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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
284+0.26 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Case: TO92
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.83W
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2757 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
191+0.37 EUR
264+0.27 EUR
307+0.23 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
229+0.31 EUR
358+0.2 EUR
432+0.17 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS270 BS270 ONSEMI bs270-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
205+0.35 EUR
362+0.2 EUR
374+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS270-D74Z ONSEMI bs270-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1G BSP16T1G ONSEMI bsp16t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
209+0.34 EUR
360+0.2 EUR
382+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP52T1G BSP52T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD7DC9F5AF8469&compId=BSP52.PDF?ci_sign=f8f7489c22d6fe1d0f211ca7b159e04be9517d45 description Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
138+0.52 EUR
350+0.2 EUR
371+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP52T3G BSP52T3G ONSEMI bsp52t1-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR14 BSR14 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A2C68912BA611C&compId=BSR14-FAI-DTE.pdf?ci_sign=40fa2ea9af78f21d0b0cec20c99dc89bdab152e2 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 40V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
195+0.37 EUR
281+0.25 EUR
334+0.21 EUR
575+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR16 BSR16 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A604A081FD811C&compId=bsr16-fai-dte.pdf?ci_sign=aeea5129443f61098bae866dab48fe26f1e51c35 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 300MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
183+0.39 EUR
268+0.27 EUR
317+0.23 EUR
569+0.13 EUR
603+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR57 ONSEMI bsr57-d.pdf BSR57 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3045 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
449+0.16 EUR
475+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR58 BSR58 ONSEMI bsr58-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 8mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 60Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
182+0.39 EUR
305+0.23 EUR
353+0.2 EUR
562+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88BD4DE6196469&compId=BSS123-FAI.pdf?ci_sign=3de4c6cb611ab88835293b2fa726130d1a2a405d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
329+0.22 EUR
512+0.14 EUR
616+0.12 EUR
1421+0.05 EUR
1502+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123L BSS123L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5CD04746BB1BF&compId=BSS123L-DTE.pdf?ci_sign=8ed27bc96459eaec35a984b9465205e2fecb1beb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3042 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
789+0.091 EUR
933+0.077 EUR
1401+0.051 EUR
1480+0.048 EUR
1530+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88C8D2E08DC469&compId=BSS123LT1G.PDF?ci_sign=b55620e6b77cef6fe7c68cb8bb58db635295da56 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20902 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
338+0.21 EUR
525+0.14 EUR
631+0.11 EUR
790+0.091 EUR
1588+0.045 EUR
1678+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W BSS123W ONSEMI bss123w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
360+0.2 EUR
530+0.14 EUR
600+0.12 EUR
675+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 360
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-G BSS138-G ONSEMI bss138-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
368+0.19 EUR
582+0.12 EUR
794+0.09 EUR
834+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 BSS138 ONSEMI bss138-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
244+0.29 EUR
500+0.14 EUR
610+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138K BSS138K ONSEMI bss138k-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
589+0.12 EUR
837+0.086 EUR
958+0.075 EUR
1846+0.039 EUR
1954+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138L BSS138L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90D007811653C0D5&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=3b1c6cb55f89c6709af38d9d877a48d80e8ff74d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6060 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
486+0.15 EUR
619+0.12 EUR
696+0.1 EUR
819+0.087 EUR
1819+0.039 EUR
1924+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1G BSS138LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB81F5DA269A88E0C7&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=d4e7758a5e7668a7ea517da14f04673491c06f7a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
443+0.16 EUR
561+0.13 EUR
787+0.091 EUR
973+0.074 EUR
1761+0.041 EUR
1859+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT3G BSS138LT3G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB81F5DA269A88E0C7&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=d4e7758a5e7668a7ea517da14f04673491c06f7a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
397+0.18 EUR
527+0.14 EUR
772+0.093 EUR
1174+0.061 EUR
1254+0.057 EUR
1283+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138W BSS138W ONSEMI bss138w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
On-state resistance: 5.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
332+0.22 EUR
498+0.14 EUR
579+0.12 EUR
827+0.087 EUR
875+0.082 EUR
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1G ONSEMI bss63lt1-d.pdf BSS63LT1G PNP SMD transistors
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BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI bss64lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 60MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSS84 BSS84 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A79C54FF631B7E27&compId=BSS84-FAI-DTE.pdf?ci_sign=10eb7458a116d15a6d31471c0c0ea3a7e5b68dc0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Gate charge: 1.3nC
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 17Ω
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSS84LT1G BSS84LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F048F1A6F5005056AB5A8F&compId=BSS84LT1-D.pdf?ci_sign=745ad206972ef0844f90e852c06114644586bec5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 10Ω
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1073+0.067 EUR
