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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
85+0.85 EUR
92+0.78 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8FC78DC9A259&compId=FDS6679AZ.pdf?ci_sign=ae883a16e760a329d01a04afd566302e1aa3f2f2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Gate charge: 96nC
On-state resistance: 14.8mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
63+1.15 EUR
76+0.95 EUR
108+0.66 EUR
114+0.63 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A ONSEMI fds6680a-d.pdf FDS6680A SMD N channel transistors
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681Z ONSEMI FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6681Z SMD P channel transistors
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A ONSEMI fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf FDS6690A SMD N channel transistors
auf Bestellung 2196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
243+0.29 EUR
258+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898A FDS6898A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Drain current: 9.4A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
64+1.12 EUR
70+1.03 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A ONSEMI FDS6912A-D.PDF FDS6912A Multi channel transistors
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.46 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8447 ONSEMI fds8447-d.pdf description FDS8447 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
61+1.17 EUR
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 ONSEMI FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884 ONSEMI FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8884 SMD N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.85 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141 ONSEMI fds89141-d.pdf FDS89141 Multi channel transistors
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.85 EUR
29+2.55 EUR
30+2.4 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161 FDS89161 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE714315B04C259&compId=FDS89161.pdf?ci_sign=84ea0d10f63123768be2a5a09d915664e90b6920 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
54+1.33 EUR
55+1.3 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 FDS8949 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
58+1.24 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
500+0.48 EUR
2500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A FDS9435A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
92+0.78 EUR
187+0.38 EUR
197+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926A FDS9926A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71AA20B328259&compId=FDS9926A.pdf?ci_sign=dd996f1abf5b47784f05a9fe214c91ef2054606c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
116+0.62 EUR
131+0.55 EUR
171+0.42 EUR
224+0.32 EUR
236+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
fds9945 fds9945 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71DF453C1C259&compId=FDS9945.pdf?ci_sign=f8cf27176cda632a27a6a319d7e42b2863557f66 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
126+0.57 EUR
142+0.5 EUR
166+0.43 EUR
170+0.42 EUR
175+0.41 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9958 FDS9958 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE78A026039E259&compId=FDS9958.pdf?ci_sign=74fd92c54cb49f8d090c1756f91488e4c316334a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
101+0.71 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
85+0.85 EUR
100+0.72 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT3612 ONSEMI fdt3612-d.pdf FDT3612 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458P ONSEMI fdt458p-d.pdf FDT458P SMD P channel transistors
auf Bestellung 3074 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZ ONSEMI fdt86113lz-d.pdf FDT86113LZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 2316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.71 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N FDV301N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0893DB4B55F1A303005056AB0C4F&compId=FDV301N.pdf?ci_sign=90bbeb0cb17ed9600b2d86a0dc13bb46d18c3438 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
715+0.1 EUR
878+0.082 EUR
1405+0.051 EUR
1667+0.043 EUR
2193+0.033 EUR
2476+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Gate charge: 2.3nC
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10786 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
435+0.16 EUR
621+0.12 EUR
722+0.099 EUR
1598+0.045 EUR
1690+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304P FDV304P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E60BDD3B855EA&compId=FDV304P.pdf?ci_sign=85383aba5fa191ede2cb6a037abf98147071fdc8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6077 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
598+0.12 EUR
910+0.079 EUR
1142+0.063 EUR
1254+0.057 EUR
2101+0.034 EUR
2223+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 598
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV305N ONSEMI FDV305N-D.pdf FDV305N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
893+0.08 EUR
944+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDY300NZ ONSEMI FAIRS24718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDY300NZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
141+0.51 EUR
200+0.36 EUR
211+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSH40120ADN-F085 ONSEMI ffsh40120adn-f085-d.pdf FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+35.61 EUR
4+21.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSH4065ADN-F155 ONSEMI ffsh4065adn-f155-d.pdf FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.73 EUR
7+10.7 EUR
8+10.12 EUR
