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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMBD6050LT1G ONSEMI mmbd6050lt1-d.pdf MMBD6050LT1G SMD universal diodes
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
584+0.12 EUR
2400+0.03 EUR
9000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 584
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD7000LT1G ONSEMI mmbd7000lt1-d.pdf MMBD7000LT1G SMD universal diodes
auf Bestellung 5840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
482+0.15 EUR
2841+0.025 EUR
3013+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 482
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD701LT1G ONSEMI mbd701-d.pdf MMBD701LT1G SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
251+0.29 EUR
940+0.076 EUR
1467+0.049 EUR
1553+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 251
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD914LT1G MMBD914LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C052121529D5F1A6F5005056AB5A8F&compId=mmbd914.pdf?ci_sign=98cd543f982ef3c966ca2b8fcb83512c5fc2d701 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape
Case: SOT23
Reverse recovery time: 75ns
Load current: 0.2A
Max. off-state voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
773+0.093 EUR
1191+0.06 EUR
1337+0.053 EUR
1767+0.04 EUR
2865+0.024 EUR
30000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 773
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF170 MMBF170 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.2Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
371+0.19 EUR
538+0.13 EUR
631+0.11 EUR
1021+0.07 EUR
1080+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF170LT1G MMBF170LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C152FCE66C469&compId=MMBF170LT1G.PDF?ci_sign=290e0833eccb810af42552b67dc826a51f4ea9ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
336+0.21 EUR
513+0.14 EUR
621+0.12 EUR
1194+0.06 EUR
1263+0.057 EUR
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G ONSEMI mmbf2201nt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.4nC
Pulsed drain current: 750A
On-state resistance: 1Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
232+0.31 EUR
262+0.27 EUR
371+0.19 EUR
432+0.17 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4117 MMBF4117 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DE02A25F42A745&compId=MMBF4117.pdf?ci_sign=3bb5c012db86a7001291d0c0c7bfb7fd9e16a784 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30uA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Type of transistor: N-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 30µA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
152+0.47 EUR
191+0.37 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G ONSEMI mmbf4391lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
179+0.4 EUR
257+0.28 EUR
304+0.24 EUR
353+0.2 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4392LT1G MMBF4392LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689B8D28E1CE745&compId=MMBF439xLT1.PDF?ci_sign=ee00da10a1c6654780e2d83851268130cd56277b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Gate current: 50mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
230+0.31 EUR
305+0.23 EUR
345+0.21 EUR
486+0.15 EUR
511+0.14 EUR
1500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4416 MMBF4416 ONSEMI MMBF4416.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Gate current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2802 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
459+0.16 EUR
491+0.15 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4416A MMBF4416A ONSEMI MMBF4416A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
Mounting: SMD
Gate current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
550+0.13 EUR
589+0.12 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5103 MMBF5103 ONSEMI mmbf5103-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
241+0.3 EUR
295+0.24 EUR
397+0.18 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5457 MMBF5457 ONSEMI 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 3mA; 0.35W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 3mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Gate current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
300+0.24 EUR
388+0.18 EUR
410+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5484 MMBF5484 ONSEMI mmbf5486-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Gate current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
468+0.15 EUR
500+0.14 EUR
603+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5485 MMBF5485 ONSEMI mmbf5486-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 4mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 4mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Gate current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2856 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
459+0.16 EUR
491+0.15 EUR
596+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ108 MMBFJ108 ONSEMI j109-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 80mA
On-state resistance: 8Ω
Case: SuperSOT-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
167+0.43 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ111 MMBFJ111 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
184+0.39 EUR
252+0.28 EUR
417+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ112 MMBFJ112 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 50Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4384 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
