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HGTG5N120BND

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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HGTG5N120BND HGTG5N120BND Hersteller : ON Semiconductor hgtp5n120bnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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HGTG5N120BND Hersteller : ONS/FAI hgtp5n120bnd-d.pdf IGBT NPT 1200V 21A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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HGTG5N120BND HGTG5N120BND Hersteller : onsemi hgtp5n120bnd-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 21A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W
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HGTG5N120BND HGTG5N120BND Hersteller : onsemi hgtp5n120bnd-d.pdf IGBTs 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
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200 Ohm 1% 1W 2512 (RC2512JF-200R-Hitano) (резистор SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 200 Ohm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 1 W
U Betriebs.,V: 200 V (500 V max over load)
Größe Typ: 2512
auf Bestellung 1592 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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220uF 50V EFH 10x16 (EFH221M50B – Hitano)
Produktcode: 114669
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220uF 50V EFH 10x16 (EFH221M50B – Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EFH
Temp.Bereich: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Abmessungen: -40...+105°C
Lebensdauer: 10х16mm
№ 8: 7000 годин
auf Bestellung 1251 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFP4568PBF
Produktcode: 40672
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description irfp4568pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b
IRFP4568PBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
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