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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ESD9B3.3ST5G ESD9B3.3ST5G ONSEMI esd9b-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 5÷7V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5...7V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 15pF
Peak pulse power dissipation: 0.3W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
794+0.09 EUR
1323+0.054 EUR
1603+0.045 EUR
1954+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9B5.0ST5G ESD9B5.0ST5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786888FB7ACA94745&compId=ESD9B5.0ST5G.PDF?ci_sign=5ddc4e572c09119a74a776a768fd7b638ac2fef5 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 7.8V; 15A; bidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.3W
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
625+0.11 EUR
1042+0.069 EUR
1352+0.053 EUR
2552+0.028 EUR
3356+0.021 EUR
3624+0.02 EUR
3876+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9C3.3ST5G ESD9C3.3ST5G ONSEMI esd9c3.3s-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Case: SOD923
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
439+0.16 EUR
532+0.13 EUR
723+0.099 EUR
1166+0.061 EUR
1378+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9C5.0ST5G ESD9C5.0ST5G ONSEMI esd9c3.3s-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 11V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 11V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD923F
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
257+0.28 EUR
582+0.12 EUR
900+0.08 EUR
973+0.074 EUR
1090+0.066 EUR
4000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9L5.0ST5G ESD9L5.0ST5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688951430750745&compId=ESD9L5.0ST5G.PDF?ci_sign=0bb65ff49ba4e4569b3466dbe83fcf59f28cd37c Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5.4V; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.4V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
391+0.18 EUR
455+0.16 EUR
795+0.09 EUR
1055+0.068 EUR
1097+0.065 EUR
1150+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9R3.3ST5G ESD9R3.3ST5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAAB4DB9A3C7E27&compId=ESD9R3.3ST5G-DTE.PDF?ci_sign=92b556fbe3efc2c533d83a05adbd46efca29e1a9 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 4.8V; 1A; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 4.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD923
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. forward impulse current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
172+0.42 EUR
211+0.34 EUR
230+0.31 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9X5.0ST5G ESD9X5.0ST5G ONSEMI esd9x3.3st5g-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
625+0.11 EUR
926+0.077 EUR
1330+0.054 EUR
1563+0.046 EUR
1924+0.037 EUR
2243+0.032 EUR
2605+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100CSX FAN3100CSX ONSEMI FAN3100C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.8...2.5A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
82+0.87 EUR
96+0.75 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100TMPX FAN3100TMPX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Case: MLP6
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2.5...1.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 14ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2929 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
61+1.18 EUR
71+1.02 EUR
79+0.91 EUR
100+0.83 EUR
250+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100TSX FAN3100TSX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
69+1.05 EUR
79+0.91 EUR
100+0.72 EUR
250+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3111CSX FAN3111CSX ONSEMI FAN3111C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.9...1.1A
Impulse rise time: 18ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
69+1.05 EUR
83+0.87 EUR
106+0.68 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3111ESX FAN3111ESX ONSEMI FAN3111C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
80+0.9 EUR
99+0.73 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224CMX FAN3224CMX ONSEMI fan3223-d.pdf fan3223-f085-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
43+1.69 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224TMX FAN3224TMX ONSEMI fan3223-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
55+1.32 EUR
65+1.1 EUR
74+0.97 EUR
100+0.87 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN4174IS5X ONSEMI FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
139+0.52 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN5622SX FAN5622SX ONSEMI fan5626-d.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of integrated circuit: LED driver
Mounting: SMD
Interface: SWD
Output current: 30mA
Maximum output current: 30mA
Number of channels: 2
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Case: TSOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
91+0.79 EUR
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
250+0.46 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7380MX FAN7380MX ONSEMI FAN7380.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -180...90mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7382MX FAN7382MX ONSEMI fan7382-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Mounting: SMD
Topology: H-bridge
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 140ns
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Case: SOP8
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
52+1.4 EUR
61+1.17 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73832MX FAN73832MX ONSEMI FAN73832.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
59+1.23 EUR
65+1.1 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3
+1
 		FCB070N65S3 ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.84 EUR
14+5.31 EUR
25+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.13 EUR
13+5.66 EUR
15+4.86 EUR
25+4.2 EUR
50+3.78 EUR
100+3.43 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3 FCB260N65S3 ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.08 EUR
25+2.89 EUR
28+2.57 EUR
100+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
46+1.56 EUR
100+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
57+1.27 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD900N60Z ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FCD900N60Z SMD N channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.39 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
300+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
30+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI FCH47N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
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FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
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FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
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FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
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FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
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FCPF400N80Z ONSEMI FCPF400N80Z-D.PDF FCPF400N80Z THT N channel transistors
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FDA032N08 FDA032N08 ONSEMI fda032n08-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDA24N40F FDA24N40F ONSEMI fda24n40f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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22+3.37 EUR
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FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI fda28n50-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
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14+5.32 EUR
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FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.42 EUR
16+4.7 EUR
18+4.08 EUR
30+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF FDA69N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
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18+4.19 EUR
