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HGTG40N60A4

HGTG40N60A4 ON Semiconductor

hgtg40n60a4-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details HGTG40N60A4 ON Semiconductor

Description: IGBT 600V 75A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns, Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off), Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V, Gate Charge: 350 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 625 W.

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HGTG40N60A4 Hersteller : ON-Semicoductor hgtg40n60a4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247   HGTG40N60A4 THGTG40n60a4
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HGTG40N60A4 HGTG40N60A4
Produktcode: 47773
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HGTG40N60A4 HGTG40N60A4 Hersteller : onsemi hgtg40n60a4-d.pdf Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W
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HGTG40N60A4 HGTG40N60A4 Hersteller : onsemi / Fairchild HGTG40N60A4_D-1810294.pdf IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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