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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 104W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.56 EUR
27+2.75 EUR
30+2.45 EUR
100+2.12 EUR
250+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.9 EUR
31+2.32 EUR
36+2.02 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.4 EUR
37+1.97 EUR
41+1.76 EUR
48+1.5 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20 ONSEMI fdn028n20-d.pdf FDN028N20 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
113+0.63 EUR
262+0.27 EUR
277+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P ONSEMI FDN302P-D.PDF FDN302P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
336+0.21 EUR
355+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P FDN304P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E43BF7AAA95EA&compId=FDN304P.pdf?ci_sign=10a595ecf2c09516bc84c8a362e6a479130ccd43 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
184+0.39 EUR
265+0.27 EUR
305+0.23 EUR
365+0.2 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8282E7B85E28&compId=FDN304PZ.pdf?ci_sign=45aa981ab3dabd156020d9713f675f0c2170746e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2094 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
114+0.63 EUR
161+0.45 EUR
186+0.38 EUR
250+0.32 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P FDN306P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
217+0.33 EUR
290+0.25 EUR
332+0.22 EUR
394+0.18 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N ONSEMI fdn327n-d.pdf FDN327N SMD N channel transistors
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
360+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N ONSEMI FDN335N-D.PDF FDN335N SMD N channel transistors
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
108+0.67 EUR
305+0.23 EUR
323+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P ONSEMI fdn336p-d.pdf FDN336P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
113+0.64 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N ONSEMI fdn337n-d.pdf FDN337N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
169+0.42 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 169
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P FDN338P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
153+0.47 EUR
211+0.34 EUR
243+0.29 EUR
293+0.24 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN FDN339AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89D2CB46652DE27&compId=FDN339AN-DTE.pdf?ci_sign=f5d832f4a40e72ad20afc888fbfd2c2e4f73c350 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 61mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
155+0.46 EUR
202+0.35 EUR
227+0.32 EUR
265+0.27 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P FDN340P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDB12564E13440C4&compId=FDN340P.pdf?ci_sign=837bebb062c1067f868956117920b37c4697bddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2911 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
252+0.28 EUR
309+0.23 EUR
358+0.2 EUR
404+0.18 EUR
463+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352AP ONSEMI fdn352ap-d.pdf FDN352AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
106+0.68 EUR
353+0.2 EUR
374+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N ONSEMI FDN357N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
196+0.37 EUR
215+0.33 EUR
241+0.3 EUR
253+0.28 EUR
280+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN358P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
285+0.25 EUR
300+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN FDN359AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE903C94EADA259&compId=FDN359AN.pdf?ci_sign=a80057f0f9f224c8fd968e6e92eb392f70c0472f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
149+0.48 EUR
197+0.36 EUR
224+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360P FDN360P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
133+0.54 EUR
151+0.48 EUR
213+0.34 EUR
249+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537N ONSEMI fdn537n-d.pdf FDN537N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.02 EUR
169+0.42 EUR
178+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 ONSEMI fdn5630-d.pdf FDN5630 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
130+0.55 EUR
358+0.2 EUR
376+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085 ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
174+0.41 EUR
183+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP038AN06A0 FDP038AN06A0 ONSEMI fdp038an06a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.23 EUR
19+3.8 EUR
22+3.36 EUR
50+3.02 EUR
250+3 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 ONSEMI fdh047an08a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
23+3.15 EUR
50+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDP060AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
19+3.76 EUR
50+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780826848070A6259&compId=FDP075N15A-F102.pdf?ci_sign=9e1a841a590a184f17491d5da0fd011fb1b831c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 92A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 333W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.13 EUR
20+3.72 EUR
50+3.29 EUR
100+2.95 EUR
250+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI fdp083n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.68 EUR
15+4.78 EUR
18+4.19 EUR
50+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP18N50 FDP18N50 ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.43 EUR
25+2.86 EUR
31+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N FDP22N50N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDP2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDP2532 THT N channel transistors
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FDP2614 ONSEMI fdp2614-d.pdf FDP2614 THT N channel transistors
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FDP33N25 ONSEMI fdp33n25-d.pdf FDP33N25 THT N channel transistors
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FDP3632 FDP3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDP42AN15A0 FDP42AN15A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE927EA0BAB4259&compId=FDP42AN15A0.pdf?ci_sign=5d81b96fc7857dceb89bd617b8a3b0fff3a3e3ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDP51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf FDP51N25 THT N channel transistors
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FDP52N20 ONSEMI FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf FDP52N20 THT N channel transistors
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FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
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FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDPF18N50 FDPF18N50 ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDPF18N50T FDPF18N50T ONSEMI FDPF18N50T-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