900+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2286684B28FA8&compId=FGA60N65SMD-DTE.pdf?ci_sign=b47757b52704f8dad2d5b15a65308db84240e69f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.59 EUR
16+4.62 EUR
17+4.36 EUR
120+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3040G2-F085 FGB3040G2-F085 ONSEMI fgi3040g2_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Collector current: 25.6A
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector-emitter voltage: 400V
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.42 EUR
25+2.97 EUR
26+2.8 EUR
250+2.77 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 ONSEMI fgb40t65spd-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.31 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
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Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3245G2-F085 FGD3245G2-F085 ONSEMI fgd3245g2-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.8 EUR
25+2.97 EUR
39+1.87 EUR
41+1.76 EUR
250+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD5T120SH FGD5T120SH ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 28W
Gate charge: 6.7nC
Collector current: 5A
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Application: ignition systems
Version: ESD
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
45+1.62 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.81 EUR
14+5.48 EUR
21+3.56 EUR
22+3.36 EUR
90+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDC408D444259&compId=FGH40N60SMD.pdf?ci_sign=0ebfad5f1d5a27cf5691c0f6edf47b158174848d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.56 EUR
14+5.29 EUR
19+3.79 EUR
20+3.58 EUR
120+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.22 EUR
28+2.62 EUR
29+2.47 EUR
450+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.45 EUR
9+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABDE8E38F8A3D20C7&compId=FGH50T65SQD.PDF?ci_sign=9c76ec61398a9511a29f574be1e20596aa23ce7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.22 EUR
16+4.7 EUR
20+3.6 EUR
22+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.88 EUR
14+5.21 EUR
15+4.93 EUR
120+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085
+1
 		FGY160T65SPD-F085 ONSEMI fgy160t65spd-f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.19 EUR
5+15.39 EUR
10+15.24 EUR
30+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN ONSEMI fgy75t120sqdn-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.49 EUR
6+12.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1001M5X FIN1001M5X ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196CD128D1B6259&compId=FIN1001.pdf?ci_sign=53b6431c1dea3dff1562add3767cb12df05d7f35 Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.6V DC
Case: SOT23-5
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5680 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
66+1.09 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1002M5X FIN1002M5X ONSEMI fin1002-d.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.6V DC
Case: SOT23-5
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJB102TM FJB102TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BA81ED4911D44469&compId=FJB102TM.pdf?ci_sign=113d37b1ecfd9a72897dc00d41f0a81a18b1c1c2 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...20000
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Kind of transistor: Darlington
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
60+1.2 EUR
89+0.81 EUR
94+0.76 EUR
250+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJI5603DTU ONSEMI fji5603d-d.pdf FJI5603DTU NPN THT transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.23 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJL6920TU FJL6920TU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BABC4D59793251BF&compId=FJL6920TU-dte.pdf?ci_sign=105fb13075b7264a844b1326e208dd1589b973c5 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 20A; 200W; TO264
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO264
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Current gain: 5.5...8.5
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.72 EUR
13+5.71 EUR
14+5.39 EUR
25+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJP13007H2TU FJP13007H2TU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3AB08082C97C0C4&compId=FJP13007H2TU.PDF?ci_sign=ab80a4af574f8544c85e145cd3ba8e4156d219e7 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
42+1.72 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJP13009H2TU FJP13009H2TU ONSEMI fjp13009-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.96 EUR
42+1.72 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
50+1.46 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJP13009TU FJP13009TU ONSEMI fjp13009-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
57+1.26 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
250+0.9 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJV992FMTF ONSEMI fjv992-d.pdf FJV992FMTF PNP SMD transistors
auf Bestellung 2877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
1254+0.057 EUR
1327+0.054 EUR
6000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FL7701MX FL7701MX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AAE431FD5A9F5E27&compId=FL7701-DTE.pdf?ci_sign=8c272257ee9f3997525ba601b8f6d143129eea13 Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 250mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Integrated circuit features: digitally implemented active power factor correction function; linear dimming
Maximum output current: 0.25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMBA14 FMBA14 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD04ABBD1798469&compId=FMBA14.pdf?ci_sign=80d8a07fb7315c6395d47373401cde7e8c4ffdff Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.7W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 1.25MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1191+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1191