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BSV52LT1G BSV52LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EE56EDC417718BF&compId=BSV52LT1G.pdf?ci_sign=9aba51a09e73d8610d94d50c3331d014b9d24ed0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 400MHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 40...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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218+0.33 EUR
353+0.2 EUR
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3000+0.065 EUR
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BU406G BU406G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD93F969D24469&compId=BU406G.PDF?ci_sign=d4cf8db71c24159305f82021fb1d0dd01a737008 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Frequency: 10MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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31+2.35 EUR
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BUB323ZT4G ONSEMI bub323z-d.pdf BUB323ZT4G NPN SMD Darlington transistors
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BUL45D2G ONSEMI bul45d2-d.pdf description BUL45D2G NPN THT transistors
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BUT11AFTU ONSEMI BUT11%28F%2CAF%29.pdf BUT11AFTU NPN THT transistors
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BUV21G BUV21G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBDA85AA12DC469&compId=BUV21.PDF?ci_sign=be3cf637e14261f974c3814117a152361b145c98 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 40A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 250W
Polarisation: bipolar
Kind of package: in-tray
Mounting: THT
Case: TO3
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auf Bestellung 56 Stücke:
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4+22.32 EUR
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BUX85G BUX85G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD019B96DBB2469&compId=BUX85.PDF?ci_sign=694b373fcd6988fc7bc7c2142821c98bbc954760 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 1kV; 2A; 40W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
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18+3.98 EUR
33+2.17 EUR
50+1.43 EUR
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BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3770A345D5EA&compId=BUZ11.pdf?ci_sign=480bd9e80f6c319adc6605698b02b4ebbacc37a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1278 Stücke:
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41+1.77 EUR
52+1.38 EUR
59+1.22 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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BVSS123LT1G BVSS123LT1G ONSEMI bss123lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Case: SOT23
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.225W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
204+0.35 EUR
241+0.3 EUR
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1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI bss138lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BVSS84LT1G BVSS84LT1G ONSEMI bss84lt1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3151 Stücke:
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209+0.34 EUR
313+0.23 EUR
368+0.19 EUR
468+0.15 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYV32-200G BYV32-200G ONSEMI byv32-200-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Leakage current: 0.6mA
Reverse recovery time: 35ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
36+2.02 EUR
44+1.64 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW29-200G BYW29-200G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE581BF96ED16C18469&compId=BYW29-200G.PDF?ci_sign=0aa57063bedc1473c9a49d2f1b4c0d5efc0cb37e description Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
57+1.27 EUR
60+1.21 EUR
93+0.78 EUR
98+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW51-200G BYW51-200G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688601DFD2A6745&compId=BYW51-200.PDF?ci_sign=319def4bcd2d59bc2ef7e4cc6620d39223e1c244 Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Max. load current: 16A
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
44+1.63 EUR
50+1.46 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW80-200G BYW80-200G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868868017BA6A745&compId=BYW80-200G.PDF?ci_sign=56b60dde4211bdb98c10afa8426444b809616a8d description Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 16A
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Mounting: THT
Case: TO220AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1383 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
67+1.07 EUR
83+0.86 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZG03C150G BZG03C150G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA4BD31B544BBE0C7&compId=bzg03c15.pdf?ci_sign=b404193c4524a81d71071edef655dbc39cbbf2ff Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 150V; SMD; reel,tape; SMA; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 150V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZG03C
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
269+0.27 EUR
338+0.21 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C10 BZX79C10 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.2uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
532+0.13 EUR
650+0.11 EUR
848+0.084 EUR
1069+0.067 EUR
1731+0.041 EUR
1832+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C11 ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIRS25069-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BZX79C2V0%20SERIES_H2304.pdf BZX79C11-FAI THT Zener diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C12 BZX79C12 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
569+0.13 EUR
676+0.11 EUR
834+0.086 EUR
1409+0.051 EUR
1784+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C15 BZX79C15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.05uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
658+0.11 EUR
893+0.08 EUR
2464+0.029 EUR
2874+0.025 EUR
2970+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C2V4 BZX79C2V4 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.4V; bulk; CASE017AG; single diode; 100uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.4V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1mA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2091 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
834+0.086 EUR
1352+0.053 EUR
2091+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 834
