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FDD770N15A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 18A Power dissipation: 56.8W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD7N20TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Power dissipation: 43W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD7N25LZTM | ONSEMI |
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FDD8444 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 89nC On-state resistance: 5.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 153W Drain current: 50A Case: DPAK Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FDD8445 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 7.6nC On-state resistance: 16.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 79W Drain current: 70A Case: DPAK Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1632 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8447L | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2335 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8451 | ONSEMI |
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auf Bestellung 2034 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD850N10L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.1A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2167 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86102 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 75A; 62W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 75A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FDD86102LZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 54W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2046 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86110 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 127W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FDD86250 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Power dissipation: 132W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 164A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2407 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86252 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 103mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2357 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86367 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK On-state resistance: 8.4mΩ Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 227W Gate charge: 88nC Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86367-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3 On-state resistance: 4.2mΩ Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 227W Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FDD86369 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FDD86369-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FDD86380-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; 75W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 50A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FDD86381-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; 48.4W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25A Power dissipation: 48.4W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FDD8647L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A Power dissipation: 43W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD86540 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; Idm: 240A; 127W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 86A Power dissipation: 127W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 240A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FDD86567-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 227W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FDD8770 | ONSEMI |
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FDD8796 | ONSEMI |
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FDD8796/BKN | ONSEMI | FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors |
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FDD8870 | ONSEMI |
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FDD8876 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Gate charge: 47nC On-state resistance: 13mΩ Power dissipation: 70W Drain current: 73A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2031 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8878 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDD8880 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 58A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1462 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8896 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 94A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8N50NZTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
FDD9409-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 150W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDFS2P106A | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDG1024NZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A Gate charge: 2.6nC On-state resistance: 389mΩ Power dissipation: 0.36W Gate-source voltage: ±8V Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: PowerTrench® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
FDG316P | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDG327N | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDG6301N | ONSEMI |
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auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6301N-F085 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDG6303N | ONSEMI |
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auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6304P | ONSEMI |
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auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6308P | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDG6317NZ | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDG6321C | ONSEMI |
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auf Bestellung 5788 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6322C | ONSEMI |
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auf Bestellung 1501 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6332C | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDG6335N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 442mΩ Drain current: 0.7A Gate charge: 1.4nC Gate-source voltage: ±12V Technology: PowerTrench® Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG8850NZ | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDH038AN08A1 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDH047AN08A0 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDH055N15A | ONSEMI |
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auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDH210N08 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDH333 | ONSEMI |
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auf Bestellung 3057 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDH3632 | ONSEMI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDH44N50 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247 Technology: UniFET™ Case: TO247 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 108nC On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 44A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 750W Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDH45N50F-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
FDI150N10 | ONSEMI |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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FDL100N50F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264 Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 238nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO264 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDLL300A | ONSEMI |
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auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDLL4148 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD80 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.4A Max. forward impulse current: 1A Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25816 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD770N15A |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 35.75 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
21+ | 3.4 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
100+ | 0.74 EUR |
FDD7N20TM |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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60+ | 1.2 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
151+ | 0.47 EUR |
500+ | 0.46 EUR |
FDD7N25LZTM |
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Hersteller: ONSEMI
FDD7N25LZTM SMD N channel transistors
FDD7N25LZTM SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
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FDD8444 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 153W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 153W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FDD8445 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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63+ | 1.14 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
FDD8447L | ![]() |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2335 Stücke:
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66+ | 1.09 EUR |
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FDD8451 |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
FDD8451 SMD N channel transistors
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53+ | 1.37 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
