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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDP047N08-F102 ONSEMI fdp047n08jp-d.pdf FDP047N08-F102 THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.76 EUR
22+3.25 EUR
250+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP047N10 ONSEMI fdp047n10-d.pdf FDP047N10 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP050AN06A0 ONSEMI fdp050an06a0-d.pdf FDP050AN06A0 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP053N08B-F102 ONSEMI fdp053n08b-d.pdf FDP053N08B-F102 THT N channel transistors
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FDP054N10 ONSEMI fdp054n10-d.pdf FDP054N10 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDP060AN08A0 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
29+2.47 EUR
31+2.35 EUR
250+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP070AN06A0 ONSEMI fdp070an06a0-d.pdf FDP070AN06A0 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780826848070A6259&compId=FDP075N15A-F102.pdf?ci_sign=9e1a841a590a184f17491d5da0fd011fb1b831c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.46 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
1000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI fdp083n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.21 EUR
17+4.33 EUR
18+4.08 EUR
50+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP085N10A-F102 ONSEMI fdp085n10a-d.pdf FDP085N10A-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP090N10 ONSEMI fdp090n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A; 208W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 208W
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP100N10 ONSEMI fdp100n10-d.pdf FDP100N10 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP120N10 ONSEMI fdp120n10-d.pdf FDP120N10 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP150N10 ONSEMI fdp150n10-d.pdf FDP150N10 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP150N10A-F102 ONSEMI FDP150N10A.pdf FDP150N10A-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP16AN08A0 ONSEMI FAIRS45681-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDP16AN08A0 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP18N50 FDP18N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.65 EUR
22+3.35 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDP20N50F ONSEMI FDPF20N50FT-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
7+10.21 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N FDP22N50N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.86 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
50+2.93 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2532 ONSEMI FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDP2532 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.55 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2552 ONSEMI fdp2552-d.pdf FDP2552 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2572 ONSEMI FAIRS45683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDP2572 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2614 ONSEMI fdp2614-d.pdf FDP2614 THT N channel transistors
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.31 EUR
17+4.3 EUR
18+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP26N40 ONSEMI fdp26n40-d.pdf FDP26N40 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2710 ONSEMI fdp2710-d.pdf FDP2710 THT N channel transistors
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.15 EUR
17+4.2 EUR
250+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2D3N10C ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf FDP2D3N10C THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP33N25 FDP33N25 ONSEMI fdp33n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 20.4A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 235W
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.37 EUR
36+2.02 EUR
44+1.64 EUR
46+1.56 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3632 FDP3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 310W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.09 EUR
24+3 EUR
26+2.85 EUR
50+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3651U ONSEMI fdp3651u-d.pdf FDP3651U THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3652 ONSEMI fdp3652-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3672 ONSEMI fdp3672-d.pdf FDP3672 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3682 ONSEMI fdp3682-d.pdf FDP3682 THT N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP42AN15A0 FDP42AN15A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE927EA0BAB4259&compId=FDP42AN15A0.pdf?ci_sign=5d81b96fc7857dceb89bd617b8a3b0fff3a3e3ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.56 EUR
24+2.97 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP4D5N10C ONSEMI fdp4d5n10c-d.pdf FDP4D5N10C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf FDP51N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.46 EUR
33+2.22 EUR
35+2.1 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP52N20 ONSEMI FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf FDP52N20 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.03 EUR
38+1.89 EUR
40+1.79 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP5800 ONSEMI fdp5800-d.pdf FDP5800 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030BL ONSEMI FAIRS34662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDP7030BL THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP75N08A ONSEMI fdp75n08a-d.pdf FDP75N08A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP80N06 FDP80N06 ONSEMI fdp80n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8447L FDP8447L ONSEMI fdp8447l-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8860 ONSEMI fdp8860-d.pdf FAIRS24307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw cd2a566805c21f3b24b835958e72f586.pdf FDP8860 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8880 FDP8880 ONSEMI FDP8880-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 48A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8D5N10C ONSEMI fdp8d5n10c-d.pdf FDP8D5N10C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8N50NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC5030SG ONSEMI fdpc5030sg-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PQFN8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17/39nC
On-state resistance: 5/2.4mΩ
Gate-source voltage: ±20/±12V
Power dissipation: 23/25W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/84A
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8011S ONSEMI fdpc8011s-d.pdf FDPC8011S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8012S ONSEMI fdpc8012s-d.pdf FDPC8012S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8013S ONSEMI fdpc8013s-d.pdf FDPC8013S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8016S ONSEMI fdpc8016s-d.pdf FDPC8016S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF045N10A ONSEMI fdpf045n10a-d.pdf FDPF045N10A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF085N10A ONSEMI fdpf085n10a-d.pdf FDPF085N10A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
33+2.19 EUR
38+1.93 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
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FDPF14N30 ONSEMI FDPF14N30.pdf FDPF14N30 THT N channel transistors
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FDPF15N65 FDPF15N65 ONSEMI Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 38.5W
Pulsed drain current: 60A
Gate-source voltage: ±30V
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FDPF17N60NT ONSEMI fdpf17n60nt-d.pdf FDPF17N60NT THT N channel transistors
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FDPF18N20FT ONSEMI fdpf18n20ft-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 41W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 41W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
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FDPF18N50 FDPF18N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FDPF18N50T FDPF18N50T ONSEMI FDPF18N50T-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: ONSEMI
FDP047N08-F102 THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDP047N10 THT N channel transistors
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FDP050AN06A0 fdp050an06a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP050AN06A0 THT N channel transistors
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FDP053N08B-F102 fdp053n08b-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP053N08B-F102 THT N channel transistors