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FNB41060
+1
 		FNB41060 ONSEMI fnb41060-d.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: Motion SPM® 45
Case: SPMAA-A26
Output current: 10A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 32W
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.88 EUR
5+17.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FNB41560 ONSEMI fnb41560b2-d.pdf FNB41560 Motor and PWM drivers
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+22.16 EUR
5+14.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FOD2711A ONSEMI FAIR-S-A0002365969-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FOD2711A Optocouplers - digital output
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
178+0.4 EUR
188+0.38 EUR
800+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FOD2711ASDV ONSEMI FAIR-S-A0002365969-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fod2711a-d.pdf FOD2711ASDV Optocouplers - analog output
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
173+0.41 EUR
183+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FOD2741B ONSEMI fod2741b-d.pdf FAIRS26565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FOD2741B Optocouplers - analog output
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
132+0.54 EUR
139+0.51 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FOD2741BSD ONSEMI fod2741b-d.pdf FOD2741BSD Optocouplers - analog output
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FOD2742B FOD2742B ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B6B7D1BF1C8A17&compId=FOD2742B.pdf?ci_sign=74f8dcfbcb772bee9845f7470abc064c594d128d description Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 2.5kV; SOIC8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 2.5kV
CTR@If: 100-200%@10mA
Case: SOIC8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
75+0.96 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6675BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450
FDS6675BZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
85+0.85 EUR
92+0.78 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
250+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8FC78DC9A259&compId=FDS6679AZ.pdf?ci_sign=ae883a16e760a329d01a04afd566302e1aa3f2f2
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Gate charge: 96nC
On-state resistance: 14.8mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
63+1.15 EUR
76+0.95 EUR
108+0.66 EUR
114+0.63 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A fds6680a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6680A SMD N channel transistors
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
114+0.63 EUR
121+0.59 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6681Z FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS6681Z SMD P channel transistors
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
60+1.2 EUR
64+1.13 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS6690A SMD N channel transistors
auf Bestellung 2196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
243+0.29 EUR
258+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466
FDS6898A
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Drain current: 9.4A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
64+1.12 EUR
70+1.03 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6912A FDS6912A-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDS6912A Multi channel transistors
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.46 EUR
140+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8447 description fds8447-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
61+1.17 EUR
65+1.1 EUR
70+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8880 FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8884 FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDS8884 SMD N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.85 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89141 fds89141-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.85 EUR
29+2.55 EUR
30+2.4 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS89161 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE714315B04C259&compId=FDS89161.pdf?ci_sign=84ea0d10f63123768be2a5a09d915664e90b6920
FDS89161
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
54+1.33 EUR
55+1.3 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8949 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805
FDS8949
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
58+1.24 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
500+0.48 EUR
2500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9435A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b
FDS9435A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
92+0.78 EUR
187+0.38 EUR
197+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9926A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71AA20B328259&compId=FDS9926A.pdf?ci_sign=dd996f1abf5b47784f05a9fe214c91ef2054606c
FDS9926A
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
116+0.62 EUR
131+0.55 EUR
171+0.42 EUR
224+0.32 EUR
236+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
fds9945 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71DF453C1C259&compId=FDS9945.pdf?ci_sign=f8cf27176cda632a27a6a319d7e42b2863557f66
fds9945
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
126+0.57 EUR
142+0.5 EUR
166+0.43 EUR
170+0.42 EUR
175+0.41 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS9958 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE78A026039E259&compId=FDS9958.pdf?ci_sign=74fd92c54cb49f8d090c1756f91488e4c316334a