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FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf FDB0190N807L SMD N channel transistors
auf Bestellung 800 Stücke:
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12+6.31 EUR
14+5.16 EUR
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FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.43 EUR
16+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCF668936BE28&compId=FDB13AN06A0.pdf?ci_sign=0382b24b12a43822867ce764f1ed0e10d5eac849 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI FDB15N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.35 EUR
22+3.27 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDB2532 SMD N channel transistors
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.36 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
50+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.35 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
500+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710 ONSEMI fdb2710-d.pdf FDB2710 SMD N channel transistors
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.86 EUR
18+4.03 EUR
19+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDD985B549E28&compId=FDB28N30TM.pdf?ci_sign=f7270f95fc8d5c8b22ec514372178bba44a6efd4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
39+1.87 EUR
47+1.54 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB33N25TM ONSEMI FDB33N25-D.PDF FDB33N25TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.1 EUR
41+1.76 EUR
43+1.67 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652 FDB3652 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE6A504471E28&compId=FDB3652.pdf?ci_sign=75280f79b06b2631fc6d825e841c33c9777df444 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3 EUR
30+2.4 EUR
35+2.1 EUR
41+1.74 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Technology: UniFET™
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.05 EUR
26+2.82 EUR
32+2.26 EUR
35+2.04 EUR
100+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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FDB52N20TM ONSEMI FDB52N20-D.pdf FDB52N20TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.87 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.43 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 FDC2612 ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1649 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
106+0.68 EUR
152+0.47 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
118+0.61 EUR
177+0.4 EUR
250+0.34 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 FDC3612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
143+0.5 EUR
172+0.42 EUR
189+0.38 EUR
250+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 129
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FDC5614P ONSEMI fdc5614p-d.pdf FDC5614P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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FDC602P FDC602P ONSEMI fdc602p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
123+0.58 EUR
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Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC604P FDC604P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE891F6669E7C4CD3D3&compId=FDC604P.pdf?ci_sign=cded1acaf8bbeaa139aa5dedb6db04d06a0f9d14 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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128+0.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC606P FDC606P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2175 Stücke:
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99+0.72 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9B3.3ST5G esd9b-d.pdf
ESD9B3.3ST5G
Hersteller: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 5÷7V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5...7V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 15pF
Peak pulse power dissipation: 0.3W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10782 Stücke:
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Anzahl Preis
455+0.16 EUR
794+0.09 EUR
1323+0.054 EUR
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1954+0.037 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9B5.0ST5G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786888FB7ACA94745&compId=ESD9B5.0ST5G.PDF?ci_sign=5ddc4e572c09119a74a776a768fd7b638ac2fef5
ESD9B5.0ST5G
Hersteller: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 7.8V; 15A; bidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.3W
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
1042+0.069 EUR
1352+0.053 EUR
2552+0.028 EUR
3356+0.021 EUR
3624+0.02 EUR
3876+0.018 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9C3.3ST5G esd9c3.3s-d.pdf
ESD9C3.3ST5G
Hersteller: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Case: SOD923
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7990 Stücke:
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Anzahl Preis
358+0.2 EUR
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532+0.13 EUR
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1378+0.052 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9C5.0ST5G esd9c3.3s-d.pdf
ESD9C5.0ST5G
Hersteller: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 11V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 11V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD923F
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9L5.0ST5G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688951430750745&compId=ESD9L5.0ST5G.PDF?ci_sign=0bb65ff49ba4e4569b3466dbe83fcf59f28cd37c
ESD9L5.0ST5G
Hersteller: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5.4V; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.4V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7793 Stücke:
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Anzahl Preis
334+0.21 EUR
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795+0.09 EUR
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1097+0.065 EUR
1150+0.062 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9R3.3ST5G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAAB4DB9A3C7E27&compId=ESD9R3.3ST5G-DTE.PDF?ci_sign=92b556fbe3efc2c533d83a05adbd46efca29e1a9
ESD9R3.3ST5G
Hersteller: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 4.8V; 1A; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 4.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD923
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. forward impulse current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2401 Stücke:
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Anzahl Preis
122+0.59 EUR
172+0.42 EUR
211+0.34 EUR
230+0.31 EUR
500+0.3 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD9X5.0ST5G esd9x3.3st5g-d.pdf
ESD9X5.0ST5G
Hersteller: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8106 Stücke:
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Anzahl Preis
625+0.11 EUR
926+0.077 EUR
1330+0.054 EUR
1563+0.046 EUR
1924+0.037 EUR
2243+0.032 EUR
2605+0.027 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100CSX FAN3100C.pdf
FAN3100CSX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.8...2.5A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
82+0.87 EUR
96+0.75 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100TMPX fan3100t-d.pdf
FAN3100TMPX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Case: MLP6
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2.5...1.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 14ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2929 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
61+1.18 EUR
71+1.02 EUR
79+0.91 EUR
100+0.83 EUR
250+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3100TSX fan3100t-d.pdf
FAN3100TSX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
69+1.05 EUR
79+0.91 EUR
100+0.72 EUR
250+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3111CSX FAN3111C.pdf
FAN3111CSX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.9...1.1A
Impulse rise time: 18ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
69+1.05 EUR
83+0.87 EUR
106+0.68 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3111ESX FAN3111C.pdf