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C2V7 BZX79C2V7 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 75uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.7V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 75µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
676+0.11 EUR
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1397+0.051 EUR
1859+0.038 EUR
2101+0.034 EUR
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Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C3V3 BZX79C3V3 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.3V; bulk; CASE017AG; single diode; 25uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.3V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 25µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
625+0.11 EUR
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926+0.077 EUR
1539+0.046 EUR
1695+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C3V6 ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BZX79C3V6-FAI THT Zener diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C3V9 ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BZX79C3V9-FAI THT Zener diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C4V3 ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIRS25069-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BZX79C2V0%20SERIES_H2304.pdf BZX79C4V3-FAI THT Zener diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C4V7 BZX79C4V7 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 4.7V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX79C
Leakage current: 3µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
610+0.12 EUR
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1389+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C5V1 BZX79C5V1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 2uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX79C
Leakage current: 2µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
544+0.13 EUR
642+0.11 EUR
729+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C5V6 BZX79C5V6 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.6V; bulk; CASE017AG; single diode; 1uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.6V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
910+0.079 EUR
927+0.077 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C6V2 BZX79C6V2 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 6.2V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 6.2V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
532+0.13 EUR
625+0.11 EUR
788+0.091 EUR
1323+0.054 EUR
1667+0.043 EUR
1793+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C6V8 ONSEMI BZX79C2V4-D.PDF BZX79C6V8-FAI THT Zener diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C8V2 ONSEMI BZX79C2V4-D.PDF BZX79C2V0%20SERIES_H2304.pdf BZX79C8V2-FAI THT Zener diodes
auf Bestellung 1927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
1690+0.042 EUR
1786+0.04 EUR
1859+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C9V1 BZX79C9V1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
834+0.086 EUR
1191+0.06 EUR
1471+0.049 EUR
1990+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 834
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
284+0.26 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Case: TO92
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.83W
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2757 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
191+0.37 EUR
264+0.27 EUR
307+0.23 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D27Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
229+0.31 EUR
358+0.2 EUR
432+0.17 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS270 bs270-d.pdf
BS270
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
205+0.35 EUR
362+0.2 EUR
374+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS270-D74Z bs270-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP16T1G bsp16t1-d.pdf
BSP16T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
209+0.34 EUR
360+0.2 EUR
382+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP52T1G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD7DC9F5AF8469&compId=BSP52.PDF?ci_sign=f8f7489c22d6fe1d0f211ca7b159e04be9517d45
BSP52T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
138+0.52 EUR
350+0.2 EUR
371+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP52T3G bsp52t1-d.pdf
BSP52T3G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR14 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A2C68912BA611C&compId=BSR14-FAI-DTE.pdf?ci_sign=40fa2ea9af78f21d0b0cec20c99dc89bdab152e2
BSR14
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 40V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
195+0.37 EUR
281+0.25 EUR
334+0.21 EUR
575+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR16 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A604A081FD811C&compId=bsr16-fai-dte.pdf?ci_sign=aeea5129443f61098bae866dab48fe26f1e51c35
BSR16
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 300MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
183+0.39 EUR
268+0.27 EUR
317+0.23 EUR
569+0.13 EUR
603+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR57 bsr57-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BSR57 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3045 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
449+0.16 EUR
475+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR58 bsr58-d.pdf
BSR58
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 8mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 60Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
182+0.39 EUR
305+0.23 EUR
353+0.2 EUR
562+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88BD4DE6196469&compId=BSS123-FAI.pdf?ci_sign=3de4c6cb611ab88835293b2fa726130d1a2a405d
BSS123
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
329+0.22 EUR
512+0.14 EUR
616+0.12 EUR
1421+0.05 EUR
1502+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5CD04746BB1BF&compId=BSS123L-DTE.pdf?ci_sign=8ed27bc96459eaec35a984b9465205e2fecb1beb
BSS123L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3042 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
511+0.14 EUR
789+0.091 EUR
933+0.077 EUR
1401+0.051 EUR
1480+0.048 EUR
1530+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88C8D2E08DC469&compId=BSS123LT1G.PDF?ci_sign=b55620e6b77cef6fe7c68cb8bb58db635295da56
BSS123LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20902 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
338+0.21 EUR
525+0.14 EUR
631+0.11 EUR
790+0.091 EUR
1588+0.045 EUR
1678+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W bss123w-d.pdf
