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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FCH041N60F-F085 ONSEMI fch041n60f_f085-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH041N65EF-F155 ONSEMI fch041n65ef-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH041N65EFL4 ONSEMI fch041n65efl4-d.pdf FCH041N65EFL4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH041N65F-F085 ONSEMI fch041n65f_f085-d.pdf FCH041N65F-F085 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH043N60 ONSEMI fch043n60-d.pdf FCH043N60 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH060N80-F155 ONSEMI fch060n80_f155-d.pdf FCH060N80-F155 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH067N65S3-F155 ONSEMI fch067n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH070N60E ONSEMI fch070n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 156A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH072N60 ONSEMI FCH072N60-D.PDF FCH072N60 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH072N60F ONSEMI fch072n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F085 ONSEMI fch077n65f_f085-d.pdf FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F155 ONSEMI fch077n65f-d.pdf FAIR-S-A0000571263-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH085N80-F155 ONSEMI fch085n80_f155-d.pdf FCH085N80-F155 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH099N65S3-F155 ONSEMI fch099n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.38 EUR
12+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085 ONSEMI fch104n60f_f085-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155 ONSEMI fch110n65f-d.pdf FAIR-S-A0000571230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N60E ONSEMI ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 87A
Power dissipation: 278W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N65S3R0-F155 ONSEMI fch125n65s3r0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH150N65F-F155 ONSEMI FCH150N65F-F155 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N60E ONSEMI fch165n60e-d.pdf FCH165N60E THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N65S3R0-F155 ONSEMI fch165n65s3r0-d.pdf FCH165N65S3R0-F155 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH170N60 ONSEMI fch170n60-d.pdf ONSM-S-A0003584973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH190N65F-F155 ONSEMI fch190n65f-d.pdf FCH190N65F-F155 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH22N60N ONSEMI fch22n60n-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH25N60N ONSEMI FAIRS46550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch25n60n-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 216W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH35N60 ONSEMI fch35n60-d.pdf FAIRS46785-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCH35N60 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60-F085 ONSEMI fch47n60_f085-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 187nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI FCH47N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.30 EUR
6+12.44 EUR
7+11.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60F-F085 ONSEMI ONSM-S-A0003584341-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch47n60f_f085-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf FCH47N60F-F133 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60N ONSEMI FAIRS46021-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch47n60n-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 51.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60NF ONSEMI fch47n60nf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28.9A
Pulsed drain current: 137.4A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 57.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH76N60N ONSEMI FAIRS46023-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch76n60n-d.pdf FCH76N60N THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH76N60NF ONSEMI FAIRS46691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch76n60nf-d.pdf FCH76N60NF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCHD040N65S3-F155 ONSEMI fchd040n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 41A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCI7N60 ONSEMI fci7n60-d.pdf FCI7N60 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT080N65S3 ONSEMI FCMT080N65S3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT099N65S3 ONSEMI fcmt099n65s3-d.pdf FCMT099N65S3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT125N65S3 ONSEMI fcmt125n65s3-d.pdf FCMT125N65S3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT180N65S3 ONSEMI fcmt180n65s3-d.pdf FCMT180N65S3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT199N60 ONSEMI fcmt199n60-d.pdf FCMT199N60 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 ONSEMI fcmt250n65s3-d.pdf FCMT250N65S3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT299N60 ONSEMI fcmt299n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT360N65S3 ONSEMI fcmt360n65s3-d.pdf FCMT360N65S3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP067N65S3 FCP067N65S3 ONSEMI fcp067n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP099N60E ONSEMI fcp099n60e-d.pdf FCP099N60E THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60 FCP104N60 ONSEMI fcp104n60-d.pdf ONSM-S-A0003585380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 111A
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP104N60F FCP104N60F ONSEMI fcp104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FCP110N65F ONSEMI fcp110n65f-d.pdf FCP110N65F THT N channel transistors
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FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
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FCP16N60 FCP16N60 ONSEMI fcp16n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 70nC
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FCH041N60F-F085 fch041n60f_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
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FCH041N65EF-F155 fch041n65ef-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH041N65EFL4 fch041n65efl4-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCH041N65EFL4 THT N channel transistors
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FCH041N65F-F085 fch041n65f_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCH041N65F-F085 THT N channel transistors
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FCH043N60 fch043n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCH043N60 THT N channel transistors
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FCH060N80-F155 fch060n80_f155-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCH060N80-F155 THT N channel transistors
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FCH067N65S3-F155 fch067n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FCH070N60E fch070n60e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 156A
