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HGTG5N120BND

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HGTG5N120BND HGTG5N120BND ON Semiconductor hgtp5n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 412 Stücke:
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HGTG5N120BND
Hersteller: ON Semiconductor
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0251010.MAT1L
Produktcode: 219649
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Sicherungen > Schmelzsicherungen
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TLP350(F) Optokoppler
Produktcode: 205020
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IC > Optokoppler (Optrone)
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200 Ohm 1% 1W 2512 (RC2512JF-200R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Produktcode: 204227
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rc_series_hitano-datasheet.pdf
200 Ohm 1% 1W 2512 (RC2512JF-200R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 200 Ом
Toleranz: ±1%
P Nenn., W: 1 Вт
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
auf Bestellung 1572 St.:
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220uF 50V EFH 10x16 (EFH221M50B – Hitano)
Produktcode: 114669
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efh_20160323.pdf
220uF 50V EFH 10x16 (EFH221M50B – Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 мкФ
Nennspannung: 50 В
Reihe: EFH
Typ: für Vorschaltgeräte, lange Lebensdauer, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°С
Abmessungen: 10x16 mm
Lebensdauer: 7000 Stunden
auf Bestellung 1129 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFP4568PBF
Produktcode: 40672
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description irfp4568pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 121 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10470/151
Montage: THT
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