KSP2907ATA ON Semiconductor
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Technische Details KSP2907ATA ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSP2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote KSP2907ATA nach Preis ab 0.038 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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KSP2907ATA | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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KSP2907ATA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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KSP2907ATA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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KSP2907ATA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
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KSP2907ATA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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KSP2907ATA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
auf Bestellung 1489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSP2907ATA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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KSP2907ATA | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial |
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KSP2907ATA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
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KSP2907ATA | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSP2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSP2907ATA | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 200MHz |
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