMD N channel transistors
FDS6682 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6690A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
79+ | 0.92 EUR |
140+ | 0.51 EUR |
148+ | 0.48 EUR |
250+ | 0.47 EUR |
500+ | 0.46 EUR |
FDS6699S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6699S SMD N channel transistors
FDS6699S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6875 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6875 Multi channel transistors
FDS6875 Multi channel transistors
auf Bestellung 1693 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.33 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.80 EUR |
FDS6898A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
43+ | 1.69 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
89+ | 0.81 EUR |
94+ | 0.76 EUR |
FDS6898AZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6898AZ SMD N channel transistors
FDS6898AZ SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6910 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6910 Multi channel transistors
FDS6910 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6911 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6911 Multi channel transistors
FDS6911 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6912A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6912A Multi channel transistors
FDS6912A Multi channel transistors
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1.00 EUR |
141+ | 0.51 EUR |
148+ | 0.48 EUR |
FDS6930A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6930A Multi channel transistors
FDS6930A Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS6930B |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 62mΩ
Gate charge: 3.8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 62mΩ
Gate charge: 3.8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
140+ | 0.51 EUR |
250+ | 0.31 EUR |
2500+ | 0.30 EUR |
FDS6990A |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS6990A SMD N channel transistors
FDS6990A SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDS8447 | ![]() |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
FDS8447 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.55 EUR |
66+ | 1.08 EUR |
70+ | 1.03 EUR |