225+0.32 EUR
290+0.25 EUR
350+0.2 EUR
417+0.17 EUR
562+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ113 MMBFJ113 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 2mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 100Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
240+0.3 EUR
298+0.24 EUR
353+0.2 EUR
410+0.17 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8EA3080E7AA1A0C4&compId=MMBFJ175LT1G.pdf?ci_sign=c43f2629a959c94cce3bfd9fe0aee42b69a3c38e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Polarisation: unipolar
Drain current: 7mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1856 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
194+0.37 EUR
256+0.28 EUR
319+0.22 EUR
394+0.18 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ176 MMBFJ176 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A9B12C0BFE9CBE27&compId=MMBFJ17X-DTE.pdf?ci_sign=7faeb449ab6ec932f48342f39e9dacba4889197f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.27 EUR
66+1.09 EUR
182+0.39 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C22263F6A8469&compId=MMBFJ177LT1G.PDF?ci_sign=82d0d4ff802757fcb2283fae660f98b9761c0aaf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11765 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
222+0.32 EUR
250+0.29 EUR
334+0.21 EUR
379+0.19 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ201 MMBFJ201 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA92B29A02979EE0C4&compId=MMBFJ201_MMBFJ202.pdf?ci_sign=a5a7a499f90f52db1758480a969ed6234bfc0d50 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Type of transistor: N-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 200µA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
188+0.38 EUR
253+0.28 EUR
290+0.25 EUR
327+0.22 EUR
459+0.16 EUR
486+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ202 MMBFJ202 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA92B29A02979EE0C4&compId=MMBFJ201_MMBFJ202.pdf?ci_sign=a5a7a499f90f52db1758480a969ed6234bfc0d50 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 900µA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Gate current: 50mA
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ270 MMBFJ270 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A9B1701B2CC77E27&compId=MMBFJ270-DTE.pdf?ci_sign=4f92c244f51728701677d48f3336f29f6cfc3019 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C24956FDB4469&compId=MMBFJ309LT1G.PDF?ci_sign=80a55220c615e4b405c44ca4e48ed82acbfe6045 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Drain-source voltage: 25V
Case: SOT23
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ310LT1G
+1
 		MMBFJ310LT1G ONSEMI mmbfj309lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9DE0C14E190143&compId=MMBT2222AWT1G.pdf?ci_sign=1309ef5d9c266313b6366cd4fd67d918c9674f9c description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2369ALT1G MMBT2369ALT1G ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 15V
Current gain: 40...120
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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385+0.19 EUR
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2025+0.035 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G ONSEMI mmbt2484lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2889 Stücke:
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358+0.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1502B127E6469&compId=MMBT2907ALT1G.PDF?ci_sign=7bfa24abae00fcccb600eee7618fe66cba17f07d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3596 Stücke:
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960+0.075 EUR
1563+0.046 EUR
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2809+0.025 EUR
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3449+0.021 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2045 Stücke:
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455+0.16 EUR
511+0.14 EUR
582+0.12 EUR
854+0.084 EUR
1031+0.069 EUR
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2045+0.034 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1G MMBT3904LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1EAEDB3C020CE&compId=MMBT3904L.PDF?ci_sign=37cf926815c13c4db3da525638d3091e5ea987f7 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12063 Stücke:
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530+0.13 EUR
747+0.096 EUR
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2146+0.033 EUR
2539+0.028 EUR
5000+0.014 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1552907C16469&compId=MMBT3906LT1G.PDF?ci_sign=e1227555734e612d71076dfc629a08aa2c7ea9f0 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5849 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
803+0.089 EUR
1112+0.064 EUR
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1825+0.039 EUR
2552+0.028 EUR
2907+0.025 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
494+0.14 EUR
670+0.11 EUR
1500+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 494
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C052121529E3F1A6F5005056AB5A8F&compId=mmbt4403.pdf?ci_sign=04c50cb5668c6f5b1f2b558ca2fb49119e43bd2d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
555+0.13 EUR
893+0.08 EUR
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2110+0.034 EUR
3185+0.022 EUR
3356+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 555