FDS9958
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
101+0.71 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alz-d.pdf
FDT1600N10ALZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
85+0.85 EUR
100+0.72 EUR
144+0.5 EUR
152+0.47 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT3612 fdt3612-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT458P fdt458p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
auf Bestellung 3074 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDT86113LZ fdt86113lz-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDT86113LZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 2316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.71 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV301N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0893DB4B55F1A303005056AB0C4F&compId=FDV301N.pdf?ci_sign=90bbeb0cb17ed9600b2d86a0dc13bb46d18c3438
FDV301N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
715+0.1 EUR
878+0.082 EUR
1405+0.051 EUR
1667+0.043 EUR
2193+0.033 EUR
2476+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85
FDV303N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Gate charge: 2.3nC
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10786 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
435+0.16 EUR
621+0.12 EUR
722+0.099 EUR
1598+0.045 EUR
1690+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E60BDD3B855EA&compId=FDV304P.pdf?ci_sign=85383aba5fa191ede2cb6a037abf98147071fdc8
FDV304P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6077 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
598+0.12 EUR
910+0.079 EUR
1142+0.063 EUR
1254+0.057 EUR
2101+0.034 EUR
2223+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 598
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV305N FDV305N-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDV305N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
893+0.08 EUR
944+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDY300NZ FAIRS24718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDY300NZ SMD N channel transistors
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
141+0.51 EUR
200+0.36 EUR
211+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSH40120ADN-F085 ffsh40120adn-f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+35.61 EUR
4+21.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSH4065ADN-F155 ffsh4065adn-f155-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.73 EUR
7+10.7 EUR
8+10.12 EUR
900+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA60N65SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2286684B28FA8&compId=FGA60N65SMD-DTE.pdf?ci_sign=b47757b52704f8dad2d5b15a65308db84240e69f
FGA60N65SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.59 EUR
16+4.62 EUR
17+4.36 EUR
120+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB3040G2-F085 fgi3040g2_f085-d.pdf
FGB3040G2-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Collector current: 25.6A
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector-emitter voltage: 400V
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.42 EUR
25+2.97 EUR
26+2.8 EUR
250+2.77 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB40T65SPD-F085 fgb40t65spd-f085-d.pdf
FGB40T65SPD-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.31 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
100+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3245G2-F085 fgd3245g2-f085-d.pdf
FGD3245G2-F085
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.8 EUR
25+2.97 EUR
39+1.87 EUR
41+1.76 EUR
250+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD5T120SH fgd5t120sh-d.pdf
FGD5T120SH
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 28W
Gate charge: 6.7nC
Collector current: 5A
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Application: ignition systems
Version: ESD
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
45+1.62 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201
FGH40N60SFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.81 EUR
14+5.48 EUR
21+3.56 EUR
22+3.36 EUR
90+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDC408D444259&compId=FGH40N60SMD.pdf?ci_sign=0ebfad5f1d5a27cf5691c0f6edf47b158174848d
FGH40N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.56 EUR
14+5.29 EUR
19+3.79 EUR
20+3.58 EUR
120+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40N60UFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.22 EUR
28+2.62 EUR
29+2.47 EUR
450+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab
FGH40T120SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.45 EUR
9+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH40T120SMD-F155 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABDE8E38F8A3D20C7&compId=FGH50T65SQD.PDF?ci_sign=9c76ec61398a9511a29f574be1e20596aa23ce7b
FGH50T65SQD-F155
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.22 EUR
16+4.7 EUR
20+3.6 EUR
22+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE52F29614259&compId=FGH60N60SMD.pdf?ci_sign=73678e57102c9e2bfc1e9601ead203ab1071a368
FGH60N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.88 EUR
14+5.21 EUR
15+4.93 EUR
120+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY160T65SPD-F085 fgy160t65spd-f085-d.pdf
FGY160T65SPD-F085
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.19 EUR
5+15.39 EUR
10+15.24 EUR
30+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGY75T120SQDN fgy75t120sqdn-d.pdf
FGY75T120SQDN
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.49 EUR
6+12.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1001M5X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196CD128D1B6259&compId=FIN1001.pdf?ci_sign=53b6431c1dea3dff1562add3767cb12df05d7f35
FIN1001M5X
Hersteller: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.6V DC