105+ | 0.69 EUR |
FDD850N10L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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67+ | 1.07 EUR |
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90+ | 0.8 EUR |
FDD86102 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 75A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 75A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FDD86102LZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDD86110 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FDD86250 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 164A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 164A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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34+ | 2.16 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
44+ | 1.63 EUR |
250+ | 1.6 EUR |
500+ | 1.57 EUR |
FDD86252 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 1.3 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
72+ | 1 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
2500+ | 0.92 EUR |
FDD86367 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.87 EUR |
43+ | 1.7 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
100+ | 1.54 EUR |
FDD86367-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
On-state resistance: 4.2mΩ
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
On-state resistance: 4.2mΩ
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD86369 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD86369-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD86380-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD86381-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; 48.4W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48.4W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; 48.4W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48.4W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD8647L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
45+ | 1.6 EUR |
57+ | 1.26 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
FDD86540 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; Idm: 240A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; Idm: 240A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Power dissipation: 127W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD86567-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD8770 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD8770 SMD N channel transistors
FDD8770 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD8796 |
![]() ![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD8796 SMD N channel transistors
FDD8796 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD8796/BKN |
Hersteller: ONSEMI
FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors
FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD8870 |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD8870 SMD N channel transistors
FDD8870 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD8876 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 70W
Drain current: 73A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 70W
Drain current: 73A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.1 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
1000+ | 0.9 EUR |
FDD8878 |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDD8878 SMD N channel transistors
FDD8878 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD8880 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.33 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
144+ | 0.5 EUR |
152+ | 0.47 EUR |
500+ | 0.46 EUR |
1000+ | 0.45 EUR |
FDD8896 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 1.73 EUR |
56+ | 1.28 EUR |
98+ | 0.74 EUR |
103+ | 0.7 EUR |
250+ | 0.67 EUR |
FDD8N50NZTM |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDD9409-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDFS2P106A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDFS2P106A SMD P channel transistors
FDFS2P106A SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDG1024NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 2.6nC
On-state resistance: 389mΩ
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 2.6nC
On-state resistance: 389mΩ
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
FDG316P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG316P SMD P channel transistors
FDG316P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDG327N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG327N SMD N channel transistors
FDG327N SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDG6301N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6301N Multi channel transistors
FDG6301N Multi channel transistors
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
141+ | 0.51 EUR |
338+ | 0.21 EUR |
358+ | 0.2 EUR |
FDG6301N-F085 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6301N-F085 Multi channel transistors
FDG6301N-F085 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDG6303N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6303N Multi channel transistors
FDG6303N Multi channel transistors
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
149+ | 0.48 EUR |
369+ | 0.19 EUR |
390+ | 0.18 EUR |
FDG6304P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6304P Multi channel transistors
FDG6304P Multi channel transistors
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
106+ | 0.68 EUR |
271+ | 0.26 EUR |
286+ | 0.25 EUR |
FDG6308P |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6308P Multi channel transistors
FDG6308P Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDG6317NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6317NZ Multi channel transistors
FDG6317NZ Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDG6321C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6321C Multi channel transistors
FDG6321C Multi channel transistors
auf Bestellung 5788 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
96+ | 0.75 EUR |
261+ | 0.27 EUR |
275+ | 0.26 EUR |
3000+ | 0.25 EUR |
FDG6322C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6322C Multi channel transistors
FDG6322C Multi channel transistors
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
146+ | 0.49 EUR |
273+ | 0.26 EUR |
289+ | 0.25 EUR |
3000+ | 0.24 EUR |
FDG6332C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG6332C Multi channel transistors
FDG6332C Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDG6335N |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.4nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.4nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
111+ | 0.65 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
231+ | 0.31 EUR |
243+ | 0.29 EUR |
FDG8850NZ |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDG8850NZ Multi channel transistors
FDG8850NZ Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDH038AN08A1 |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH038AN08A1 THT N channel transistors
FDH038AN08A1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDH047AN08A0 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH047AN08A0 THT N channel transistors
FDH047AN08A0 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDH055N15A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH055N15A THT N channel transistors
FDH055N15A THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.37 EUR |
11+ | 6.78 EUR |
12+ | 6.41 EUR |
FDH210N08 |
![]() ![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH210N08 THT N channel transistors
FDH210N08 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDH333 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH333 THT universal diodes
FDH333 THT universal diodes
auf Bestellung 3057 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.41 EUR |
1214+ | 0.059 EUR |
1286+ | 0.056 EUR |
FDH3632 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDH3632 THT N channel transistors
FDH3632 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDH44N50 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Technology: UniFET™
Case: TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 750W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Technology: UniFET™
Case: TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 750W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.9 EUR |
9+ | 8.18 EUR |
120+ | 7.88 EUR |
FDH45N50F-F133 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDI045N10A-F102 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDI045N10A-F102 THT N channel transistors
FDI045N10A-F102 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDI150N10 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDI150N10 THT N channel transistors
FDI150N10 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FDL100N50F |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 238nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 238nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.32 EUR |
5+ | 17.79 EUR |
10+ | 17.6 EUR |
FDLL300A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
FDLL300A SMD universal diodes
FDLL300A SMD universal diodes
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
230+ | 0.31 EUR |
1279+ | 0.056 EUR |
1352+ | 0.053 EUR |
62500+ | 0.052 EUR |
FDLL4148 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25816 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
583+ | 0.12 EUR |
1064+ | 0.067 EUR |
1155+ | 0.062 EUR |
1507+ | 0.047 EUR |
1651+ | 0.043 EUR |
1767+ | 0.04 EUR |
2605+ | 0.027 EUR |