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Frequency: 40MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
500+0.14 EUR
742+0.096 EUR
889+0.081 EUR
2028+0.036 EUR
9000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C12D3F357DC0CE&compId=MMBT5088L_MMBT5089L.PDF?ci_sign=a6e8d97f788a8156f13573a4886db6c597d44311 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...900
Frequency: 50MHz
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
676+0.11 EUR
1019+0.07 EUR
1341+0.053 EUR
2137+0.033 EUR
2263+0.032 EUR
24000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5089LT1G ONSEMI mmbt5088lt1-d.pdf MMBT5089LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
303+0.24 EUR
431+0.17 EUR
1183+0.06 EUR
9000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 303
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9047 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
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2591+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1G ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf MMBT5550LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
439+0.16 EUR
2318+0.031 EUR
9000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 439
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2014 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
759+0.094 EUR
1137+0.063 EUR
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1812+0.039 EUR
2014+0.036 EUR
2403+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 759
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT589LT1G MMBT589LT1G ONSEMI mmbt589lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
178+0.4 EUR
260+0.28 EUR
309+0.23 EUR
496+0.14 EUR
1500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...650
Frequency: 700MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
725+0.099 EUR
977+0.073 EUR
1095+0.065 EUR
1916+0.037 EUR
2025+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT6429LT1G ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf MMBT6429LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G ONSEMI mmbt6520lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.5A
Current gain: 30...200
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 571 Stücke:
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250+0.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT918LT1G ONSEMI mmbt918lt1-d.pdf MMBT918LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 2409 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C052121529EAF1A6F5005056AB5A8F&compId=mmbta05.pdf?ci_sign=b895910f566e550c18f0d2ef62c925a0321e5016 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
438+0.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BA81680E3F0EE469&compId=MMBTA13LT1G.PDF?ci_sign=d6e08d0938bccd5929d086596ffe7a89cabd7d6e Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
527+0.14 EUR
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1170+0.061 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD16DC1E78D8469&compId=MMBTA42LT1G.PDF?ci_sign=b51c49060169d1539ad386db729599a26e042872 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
Current gain: 40
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
417+0.17 EUR
486+0.15 EUR
742+0.096 EUR
900+0.08 EUR
2025+0.035 EUR
2137+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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MMBTA55LT1G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf MMBTA55LT1G PNP SMD transistors
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352+0.2 EUR
1019+0.07 EUR
1311+0.054 EUR
9000+0.032 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE591CCB53338608469&compId=MMBTA55_56.pdf?ci_sign=1d16c5d6636324bb0e2f83eeb74a50843fe87e52 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
736+0.097 EUR
1352+0.053 EUR
1799+0.04 EUR
2451+0.029 EUR
2585+0.027 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
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1433+0.05 EUR
2778+0.026 EUR
2942+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G ONSEMI mmbta56wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
551+0.13 EUR
1327+0.054 EUR
6000+0.032 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63LT1G MMBTA63LT1G ONSEMI mmbta63lt1-d.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
481+0.15 EUR
830+0.086 EUR
1924+0.037 EUR
2033+0.035 EUR
24000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G ONSEMI mmbta63lt1-d.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
749+0.096 EUR
1481+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA92LT1G MMBTA92LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B981FC9BBDA88143&compId=MMBTA92LT1G.pdf?ci_sign=496463c169a811352a89aec483a8560aa2d832cb Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 25
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
481+0.15 EUR
713+0.1 EUR
854+0.084 EUR
2067+0.035 EUR
2184+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD6050LT1G mmbd6050lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBD6050LT1G SMD universal diodes
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
584+0.12 EUR
2400+0.03 EUR
9000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 584
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD7000LT1G mmbd7000lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBD7000LT1G SMD universal diodes
auf Bestellung 5840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
482+0.15 EUR
2841+0.025 EUR
3013+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 482