Case: SOT23-5
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5680 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
66+1.09 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FIN1002M5X fin1002-d.pdf
FIN1002M5X
Hersteller: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.6V DC
Case: SOT23-5
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJB102TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BA81ED4911D44469&compId=FJB102TM.pdf?ci_sign=113d37b1ecfd9a72897dc00d41f0a81a18b1c1c2
FJB102TM
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...20000
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Kind of transistor: Darlington
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
60+1.2 EUR
89+0.81 EUR
94+0.76 EUR
250+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJI5603DTU fji5603d-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FJI5603DTU NPN THT transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.23 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJL6920TU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BABC4D59793251BF&compId=FJL6920TU-dte.pdf?ci_sign=105fb13075b7264a844b1326e208dd1589b973c5
FJL6920TU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 20A; 200W; TO264
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO264
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Current gain: 5.5...8.5
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 800V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.72 EUR
13+5.71 EUR
14+5.39 EUR
25+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJP13007H2TU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3AB08082C97C0C4&compId=FJP13007H2TU.PDF?ci_sign=ab80a4af574f8544c85e145cd3ba8e4156d219e7
FJP13007H2TU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.26 EUR
42+1.72 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJP13009H2TU fjp13009-d.pdf
FJP13009H2TU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.96 EUR
42+1.72 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
50+1.46 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJP13009TU fjp13009-d.pdf
FJP13009TU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
57+1.26 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
250+0.9 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJV992FMTF fjv992-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FJV992FMTF PNP SMD transistors
auf Bestellung 2877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
1254+0.057 EUR
1327+0.054 EUR
6000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FL7701MX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AAE431FD5A9F5E27&compId=FL7701-DTE.pdf?ci_sign=8c272257ee9f3997525ba601b8f6d143129eea13
FL7701MX
Hersteller: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 250mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Integrated circuit features: digitally implemented active power factor correction function; linear dimming
Maximum output current: 0.25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
15+4.76 EUR
41+1.74 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FMBA14 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD04ABBD1798469&compId=FMBA14.pdf?ci_sign=80d8a07fb7315c6395d47373401cde7e8c4ffdff
FMBA14
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.7W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 1.25MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1191+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1191
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FNB41060 fnb41060-d.pdf
FNB41060
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: Motion SPM® 45
Case: SPMAA-A26
Output current: 10A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 32W
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.88 EUR
5+17.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FNB41560 fnb41560b2-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FNB41560 Motor and PWM drivers
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.16 EUR
5+14.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FOD2711A FAIR-S-A0002365969-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FOD2711A Optocouplers - digital output
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
178+0.4 EUR
188+0.38 EUR
800+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FOD2711ASDV FAIR-S-A0002365969-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fod2711a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FOD2711ASDV Optocouplers - analog output
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
173+0.41 EUR
183+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FOD2741B fod2741b-d.pdf FAIRS26565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FOD2741B Optocouplers - analog output
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
132+0.54 EUR
139+0.51 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FOD2741BSD fod2741b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FOD2741BSD Optocouplers - analog output
auf Bestellung 774 Stücke:
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Anzahl Preis
34+2.14 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FOD2742B description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B6B7D1BF1C8A17&compId=FOD2742B.pdf?ci_sign=74f8dcfbcb772bee9845f7470abc064c594d128d
FOD2742B
Hersteller: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 2.5kV; SOIC8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 2.5kV
CTR@If: 100-200%@10mA
Case: SOIC8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 332 Stücke:
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Anzahl Preis
51+1.42 EUR
75+0.96 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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