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IRFP4568PBF

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irfp4568pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b
Produktcode: 40672
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 150 V
Idd,A: 121 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10470/151
JHGF: THT
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Technische Details IRFP4568PBF IR

  • MOSFET, 150V 171A TO-247AC
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Max Voltage Vds:150V
  • On State Resistance:4.8mohm
  • Power Dissipation:517W
  • Operating Temperature Range:-55`C to + 175`C
  • Transistor Case Style:TO-247AC
  • Case Style:TO-247AC
  • Cont Current Id:171A
  • Pulse Current Idm:684A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:150V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
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IRFP4568PBF IRFP4568PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4568pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4568PBF IRFP4568PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4568pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
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