IRFP4568PBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 16+ | 9.77 EUR |
| 50+ | 9.34 EUR |
| 100+ | 5.86 EUR |
| 200+ | 5.06 EUR |
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| 800+ | 4.54 EUR |
| 1600+ | 4.24 EUR |
| 3200+ | 3.98 EUR |
| 6400+ | 3.74 EUR |
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Technische Details IRFP4568PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4568PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 0.0048 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 171A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 517W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFP4568PBF nach Preis ab 7.25 EUR bis 12.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFP4568PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFT 150V 171 5.9mOhm 151nC Qg |
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IRFP4568PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP4568PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4568PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 0.0048 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFP4568PBF Produktcode: 40672
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 150 V Idd,A: 121 A Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10470/151 JHGF: THT |
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IRFP4568PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP4568PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP4568PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP4568PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP4568PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5.9mΩ Power dissipation: 517W Gate charge: 151nC Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFP4568PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V |
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IRFP4568PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5.9mΩ Power dissipation: 517W Gate charge: 151nC Technology: HEXFET® |
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