BSS123W
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
360+0.2 EUR
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600+0.12 EUR
675+0.11 EUR
715+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 360
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-G bss138-d.pdf
BSS138-G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
368+0.19 EUR
582+0.12 EUR
794+0.09 EUR
834+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 bss138-d.pdf
BSS138
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
244+0.29 EUR
500+0.14 EUR
610+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138K bss138k-d.pdf
BSS138K
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
589+0.12 EUR
837+0.086 EUR
958+0.075 EUR
1846+0.039 EUR
1954+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90D007811653C0D5&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=3b1c6cb55f89c6709af38d9d877a48d80e8ff74d
BSS138L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6060 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
486+0.15 EUR
619+0.12 EUR
696+0.1 EUR
819+0.087 EUR
1819+0.039 EUR
1924+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB81F5DA269A88E0C7&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=d4e7758a5e7668a7ea517da14f04673491c06f7a
BSS138LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
443+0.16 EUR
561+0.13 EUR
787+0.091 EUR
973+0.074 EUR
1761+0.041 EUR
1859+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB81F5DA269A88E0C7&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=d4e7758a5e7668a7ea517da14f04673491c06f7a
BSS138LT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
397+0.18 EUR
527+0.14 EUR
772+0.093 EUR
1174+0.061 EUR
1254+0.057 EUR
1283+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138W bss138w-d.pdf
BSS138W
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
On-state resistance: 5.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
332+0.22 EUR
498+0.14 EUR
579+0.12 EUR
827+0.087 EUR
875+0.082 EUR
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BSS63LT1G PNP SMD transistors
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
335+0.21 EUR
1815+0.04 EUR
24000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 335
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
BSS64LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 60MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
455+0.16 EUR
658+0.11 EUR
772+0.093 EUR
1731+0.041 EUR
1800+0.04 EUR
9000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A79C54FF631B7E27&compId=BSS84-FAI-DTE.pdf?ci_sign=10eb7458a116d15a6d31471c0c0ea3a7e5b68dc0
BSS84
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Gate charge: 1.3nC
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 17Ω
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
217+0.33 EUR
296+0.24 EUR
336+0.21 EUR
391+0.18 EUR
577+0.12 EUR
1066+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F048F1A6F5005056AB5A8F&compId=BSS84LT1-D.pdf?ci_sign=745ad206972ef0844f90e852c06114644586bec5
BSS84LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 10Ω
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9225 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
694+0.1 EUR
878+0.082 EUR
1009+0.071 EUR
1073+0.067 EUR
1634+0.044 EUR
1731+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 694
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSV52LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EE56EDC417718BF&compId=BSV52LT1G.pdf?ci_sign=9aba51a09e73d8610d94d50c3331d014b9d24ed0
BSV52LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 400MHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 40...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
353+0.2 EUR
634+0.11 EUR
1027+0.07 EUR
1087+0.066 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BU406G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD93F969D24469&compId=BU406G.PDF?ci_sign=d4cf8db71c24159305f82021fb1d0dd01a737008
BU406G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Frequency: 10MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
48+1.5 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
250+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUB323ZT4G bub323z-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BUB323ZT4G NPN SMD Darlington transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUL45D2G description bul45d2-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
BUL45D2G NPN THT transistors
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUT11AFTU BUT11%28F%2CAF%29.pdf
Hersteller: ONSEMI
BUT11AFTU NPN THT transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.53 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUV21G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBDA85AA12DC469&compId=BUV21.PDF?ci_sign=be3cf637e14261f974c3814117a152361b145c98
BUV21G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 40A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 250W
Polarisation: bipolar
Kind of package: in-tray
Mounting: THT
Case: TO3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.32 EUR
100+21.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUX85G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD019B96DBB2469&compId=BUX85.PDF?ci_sign=694b373fcd6988fc7bc7c2142821c98bbc954760
BUX85G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 1kV; 2A; 40W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
33+2.17 EUR
50+1.43 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ11-NR4941 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3770A345D5EA&compId=BUZ11.pdf?ci_sign=480bd9e80f6c319adc6605698b02b4ebbacc37a1
BUZ11-NR4941
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
52+1.38 EUR
59+1.22 EUR
92+0.78 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BVSS123LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Case: SOT23
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.225W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
204+0.35 EUR
241+0.3 EUR
443+0.16 EUR
658+0.11 EUR
705+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS138LT1G bss138lt1-d.pdf
BVSS138LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS84LT1G bss84lt1-d.pdf
BVSS84LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
313+0.23 EUR
368+0.19 EUR
468+0.15 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYV32-200G byv32-200-d.pdf
BYV32-200G
Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Leakage current: 0.6mA
Reverse recovery time: 35ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
36+2.02 EUR