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD701LT1G mbd701-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBD701LT1G SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
251+0.29 EUR
940+0.076 EUR
1467+0.049 EUR
1553+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 251
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBD914LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C052121529D5F1A6F5005056AB5A8F&compId=mmbd914.pdf?ci_sign=98cd543f982ef3c966ca2b8fcb83512c5fc2d701
MMBD914LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape
Case: SOT23
Reverse recovery time: 75ns
Load current: 0.2A
Max. off-state voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
773+0.093 EUR
1191+0.06 EUR
1337+0.053 EUR
1767+0.04 EUR
2865+0.024 EUR
30000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 773
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
MMBF170
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.2Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
371+0.19 EUR
538+0.13 EUR
631+0.11 EUR
1021+0.07 EUR
1080+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF170LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C152FCE66C469&compId=MMBF170LT1G.PDF?ci_sign=290e0833eccb810af42552b67dc826a51f4ea9ab
MMBF170LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
336+0.21 EUR
513+0.14 EUR
621+0.12 EUR
1194+0.06 EUR
1263+0.057 EUR
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF2201NT1G mmbf2201nt1-d.pdf
MMBF2201NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.4nC
Pulsed drain current: 750A
On-state resistance: 1Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
232+0.31 EUR
262+0.27 EUR
371+0.19 EUR
432+0.17 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4117 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DE02A25F42A745&compId=MMBF4117.pdf?ci_sign=3bb5c012db86a7001291d0c0c7bfb7fd9e16a784
MMBF4117
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30uA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Type of transistor: N-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 30µA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
152+0.47 EUR
191+0.37 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4391LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
MMBF4391LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
179+0.4 EUR
257+0.28 EUR
304+0.24 EUR
353+0.2 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4392LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689B8D28E1CE745&compId=MMBF439xLT1.PDF?ci_sign=ee00da10a1c6654780e2d83851268130cd56277b
MMBF4392LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Gate current: 50mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
230+0.31 EUR
305+0.23 EUR
345+0.21 EUR
486+0.15 EUR
511+0.14 EUR
1500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4416 MMBF4416.pdf
MMBF4416
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Gate current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2802 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
459+0.16 EUR
491+0.15 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF4416A MMBF4416A.pdf
MMBF4416A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
Mounting: SMD
Gate current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
550+0.13 EUR
589+0.12 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5103 mmbf5103-d.pdf
MMBF5103
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
241+0.3 EUR
295+0.24 EUR
397+0.18 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5457 2N5457-59%2C%20MMBF5457-59.pdf
MMBF5457
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 3mA; 0.35W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 3mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Gate current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2661 Stücke:
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264+0.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5484 mmbf5486-d.pdf
MMBF5484
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Gate current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF5485 mmbf5486-d.pdf
MMBF5485
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 4mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 4mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Gate current: 10mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ108 j109-d.pdf
MMBFJ108
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 80mA
On-state resistance: 8Ω
Case: SuperSOT-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ111 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b
MMBFJ111
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ112 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b
MMBFJ112
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 50Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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562+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ113 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b
MMBFJ113
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 2mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 100Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ175LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8EA3080E7AA1A0C4&compId=MMBFJ175LT1G.pdf?ci_sign=c43f2629a959c94cce3bfd9fe0aee42b69a3c38e
MMBFJ175LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Polarisation: unipolar
Drain current: 7mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1856 Stücke:
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136+0.53 EUR