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FDP054N10 fdp054n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP054N10 THT N channel transistors
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FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
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FDP075N15A-F102 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780826848070A6259&compId=FDP075N15A-F102.pdf?ci_sign=9e1a841a590a184f17491d5da0fd011fb1b831c2
FDP075N15A-F102
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDP083N15A-F102 fdp083n15a-d.pdf
FDP083N15A-F102
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl Preis
12+6.21 EUR
17+4.33 EUR
18+4.08 EUR
50+3.93 EUR
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FDP085N10A-F102 fdp085n10a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP085N10A-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP090N10 fdp090n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A; 208W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 208W
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP100N10 fdp100n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP100N10 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP120N10 fdp120n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP120N10 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP150N10 fdp150n10-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP150N10 THT N channel transistors
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FDP150N10A-F102 FDP150N10A.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP150N10A-F102 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP16AN08A0 FAIRS45681-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDP16AN08A0 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP18N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4
FDP18N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.65 EUR
22+3.35 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
50+2.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
7+10.21 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP22N50N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7
FDP22N50N
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.86 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
50+2.93 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2532 FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDP2532 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.55 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2552 fdp2552-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP2552 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2572 FAIRS45683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDP2572 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2614 fdp2614-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.31 EUR
17+4.3 EUR
18+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP26N40 fdp26n40-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP26N40 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2710 fdp2710-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP2710 THT N channel transistors
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.15 EUR
17+4.2 EUR
250+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP2D3N10C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 20.4A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 235W
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.37 EUR
36+2.02 EUR
44+1.64 EUR
46+1.56 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDP3632
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 310W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.09 EUR
24+3 EUR
26+2.85 EUR
50+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3651U fdp3651u-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP3651U THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3652 fdp3652-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3672 fdp3672-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP3672 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP3682 fdp3682-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP3682 THT N channel transistors
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP42AN15A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE927EA0BAB4259&compId=FDP42AN15A0.pdf?ci_sign=5d81b96fc7857dceb89bd617b8a3b0fff3a3e3ba
FDP42AN15A0
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.107Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.56 EUR
24+2.97 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP4D5N10C fdp4d5n10c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP4D5N10C THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP51N25 THT N channel transistors
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.46 EUR
33+2.22 EUR
35+2.1 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP52N20 FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP52N20 THT N channel transistors
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.03 EUR
38+1.89 EUR
40+1.79 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP5800 fdp5800-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP5800 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP7030BL FAIRS34662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
FDP7030BL THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP75N08A fdp75n08a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP75N08A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP80N06 fdp80n06-d.pdf
FDP80N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS; UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8447L fdp8447l-d.pdf
FDP8447L
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8860 fdp8860-d.pdf FAIRS24307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw cd2a566805c21f3b24b835958e72f586.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP8860 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8880 FDP8880-D.pdf
FDP8880
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 48A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8D5N10C fdp8d5n10c-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDP8D5N10C THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP8N50NZ ONSM-S-A0003584403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC5030SG fdpc5030sg-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PQFN8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17/39nC
On-state resistance: 5/2.4mΩ
Gate-source voltage: ±20/±12V
Power dissipation: 23/25W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/84A
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8011S fdpc8011s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPC8011S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8012S fdpc8012s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPC8012S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8013S fdpc8013s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPC8013S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPC8016S fdpc8016s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPC8016S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF045N10A fdpf045n10a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF045N10A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF085N10A fdpf085n10a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF085N10A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N50T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0
FDPF12N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
33+2.19 EUR
38+1.93 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
40+1.83 EUR
42+1.73 EUR
50+1.7 EUR
100+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF14N30 FDPF14N30.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF14N30 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF15N65
FDPF15N65
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 38.5W
Pulsed drain current: 60A
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF17N60NT fdpf17n60nt-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDPF17N60NT THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N20FT fdpf18n20ft-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 41W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 41W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4
FDPF18N50
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.43 EUR
23+3.15 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDPF18N50T FDPF18N50T-D.PDF
FDPF18N50T
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
16+4.46 EUR
50+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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