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FCP170N60 ONSEMI FAIR-S-A0002365465-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcp170n60-d.pdf FCP170N60 THT N channel transistors
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FCP190N60E ONSEMI fcpf190n60e-d.pdf FCP190N60E THT N channel transistors
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FCP190N65F ONSEMI fcp190n65f-d.pdf FCP190N65F THT N channel transistors
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FCP190N65S3 ONSEMI fcp190n65s3-d.pdf FCP190N65S3 THT N channel transistors
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FCP190N65S3R0 ONSEMI fcp190n65s3r0-d.pdf FCP190N65S3R0 THT N channel transistors
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FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP22N60N FCP22N60N ONSEMI FCP22N60N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±45V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N60E ONSEMI FCPF260N60E-D.PDF FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCP260N60E THT N channel transistors
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FCP260N65S3 ONSEMI fcp260n65s3-d.pdf FCP260N65S3 THT N channel transistors
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FCP360N65S3R0 ONSEMI fcp360n65s3r0-d.pdf FCP360N65S3R0 THT N channel transistors
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FCP36N60N ONSEMI fcpf36n60nt-d.pdf FCP36N60N THT N channel transistors
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FCP380N60 ONSEMI fcpf380n60-d.pdf FCP380N60 THT N channel transistors
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FCP380N60E ONSEMI FAIR-S-A0002365473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf380n60e-d.pdf FCP380N60E THT N channel transistors
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FCP400N80Z ONSEMI fcp400n80z-d.pdf FCP400N80Z THT N channel transistors
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FCP600N60Z ONSEMI fcpf600n60z-d.pdf ONSM-S-A0003584062-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCP600N60Z THT N channel transistors
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FCP600N65S3R0 ONSEMI fcp600n65s3r0-d.pdf FCP600N65S3R0 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP7N60 ONSEMI fcpf7n60-d.pdf FCP7N60 THT N channel transistors
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FCP850N80Z ONSEMI fcp850n80z-d.pdf ONSM-S-A0003584675-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCP850N80Z THT N channel transistors
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FCPF067N65S3 ONSEMI fcpf067n65s3-d.pdf FCPF067N65S3 THT N channel transistors
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FCPF099N65S3 ONSEMI fcpf099n65s3-d.pdf FCPF099N65S3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.19 EUR
33+2.20 EUR
35+2.09 EUR
500+2.04 EUR
1000+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60T FCPF11N60T ONSEMI fcpf11n60t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF125N65S3 ONSEMI fcpf125n65s3-d.pdf FCPF125N65S3 THT N channel transistors
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FCPF1300N80Z ONSEMI fcpf1300n80z-d.pdf FCPF1300N80Z THT N channel transistors
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FCPF150N65F ONSEMI fcpf150n65f-d.pdf FCPF150N65F THT N channel transistors
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FCPF16N60 FCPF16N60 ONSEMI fcp16n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 70nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCPF190N60 ONSEMI fcpf190n60-d.pdf FCPF190N60 THT N channel transistors
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FCPF190N60 ONSEMI fcpf190n60-d.pdf FCPF190N60-ONS THT N channel transistors
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FCPF190N60E ONSEMI fcpf190n60e-d.pdf FCPF190N60E THT N channel transistors
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FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.65 EUR
12+5.98 EUR
16+4.58 EUR
17+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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FCPF220N80 ONSEMI FAIR-S-A0002365759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF220N80 THT N channel transistors
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FCPF2250N80Z ONSEMI FAIR-S-A0002365705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf2250n80z-d.pdf FCPF2250N80Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF260N60E ONSEMI FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf FCPF260N60E THT N channel transistors
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FCPF290N80 ONSEMI fcpf290n80-d.pdf FAIR-S-A0002365661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF290N80 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60 ONSEMI fcpf380n60-d.pdf ONSM-S-A0003584318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF380N60 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60E ONSEMI fcpf380n60e-d.pdf FCPF380N60E THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60E ONSEMI fcpf380n60e-d.pdf FCPF380N60E-ONS THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N65FL1-F154 ONSEMI fcpf380n65fl1-f154-d.pdf FCPF380N65FL1-F154 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N60 ONSEMI fcpf400n60-d.pdf FCPF400N60 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80Z ONSEMI ONSM-S-A0003584073-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCPF400N80Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF600N60ZL1-F154 ONSEMI fcpf600n60zl1-d.pdf FCPF600N60ZL1-F154 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF650N80Z ONSEMI fcpf650n80z-d.pdf FCPF650N80Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF7N60 ONSEMI fcpf7n60-d.pdf FCPF7N60 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF7N60 ONSEMI fcpf7n60-d.pdf FCPF7N60-ONS THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF850N80Z ONSEMI fcpf850n80z-d.pdf FCPF850N80Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA032N08 FDA032N08 ONSEMI fda032n08-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.35 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
1020+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA16N50-F109 FDA16N50-F109 ONSEMI FDA16N50_F109.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
On-state resistance: 0.38Ω
Power dissipation: 205W
Gate charge: 45nC
Technology: UniFET™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO3PN
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA16N50LDTU ONSEMI FAIR-S-A0002365536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fda16n50ldtu-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 0.38Ω
Power dissipation: 205W
Gate charge: 45nC
Technology: DMOS; UniFET™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO3PN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N40F FDA24N40F ONSEMI fda24n40f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.79 EUR
20+3.72 EUR
21+3.50 EUR
60+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
450+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI fda28n50-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.99 EUR
13+5.51 EUR
120+3.65 EUR
450+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA38N30 ONSEMI fda38n30-d.pdf FDA38N30 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA59N25 FDA59N25 ONSEMI fda59n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 392W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FAIRS47594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Case: TO3PN
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
On-state resistance: 56mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 236A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA69N25 FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44.2A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 480W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.66 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
25+3.80 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA70N20 ONSEMI fda70n20-d.pdf FDA70N20 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0165N807L ONSEMI fdb0165n807l-d.pdf FDB0165N807L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0170N607L ONSEMI fdb0170n607l-d.pdf FDB0170N607L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807L FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 249nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.44kA
Case: D2PAK-6