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FCH072N60 FCH072N60-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FCH072N60 THT N channel transistors
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FCH072N60F fch072n60f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH077N65F-F085 fch077n65f_f085-d.pdf FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FCH077N65F-F155 fch077n65f-d.pdf FAIR-S-A0000571263-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FCH085N80-F155 fch085n80_f155-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCH085N80-F155 THT N channel transistors
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FCH099N65S3-F155 fch099n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F-F085 fch104n60f_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155 fch110n65f-d.pdf FAIR-S-A0000571230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N60E ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 87A
Power dissipation: 278W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N65S3R0-F155 fch125n65s3r0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH150N65F-F155
Hersteller: ONSEMI
FCH150N65F-F155 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N60E fch165n60e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCH165N60E THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH165N65S3R0-F155 fch165n65s3r0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCH165N65S3R0-F155 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH170N60 fch170n60-d.pdf ONSM-S-A0003584973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH190N65F-F155 fch190n65f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCH190N65F-F155 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH22N60N fch22n60n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH25N60N FAIRS46550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch25n60n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 216W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH35N60 fch35n60-d.pdf FAIRS46785-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FCH35N60 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60-F085 fch47n60_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 187nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60-F133 FCH47N60.pdf
FCH47N60-F133
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.30 EUR
6+12.44 EUR
7+11.77 EUR
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FCH47N60F-F085 ONSM-S-A0003584341-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch47n60f_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCH47N60F-F133 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60N FAIRS46021-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch47n60n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 51.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60NF fch47n60nf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28.9A
Pulsed drain current: 137.4A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 57.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH76N60N FAIRS46023-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch76n60n-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCH76N60N THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH76N60NF FAIRS46691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch76n60nf-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCH76N60NF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCHD040N65S3-F155 fchd040n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 41A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCI7N60 fci7n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCI7N60 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT080N65S3
Hersteller: ONSEMI
FCMT080N65S3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FCMT099N65S3 SMD N channel transistors
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FCMT125N65S3 fcmt125n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCMT125N65S3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT180N65S3 fcmt180n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCMT180N65S3 SMD N channel transistors
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FCMT199N60 fcmt199n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCMT199N60 SMD N channel transistors
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FCMT250N65S3 fcmt250n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCMT250N65S3 SMD N channel transistors
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FCMT299N60 fcmt299n60-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT360N65S3 fcmt360n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCMT360N65S3 SMD N channel transistors
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FCP067N65S3 fcp067n65s3-d.pdf
FCP067N65S3
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCP099N60E fcp099n60e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCP099N60E THT N channel transistors
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FCP104N60 fcp104n60-d.pdf ONSM-S-A0003585380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP104N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 111A
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCP104N60F fcp104n60f-d.pdf
FCP104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCP110N65F fcp110n65f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCP110N65F THT N channel transistors
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FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
24+3.02 EUR
28+2.59 EUR
30+2.45 EUR
250+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP11N60F fcp11n60f-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCP11N60F THT N channel transistors
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FCP125N60E fcp125n60e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCP125N60E THT N channel transistors
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FCP125N65S3 fcp125n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCP125N65S3 THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCP125N65S3R0 THT N channel transistors
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FCP130N60 fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FCP130N60 THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCP150N65F THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FCP165N60E THT N channel transistors
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FCP165N65S3 fcp165n65s3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FCP165N65S3 THT N channel transistors
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FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
FCP16N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 70nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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