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23+3.19 EUR
27+2.75 EUR
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FDPF20N50FT FDPF20N50FT ONSEMI FDPF20N50FT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
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23+3.25 EUR
26+2.76 EUR
28+2.59 EUR
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FDPF20N50T FDPF20N50T ONSEMI fdpf20n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
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10+7.74 EUR
13+5.51 EUR
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FDPF390N15A FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 60A; 22W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.92 EUR
42+1.72 EUR
50+1.46 EUR
53+1.36 EUR
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FDPF51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf FDPF51N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 86 Stücke:
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22+3.29 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF55N06 FDPF55N06 ONSEMI fdpf55n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.6 EUR
30+2.39 EUR
50+1.56 EUR
100+1.37 EUR
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FDS2572 ONSEMI FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
250+1.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582 ONSEMI fds2582-d.pdf FDS2582 SMD N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.97 EUR
79+0.92 EUR
84+0.86 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734 ONSEMI fds2734-d.pdf FDS2734 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.17 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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FDS3590 ONSEMI fds3590-d.pdf FDS3590 SMD N channel transistors
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.55 EUR
108+0.66 EUR
114+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672 FDS3672 ONSEMI fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2456 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
61+1.17 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
250+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
123+0.58 EUR
153+0.47 EUR
168+0.43 EUR
250+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465 FDS4465 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC80D368C76259&compId=FDS4465.pdf?ci_sign=0ccb8af7e225282a329af0618515c2832bcb5946 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -13.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf description FDS4470 SMD N channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.27 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4480 FDS4480 ONSEMI fds4480-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
72+1.01 EUR
81+0.89 EUR
100+0.8 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672A FDS4672A ONSEMI fds4672a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
74+0.97 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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FDS4675 ONSEMI fds4675-d.pdf FDS4675 SMD P channel transistors
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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FDS4685 FDS4685 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
70+1.03 EUR
85+0.84 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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FDS4935A FDS4935A ONSEMI FDS4935A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
67+1.08 EUR
89+0.81 EUR
101+0.71 EUR
250+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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FDMS86163P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97
FDMS86163P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 104W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252L fdms86252l-d.pdf
FDMS86252L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20 fdn028n20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P FDN302P-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E43BF7AAA95EA&compId=FDN304P.pdf?ci_sign=10a595ecf2c09516bc84c8a362e6a479130ccd43
FDN304P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8282E7B85E28&compId=FDN304PZ.pdf?ci_sign=45aa981ab3dabd156020d9713f675f0c2170746e
FDN304PZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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114+0.63 EUR
161+0.45 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85
FDN306P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FDN327N SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N FDN335N-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P fdn336p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN336P SMD P channel transistors
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304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1500+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N fdn337n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN337N SMD N channel transistors
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169+0.42 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf
FDN338P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5203 Stücke:
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122+0.59 EUR
153+0.47 EUR
211+0.34 EUR
243+0.29 EUR
293+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89D2CB46652DE27&compId=FDN339AN-DTE.pdf?ci_sign=f5d832f4a40e72ad20afc888fbfd2c2e4f73c350
FDN339AN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 61mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
155+0.46 EUR
202+0.35 EUR
227+0.32 EUR
265+0.27 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDB12564E13440C4&compId=FDN340P.pdf?ci_sign=837bebb062c1067f868956117920b37c4697bddb
FDN340P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2911 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
252+0.28 EUR
309+0.23 EUR
358+0.2 EUR
404+0.18 EUR
463+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352AP fdn352ap-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN352AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
106+0.68 EUR
353+0.2 EUR
374+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N FDN357N.pdf
FDN357N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
196+0.37 EUR
215+0.33 EUR
241+0.3 EUR
253+0.28 EUR
280+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDN358P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
285+0.25 EUR
300+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE903C94EADA259&compId=FDN359AN.pdf?ci_sign=a80057f0f9f224c8fd968e6e92eb392f70c0472f
FDN359AN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
149+0.48 EUR
197+0.36 EUR
224+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574
FDN360P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
133+0.54 EUR
151+0.48 EUR
213+0.34 EUR