44+1.64 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW29-200G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE581BF96ED16C18469&compId=BYW29-200G.PDF?ci_sign=0aa57063bedc1473c9a49d2f1b4c0d5efc0cb37e
BYW29-200G
Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
57+1.27 EUR
60+1.21 EUR
93+0.78 EUR
98+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BYW51-200G
Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Max. load current: 16A
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
44+1.63 EUR
50+1.46 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYW80-200G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868868017BA6A745&compId=BYW80-200G.PDF?ci_sign=56b60dde4211bdb98c10afa8426444b809616a8d
BYW80-200G
Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 16A
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Mounting: THT
Case: TO220AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1383 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
67+1.07 EUR
83+0.86 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZG03C150G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA4BD31B544BBE0C7&compId=bzg03c15.pdf?ci_sign=b404193c4524a81d71071edef655dbc39cbbf2ff
BZG03C150G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 150V; SMD; reel,tape; SMA; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 150V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZG03C
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
269+0.27 EUR
338+0.21 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C10
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.2uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
532+0.13 EUR
650+0.11 EUR
848+0.084 EUR
1069+0.067 EUR
1731+0.041 EUR
1832+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C11 ONSM-S-A0003579732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIRS25069-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BZX79C2V0%20SERIES_H2304.pdf
Hersteller: ONSEMI
BZX79C11-FAI THT Zener diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C12 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C12
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
569+0.13 EUR
676+0.11 EUR
834+0.086 EUR
1409+0.051 EUR
1784+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C15
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.05uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
658+0.11 EUR
893+0.08 EUR
2464+0.029 EUR
2874+0.025 EUR
2970+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C2V4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C2V4
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.4V; bulk; CASE017AG; single diode; 100uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.4V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1mA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2091 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
834+0.086 EUR
1352+0.053 EUR
2091+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 834
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C2V7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C2V7
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 75uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.7V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 75µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2356 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
676+0.11 EUR
834+0.086 EUR
1397+0.051 EUR
1859+0.038 EUR
2101+0.034 EUR
2263+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C3V3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C3V3
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.3V; bulk; CASE017AG; single diode; 25uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.3V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 25µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
625+0.11 EUR
758+0.094 EUR
926+0.077 EUR
1539+0.046 EUR
1695+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C3V6 ONSM-S-A0003579732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
BZX79C3V6-FAI THT Zener diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C3V9 ONSM-S-A0003579732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
BZX79C3V9-FAI THT Zener diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C4V3 ONSM-S-A0003579732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIRS25069-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BZX79C2V0%20SERIES_H2304.pdf
Hersteller: ONSEMI
BZX79C4V3-FAI THT Zener diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C4V7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C4V7
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 4.7V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX79C
Leakage current: 3µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
610+0.12 EUR
933+0.077 EUR
1122+0.064 EUR
1389+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C5V1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C5V1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 2uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX79C
Leakage current: 2µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
544+0.13 EUR
642+0.11 EUR
729+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C5V6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C5V6
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.6V; bulk; CASE017AG; single diode; 1uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.6V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
910+0.079 EUR
927+0.077 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C6V2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C6V2
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 6.2V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 6.2V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
532+0.13 EUR
625+0.11 EUR
788+0.091 EUR
1323+0.054 EUR
1667+0.043 EUR
1793+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C6V8 BZX79C2V4-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
BZX79C6V8-FAI THT Zener diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C8V2 BZX79C2V4-D.PDF BZX79C2V0%20SERIES_H2304.pdf
Hersteller: ONSEMI
BZX79C8V2-FAI THT Zener diodes
auf Bestellung 1927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
1690+0.042 EUR
1786+0.04 EUR
1859+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX79C9V1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C9V1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5µA
Manufacturer series: BZX79C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
834+0.086 EUR
1191+0.06 EUR
1471+0.049 EUR
1990+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 834
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