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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMD82100L ONSEMI FDMD82100L-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240L ONSEMI fdmd8240l-d.pdf FDMD8240L Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240LET40 ONSEMI fdmd8240let40-d.pdf FDMD8240LET40 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8260L ONSEMI FAIR-S-A0001013603-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMD8260L Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8260LET60 ONSEMI ONSM-S-A0003591008-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 304A
Power dissipation: 44W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8280 ONSEMI FDMD8280.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 38W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD84100 ONSEMI fdmd84100-d.pdf FDMD84100 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD86100 ONSEMI fdmd86100-d.pdf FDMD86100 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8680 ONSEMI fdmd8680-d.pdf FDMD8680 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME1023PZT ONSEMI fdme1023pzt-d.pdf FDME1023PZT Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME1024NZT ONSEMI fdme1024nzt-d.pdf FDME1024NZT Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME1034CZT ONSEMI fdme1034czt-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.8/-2.6A; 1.4W; uDFN6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.8/-2.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 530/160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7/4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME510PZT ONSEMI fdme510pzt-d.pdf FDME510PZT SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME820NZT ONSEMI fdme820nzt-d.pdf FDME820NZT SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME905PT ONSEMI fdme905pt-d.pdf FDME905PT SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME910PZT ONSEMI FDME910PZT-D.PDF FDME910PZT SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDML7610S ONSEMI fdml7610s-d.pdf FDML7610S SMD N channel transistors
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FDMQ8203 ONSEMI FDMQ8203.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-80V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 323/191mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Gate charge: 19/5nC
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205 ONSEMI fdmq8205-d.pdf FDMQ8205 Integrated circuits - others
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205A ONSEMI fdmq8205a-d.pdf FDMQ8205A Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8403 ONSEMI fdmq8403-d.pdf FDMQ8403 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ86530L ONSEMI fdmq86530l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08C ONSEMI fdms003n08c-d.pdf FDMS003N08C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004N08C ONSEMI fdms004n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 637A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS007N08LC ONSEMI fdms007n08lc-d.pdf FDMS007N08LC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS015N04B ONSEMI FDMS015N04B-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0300S ONSEMI fdms0300s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 180A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0306AS ONSEMI fdms0306as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0308AS ONSEMI fdms0308as-d.pdf FDMS0308AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0309AS ONSEMI fdms0309as-d.pdf FDMS0309AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS030N06B ONSEMI fdms030n06b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310AS ONSEMI fdms0310as-d.pdf FDMS0310AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312AS ONSEMI FAIR-S-A0002363693-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMS0312AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312S ONSEMI FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 46nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Case: Power56
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08B ONSEMI fdms037n08b-d.pdf FDMS037N08B SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS039N08B ONSEMI fdms039n08b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS10C4D2N ONSEMI fdms10c4d2n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 510A
Case: Power56
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS1D2N03DSD ONSEMI fdms1d2n03dsd-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2572 ONSEMI fdms2572-d.pdf FDMS2572 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2672 ONSEMI ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMS2672 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734 ONSEMI FDMS2734-D.pdf FDMS2734 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D5N08C ONSEMI fdms2d5n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 823A
Power dissipation: 138W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500 ONSEMI fdms3500-d.pdf FDMS3500 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572 ONSEMI fdms3572-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604S ONSEMI FAIR-S-A0002363607-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3606S ONSEMI FAIR-S-A0002363793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMS3606S Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2602 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
40+1.79 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
250+1.44 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662 ONSEMI fdms3662-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 90A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.20 EUR
63+1.14 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669S ONSEMI fdms3669s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672 ONSEMI fdms3672-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 30A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3D5N08LC ONSEMI fdms3d5n08lc-d.pdf FDMS3D5N08LC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4435BZ FDMS4435BZ ONSEMI FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2347 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
52+1.38 EUR
81+0.89 EUR
86+0.84 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12C ONSEMI fdms4d0n12c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Power dissipation: 106W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 628A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 114A
On-state resistance: 8.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D4N08C ONSEMI fdms4d4n08c-d.pdf FDMS4D4N08C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5672 ONSEMI fdms5672-d.pdf FDMS5672 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS6673BZ ONSEMI fdms6673bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7602S ONSEMI fdms7602s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/30A
On-state resistance: 12/7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.2/2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28/46nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±20V
Mounting: SMD
Case: Power56
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608S ONSEMI fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620S ONSEMI fdms7620s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 13/22A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 30/15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD82100L FDMD82100L-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Case: PQFN12
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240L fdmd8240l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD8240L Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8240LET40 fdmd8240let40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD8240LET40 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8260L FAIR-S-A0001013603-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMD8260L Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8260LET60 ONSM-S-A0003591008-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 304A
Power dissipation: 44W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8280 FDMD8280.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 38W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD84100 fdmd84100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD84100 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD86100 fdmd86100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD86100 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMD8680 fdmd8680-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMD8680 Multi channel transistors
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FDME1023PZT fdme1023pzt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME1023PZT Multi channel transistors
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FDME1024NZT fdme1024nzt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME1024NZT Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME1034CZT fdme1034czt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.8/-2.6A; 1.4W; uDFN6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.8/-2.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 530/160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7/4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME510PZT fdme510pzt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME510PZT SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME820NZT fdme820nzt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME820NZT SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME905PT fdme905pt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDME905PT SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDME910PZT FDME910PZT-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDME910PZT SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDML7610S fdml7610s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDML7610S SMD N channel transistors
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FDMQ8203 FDMQ8203.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-80V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 323/191mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Gate charge: 19/5nC
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205 fdmq8205-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMQ8205 Integrated circuits - others
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8205A fdmq8205a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMQ8205A Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ8403 fdmq8403-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMQ8403 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMQ86530L fdmq86530l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS003N08C fdms003n08c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS003N08C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS004N08C fdms004n08c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; Idm: 637A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 637A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS007N08LC fdms007n08lc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS007N08LC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS015N04B FDMS015N04B-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0300S fdms0300s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 180A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0306AS fdms0306as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0308AS fdms0308as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS0308AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0309AS fdms0309as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS0309AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310AS fdms0310as-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS0310AS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312AS FAIR-S-A0002363693-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMS0312AS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312S FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 46nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Case: Power56
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08B fdms037n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS037N08B SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS039N08B fdms039n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS10C4D2N fdms10c4d2n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 510A
Case: Power56
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS1D2N03DSD fdms1d2n03dsd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 54/126A; 26/42W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 54/126A
Power dissipation: 26/42W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 4.9/1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33/117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2572 fdms2572-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS2572 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2672 ONSM-S-A0003591174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMS2672 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734 FDMS2734-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS2734 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D5N08C fdms2d5n08c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 823A
Power dissipation: 138W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500 fdms3500-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS3500 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572 fdms3572-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604S FAIR-S-A0002363607-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3606S FAIR-S-A0002363793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDMS3606S Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2602 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3662 fdms3662-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 90A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 30A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3D5N08LC fdms3d5n08lc-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS3D5N08LC SMD N channel transistors
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FDMS4435BZ FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf
FDMS4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Power dissipation: 106W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 628A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 114A
On-state resistance: 8.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS4D4N08C fdms4d4n08c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS4D4N08C SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS5672 fdms5672-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDMS5672 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7602S fdms7602s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/30A
On-state resistance: 12/7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.2/2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28/46nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±20V
Mounting: SMD
Case: Power56
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608S fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620S fdms7620s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 13/22A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 30/15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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