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256+0.28 EUR
319+0.22 EUR
394+0.18 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ176 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A9B12C0BFE9CBE27&compId=MMBFJ17X-DTE.pdf?ci_sign=7faeb449ab6ec932f48342f39e9dacba4889197f
MMBFJ176
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
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56+1.27 EUR
66+1.09 EUR
182+0.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C22263F6A8469&compId=MMBFJ177LT1G.PDF?ci_sign=82d0d4ff802757fcb2283fae660f98b9761c0aaf
MMBFJ177LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11765 Stücke:
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179+0.4 EUR
222+0.32 EUR
250+0.29 EUR
334+0.21 EUR
379+0.19 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ201 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA92B29A02979EE0C4&compId=MMBFJ201_MMBFJ202.pdf?ci_sign=a5a7a499f90f52db1758480a969ed6234bfc0d50
MMBFJ201
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Type of transistor: N-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 200µA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
188+0.38 EUR
253+0.28 EUR
290+0.25 EUR
327+0.22 EUR
459+0.16 EUR
486+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ202 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA92B29A02979EE0C4&compId=MMBFJ201_MMBFJ202.pdf?ci_sign=a5a7a499f90f52db1758480a969ed6234bfc0d50
MMBFJ202
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 900µA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Gate current: 50mA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
175+0.41 EUR
207+0.35 EUR
348+0.21 EUR
432+0.17 EUR
506+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ270 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A9B1701B2CC77E27&compId=MMBFJ270-DTE.pdf?ci_sign=4f92c244f51728701677d48f3336f29f6cfc3019
MMBFJ270
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
139+0.52 EUR
191+0.37 EUR
315+0.23 EUR
332+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ309LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C24956FDB4469&compId=MMBFJ309LT1G.PDF?ci_sign=80a55220c615e4b405c44ca4e48ed82acbfe6045
MMBFJ309LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Drain-source voltage: 25V
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4861 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
281+0.25 EUR
315+0.23 EUR
368+0.19 EUR
410+0.17 EUR
451+0.16 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ310LT1G mmbfj309lt1-d.pdf
MMBFJ310LT1G
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
226+0.32 EUR
275+0.26 EUR
363+0.2 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134
MMBT2222ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
770+0.093 EUR
1413+0.051 EUR
2050+0.035 EUR
2348+0.03 EUR
5209+0.014 EUR
5495+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222AWT1G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9DE0C14E190143&compId=MMBT2222AWT1G.pdf?ci_sign=1309ef5d9c266313b6366cd4fd67d918c9674f9c
MMBT2222AWT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6744 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
642+0.11 EUR
969+0.074 EUR
1177+0.061 EUR
1812+0.039 EUR
3031+0.024 EUR
3206+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134
MMBT2222LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
758+0.094 EUR
1270+0.056 EUR
1767+0.04 EUR
2715+0.026 EUR
24000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
MMBT2369ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 15V
Current gain: 40...120
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
538+0.13 EUR
797+0.09 EUR
946+0.076 EUR
2025+0.035 EUR
2137+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2484LT1G mmbt2484lt1-d.pdf
MMBT2484LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
491+0.15 EUR
709+0.1 EUR
832+0.086 EUR
1894+0.038 EUR
2000+0.036 EUR
9000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1502B127E6469&compId=MMBT2907ALT1G.PDF?ci_sign=7bfa24abae00fcccb600eee7618fe66cba17f07d
MMBT2907ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
960+0.075 EUR
1563+0.046 EUR
2381+0.03 EUR
2809+0.025 EUR
3106+0.023 EUR
3449+0.021 EUR
3522+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 960
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
511+0.14 EUR
582+0.12 EUR
854+0.084 EUR
1031+0.069 EUR
1578+0.045 EUR
2045+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT3904LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
530+0.13 EUR
747+0.096 EUR
1122+0.064 EUR
1374+0.052 EUR
2146+0.033 EUR
2539+0.028 EUR
5000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 530
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT3906LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5849 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
803+0.089 EUR
1112+0.064 EUR
1563+0.046 EUR
1825+0.039 EUR
2552+0.028 EUR
2907+0.025 EUR
4348+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 803
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
MMBT3906WT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
494+0.14 EUR
670+0.11 EUR
1500+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 494
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT4403LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
555+0.13 EUR
893+0.08 EUR
1263+0.057 EUR
1480+0.048 EUR
2110+0.034 EUR
3185+0.022 EUR
3356+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 555