249+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537N fdn537n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.02 EUR
169+0.42 EUR
178+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630 fdn5630-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN5630 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
130+0.55 EUR
358+0.2 EUR
376+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085 fdn5632n-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
174+0.41 EUR
183+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP038AN06A0 fdp038an06a0-d.pdf
FDP038AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.23 EUR
19+3.8 EUR
22+3.36 EUR
50+3.02 EUR
250+3 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047AN08A0 fdh047an08a0-d.pdf
FDP047AN08A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
23+3.15 EUR
50+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
19+3.76 EUR
50+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP075N15A-F102 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780826848070A6259&compId=FDP075N15A-F102.pdf?ci_sign=9e1a841a590a184f17491d5da0fd011fb1b831c2
FDP075N15A-F102
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 92A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 333W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.13 EUR
20+3.72 EUR
50+3.29 EUR
100+2.95 EUR
250+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP083N15A-F102 fdp083n15a-d.pdf
FDP083N15A-F102
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.68 EUR
15+4.78 EUR
18+4.19 EUR
50+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP18N50 FDP18N50.pdf
FDP18N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.43 EUR
25+2.86 EUR
31+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7
FDP22N50N
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2532 FDP2532-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDP2532 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2614 fdp2614-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FDP33N25 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDP3632
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
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Anzahl Preis
16+4.72 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP42AN15A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE927EA0BAB4259&compId=FDP42AN15A0.pdf?ci_sign=5d81b96fc7857dceb89bd617b8a3b0fff3a3e3ba
FDP42AN15A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
23+3.15 EUR
28+2.57 EUR
32+2.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP51N25 THT N channel transistors
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21+3.53 EUR
33+2.22 EUR
35+2.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP52N20 FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP52N20 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0
FDPF12N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
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32+2.26 EUR
36+2.03 EUR
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50+1.62 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
40+1.83 EUR
50+1.66 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50 FDP18N50.pdf
FDPF18N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
27+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50T FDPF18N50T-D.PDF
FDPF18N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.29 EUR
23+3.19 EUR
27+2.75 EUR
50+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50FT FDPF20N50FT.pdf
FDPF20N50FT
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
23+3.25 EUR
26+2.76 EUR
28+2.59 EUR
50+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
19+3.96 EUR
21+3.53 EUR
50+2.99 EUR
100+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
FDPF2D3N10C
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.74 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
50+5 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
FDPF390N15A
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 60A; 22W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
42+1.72 EUR
50+1.46 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF51N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.29 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF55N06 fdpf55n06-d.pdf
FDPF55N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.6 EUR
30+2.39 EUR
50+1.56 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
250+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2582 fds2582-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS2582 SMD N channel transistors
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
79+0.92 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS2734 fds2734-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS2734 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.17 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3590 fds3590-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS3590 SMD N channel transistors
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.55 EUR
108+0.66 EUR
114+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS3672 fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf
FDS3672
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2456 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
61+1.17 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
250+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4435BZ description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7
FDS4435BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
123+0.58 EUR
153+0.47 EUR
168+0.43 EUR
250+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4465 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC80D368C76259&compId=FDS4465.pdf?ci_sign=0ccb8af7e225282a329af0618515c2832bcb5946
FDS4465
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -13.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
40+1.79 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4470 description fds4470-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.27 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4480 fds4480-d.pdf
FDS4480
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
72+1.01 EUR
81+0.89 EUR
100+0.8 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4672A fds4672a-d.pdf
FDS4672A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
74+0.97 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4675 fds4675-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS4675 SMD P channel transistors
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4685 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa
FDS4685
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
70+1.03 EUR
85+0.84 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS4935A FDS4935A.pdf
FDS4935A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
67+1.08 EUR
89+0.81 EUR
101+0.71 EUR
250+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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