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP170N60 FAIR-S-A0002365465-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcp170n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCP170N60 THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
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Hersteller: ONSEMI
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Hersteller: ONSEMI
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Hersteller: ONSEMI
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FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP22N60N FCP22N60N.pdf
FCP22N60N
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±45V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP260N60E FCPF260N60E-D.PDF FAIR-S-A0002365478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FCP260N60E THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCP260N65S3 THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCP360N65S3R0 THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCP36N60N THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCP380N60 THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCP380N60E THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCP400N80Z THT N channel transistors
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FCP600N60Z fcpf600n60z-d.pdf ONSM-S-A0003584062-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FCP600N60Z THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCP600N65S3R0 THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCP7N60 THT N channel transistors
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FCP850N80Z fcp850n80z-d.pdf ONSM-S-A0003584675-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FCP850N80Z THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCPF067N65S3 THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCPF099N65S3 THT N channel transistors
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FCPF11N60 description FCP11N60.pdf
FCPF11N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
33+2.20 EUR
35+2.09 EUR
500+2.04 EUR
1000+2.00 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FCPF11N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF11N60T fcpf11n60t-d.pdf
FCPF11N60T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCPF125N65S3 fcpf125n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF125N65S3 THT N channel transistors
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FCPF1300N80Z fcpf1300n80z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF1300N80Z THT N channel transistors
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FCPF150N65F fcpf150n65f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF150N65F THT N channel transistors
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FCPF16N60 fcp16n60-d.pdf
FCPF16N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 70nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF190N60 fcpf190n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF190N60 THT N channel transistors
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FCPF190N60 fcpf190n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF190N60-ONS THT N channel transistors
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FCPF190N60E fcpf190n60e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF190N60E THT N channel transistors
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FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.65 EUR
12+5.98 EUR
16+4.58 EUR
17+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF220N80 FAIR-S-A0002365759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
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FCPF2250N80Z FAIR-S-A0002365705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf2250n80z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
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FCPF260N60E FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF260N60E THT N channel transistors
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FCPF290N80 fcpf290n80-d.pdf FAIR-S-A0002365661-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FCPF290N80 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60 fcpf380n60-d.pdf ONSM-S-A0003584318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FCPF380N60 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60E fcpf380n60e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N60E fcpf380n60e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF380N60E-ONS THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF380N65FL1-F154 fcpf380n65fl1-f154-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF380N65FL1-F154 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FCPF400N60 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80Z ONSM-S-A0003584073-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FCPF400N80Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF600N60ZL1-F154 fcpf600n60zl1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF600N60ZL1-F154 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF650N80Z fcpf650n80z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF650N80Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF7N60 fcpf7n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF7N60 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF7N60 fcpf7n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF7N60-ONS THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF850N80Z fcpf850n80z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCPF850N80Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA032N08 fda032n08-d.pdf
FDA032N08
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.35 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
1020+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA16N50-F109 FDA16N50_F109.PDF
FDA16N50-F109
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
On-state resistance: 0.38Ω
Power dissipation: 205W
Gate charge: 45nC
Technology: UniFET™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO3PN
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA16N50LDTU FAIR-S-A0002365536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fda16n50ldtu-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 0.38Ω
Power dissipation: 205W
Gate charge: 45nC
Technology: DMOS; UniFET™
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO3PN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N40F fda24n40f-d.pdf
FDA24N40F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.79 EUR
20+3.72 EUR
21+3.50 EUR
60+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N50F fda24n50f-d.pdf
FDA24N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
450+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA28N50 fda28n50-d.pdf
FDA28N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.99 EUR
13+5.51 EUR
120+3.65 EUR
450+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA38N30 fda38n30-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDA38N30 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA59N25 fda59n25-d.pdf
FDA59N25
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 392W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA59N30 FAIRS47594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDA59N30
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Case: TO3PN
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
On-state resistance: 56mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 236A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
FDA69N25
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44.2A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 480W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.66 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
25+3.80 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA70N20 fda70n20-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDA70N20 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0165N807L fdb0165n807l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB0165N807L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0170N607L fdb0170n607l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB0170N607L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
FDB0190N807L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 249nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.44kA
Case: D2PAK-6
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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