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Frequency: 40MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
500+0.14 EUR
742+0.096 EUR
889+0.081 EUR
2028+0.036 EUR
9000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5088LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C12D3F357DC0CE&compId=MMBT5088L_MMBT5089L.PDF?ci_sign=a6e8d97f788a8156f13573a4886db6c597d44311
MMBT5088LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...900
Frequency: 50MHz
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
676+0.11 EUR
1019+0.07 EUR
1341+0.053 EUR
2137+0.033 EUR
2263+0.032 EUR
24000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5089LT1G mmbt5088lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBT5089LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
303+0.24 EUR
431+0.17 EUR
1183+0.06 EUR
9000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 303
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9047 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
763+0.094 EUR
920+0.078 EUR
1171+0.061 EUR
1401+0.051 EUR
2591+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBT5550LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
439+0.16 EUR
2318+0.031 EUR
9000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 439
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2014 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
759+0.094 EUR
1137+0.063 EUR
1583+0.045 EUR
1812+0.039 EUR
2014+0.036 EUR
2403+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 759
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT589LT1G mmbt589lt1-d.pdf
MMBT589LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
178+0.4 EUR
260+0.28 EUR
309+0.23 EUR
496+0.14 EUR
1500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT6428LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
MMBT6428LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...650
Frequency: 700MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
725+0.099 EUR
977+0.073 EUR
1095+0.065 EUR
1916+0.037 EUR
2025+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT6429LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBT6429LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
89+0.8 EUR
564+0.13 EUR
1552+0.046 EUR
30000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT6520LT1G mmbt6520lt1-d.pdf
MMBT6520LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.5A
Current gain: 30...200
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
368+0.19 EUR
522+0.14 EUR
571+0.13 EUR
672+0.11 EUR
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT918LT1G mmbt918lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBT918LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 2409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.4 EUR
1174+0.061 EUR
1241+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C052121529EAF1A6F5005056AB5A8F&compId=mmbta05.pdf?ci_sign=b895910f566e550c18f0d2ef62c925a0321e5016
MMBTA06LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
438+0.16 EUR
500+0.14 EUR
864+0.083 EUR
2373+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 438
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA13LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BA81680E3F0EE469&compId=MMBTA13LT1G.PDF?ci_sign=d6e08d0938bccd5929d086596ffe7a89cabd7d6e
MMBTA13LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
527+0.14 EUR
784+0.091 EUR
946+0.076 EUR
1170+0.061 EUR
1588+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA42LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD16DC1E78D8469&compId=MMBTA42LT1G.PDF?ci_sign=b51c49060169d1539ad386db729599a26e042872
MMBTA42LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
Current gain: 40
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
417+0.17 EUR
486+0.15 EUR
742+0.096 EUR
900+0.08 EUR
2025+0.035 EUR
2137+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
MMBTA55LT1G PNP SMD transistors
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
352+0.2 EUR
1019+0.07 EUR
1311+0.054 EUR
9000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 352
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE591CCB53338608469&compId=MMBTA55_56.pdf?ci_sign=1d16c5d6636324bb0e2f83eeb74a50843fe87e52
MMBTA56LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
736+0.097 EUR
1352+0.053 EUR
1799+0.04 EUR
2451+0.029 EUR
2585+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
521+0.14 EUR
958+0.075 EUR
1433+0.05 EUR
2778+0.026 EUR
2942+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1G mmbta56wt1-d.pdf
MMBTA56WT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
551+0.13 EUR
1327+0.054 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 551
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63LT1G mmbta63lt1-d.pdf
MMBTA63LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
481+0.15 EUR
830+0.086 EUR
1924+0.037 EUR
2033+0.035 EUR
24000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA64LT1G mmbta63lt1-d.pdf
MMBTA64LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
749+0.096 EUR
1481+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA92LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B981FC9BBDA88143&compId=MMBTA92LT1G.pdf?ci_sign=496463c169a811352a89aec483a8560aa2d832cb
MMBTA92LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 25
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9257 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
481+0.15 EUR
713+0.1 EUR
854+0.084 EUR
2067+0.035 EUR
2184+0.033 EUR
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