FAN3111ESX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
80+0.9 EUR
99+0.73 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224CMX fan3223-d.pdf fan3223-f085-d.pdf
FAN3224CMX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
43+1.69 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN3224TMX fan3223-d.pdf
FAN3224TMX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
55+1.32 EUR
65+1.1 EUR
74+0.97 EUR
100+0.87 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN4174IS5X FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
139+0.52 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN5622SX fan5626-d.pdf
FAN5622SX
Hersteller: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of integrated circuit: LED driver
Mounting: SMD
Interface: SWD
Output current: 30mA
Maximum output current: 30mA
Number of channels: 2
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Case: TSOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
91+0.79 EUR
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
250+0.46 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7380MX FAN7380.pdf
FAN7380MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -180...90mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN7382MX fan7382-d.pdf
FAN7382MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Mounting: SMD
Topology: H-bridge
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 140ns
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Case: SOP8
Type of integrated circuit: driver
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
52+1.4 EUR
61+1.17 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FAN73832MX FAN73832.pdf
FAN73832MX
Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
59+1.23 EUR
65+1.1 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.84 EUR
14+5.31 EUR
25+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.13 EUR
13+5.66 EUR
15+4.86 EUR
25+4.2 EUR
50+3.78 EUR
100+3.43 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB260N65S3 fcb260n65s3-d.pdf
FCB260N65S3
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FCD4N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FCD5N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
FCD900N60Z SMD N channel transistors
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FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH47N60-F133 FCH47N60.pdf
FCH47N60-F133
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FCH47N60F-F133
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCP11N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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22+3.4 EUR
25+2.89 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
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15+4.96 EUR
16+4.65 EUR
17+4.22 EUR
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FCPF11N60 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCPF11N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
30+2.46 EUR
36+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
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Anzahl Preis
16+4.56 EUR
24+3.02 EUR
50+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.22 EUR
13+5.71 EUR
16+4.76 EUR
50+3.92 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF400N80Z FCPF400N80Z-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FCPF400N80Z THT N channel transistors
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Anzahl Preis
19+3.83 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA032N08 fda032n08-d.pdf
FDA032N08
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
17+4.25 EUR
30+3.62 EUR
120+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N40F fda24n40f-d.pdf
FDA24N40F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA24N50F fda24n50f-d.pdf
FDA24N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.89 EUR
25+4.09 EUR
30+4 EUR
120+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA28N50 fda28n50-d.pdf
FDA28N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.32 EUR
17+4.25 EUR
30+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA59N30 FDA59N30-D.pdf
FDA59N30
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.42 EUR
16+4.7 EUR
18+4.08 EUR
30+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDA69N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.93 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB0190N807L SMD N channel transistors
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.31 EUR
14+5.16 EUR
15+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB035AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d
FDB035AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.43 EUR
16+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB13AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCF668936BE28&compId=FDB13AN06A0.pdf?ci_sign=0382b24b12a43822867ce764f1ed0e10d5eac849
FDB13AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB15N50 FDB15N50.pdf
FDB15N50
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
22+3.27 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2532 FDP2532-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDB2532 SMD N channel transistors
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.36 EUR
22+3.36 EUR
23+3.17 EUR
50+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
500+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB2710 fdb2710-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB2710 SMD N channel transistors
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.86 EUR
18+4.03 EUR
19+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB28N30TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDD985B549E28&compId=FDB28N30TM.pdf?ci_sign=f7270f95fc8d5c8b22ec514372178bba44a6efd4
FDB28N30TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
39+1.87 EUR
47+1.54 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
FDB33N25TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.1 EUR
41+1.76 EUR
43+1.67 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB3652 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE6A504471E28&compId=FDB3652.pdf?ci_sign=75280f79b06b2631fc6d825e841c33c9777df444
FDB3652
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3 EUR
30+2.4 EUR
35+2.1 EUR
41+1.74 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Technology: UniFET™
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.05 EUR
26+2.82 EUR
32+2.26 EUR
35+2.04 EUR
100+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB52N20TM FDB52N20-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB52N20TM SMD N channel transistors
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.87 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.43 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC2612 FDC2612.pdf
FDC2612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1649 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
106+0.68 EUR
152+0.47 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
118+0.61 EUR
177+0.4 EUR
250+0.34 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC3612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f
FDC3612
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
143+0.5 EUR
172+0.42 EUR
189+0.38 EUR
250+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDC5614P SMD P channel transistors
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
248+0.29 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC602P fdc602p-d.pdf
FDC602P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
123+0.58 EUR
161+0.45 EUR
178+0.4 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC604P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE891F6669E7C4CD3D3&compId=FDC604P.pdf?ci_sign=cded1acaf8bbeaa139aa5dedb6db04d06a0f9d14
FDC604P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
128+0.56 EUR
194+0.37 EUR
250+0.31 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC606P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c
FDC606P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
99+0.72 EUR
108+0.67 EUR
127+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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