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Preis ohne MwSt |
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P6KE15A.. | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)Bauform - Diode: DO-204AC Durchbruchspannung, min.: 14.3 Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 15.8 Sperrspannung: 12.8 Spitzenimpulsverlustleistung: 600 TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: P6KE1 Klemmspannung, max.: 21.2 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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NRVBA340T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 100 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 450 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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NRVBA340T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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| NRVBA340T3G-VF01 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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| NRVBA340T3G-VF01 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 100 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 450 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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NUP4202W1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42 tariffCode: 85363030 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V Betriebsspannung: 5V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 500W usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 12820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD180G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CS5173EDR8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Fest hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.5A Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Nennausgangsspannung: -V usEccn: EAR99 Eingangsspannung, max.: 30V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.7V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CS5173EDR8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 560kHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.5A Nennausgangsspannung: -V usEccn: EAR99 Eingangsspannung, max.: 30V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.7V Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX85-C6V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C Zener-Spannung, nom.: 6.2 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 Produktpalette: BZX85C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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BAV70WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV70 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 17585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFB2040 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20 Anzahl der Pins: 4 Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchlassspannung, max.: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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EU-SIGFOX-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30 Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30 Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT) Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDS6612A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
auf Bestellung 1948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6670AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 13.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: PowerTrench SyncFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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FDS6690AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 10 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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S2J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S2J productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NL17SZ126DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5 Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: 17SZ Bauform - Logikbaustein: SOT-353 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BCX19LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NC7SZ157P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ157P6X - Multiplexer, 1 Kanal, 2:1, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6 Logik-IC-Sockelnummer: 74157 Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: SC-70 MSL: - Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S157 Logiktyp: Multiplexer Leitungskonfiguration: 2:1 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 11140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAT5113VI-00-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V Bauform - Potentiometer: SOIC Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.7 Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell Gesamtwiderstand: 100 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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CAT5113VI-00-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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CAT5140ZI-00-GT3. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: MSOP Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 256 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C Gesamtwiderstand: 100 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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CAT5111ZI-00-T3. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: MSOP Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab Gesamtwiderstand: 100 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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CAT5221WI-00-T1. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: SOIC Anzahl der Potentiometer: Zweifach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl Schritte: 64 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C Gesamtwiderstand: 100 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDPF12N50FT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 42 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 42 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FDPF55N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCL31000ASGEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber Prozessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG Prozessorarchitektur: - Prozessorfamilie: - Anzahl der Bits: - Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber Prozessorserie: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQA70N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 70 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 214 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 214 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA32N20C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 204W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 204W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA10N80C-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 10 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 240 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 240 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA40N25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA9P25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 10.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA28N15 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 33 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 227 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 227 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQA6N90C-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 198 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 198 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQA65N20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 65 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 310 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 310 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FQA8N100C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1 Dauer-Drainstrom Id: 8 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 225 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FQA170N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FQA90N15-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA90N15-F109 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FQA27N25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.083 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 27 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 210 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 210 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FQA44N30 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA44N30 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FQA8N90C-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA8N90C-F109 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FQA160N08 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA160N08 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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NCV7708BDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7708BDWR2G - Motortreiber, Halbbrücke, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 500mA/6 Ausgänge, WSOIC-28 Ausgangsstrom: 500 Motortyp: H-Brücke MSL: MSL 3 - 168 Stunden Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3 Bauform - Treiber: WSOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 28 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Ausgänge: 6 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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NCV7708BDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7708BDWR2G - Motortreiber, Halbbrücke, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 500mA/6 Ausgänge, WSOIC-28 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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SCV431BSN1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SCV431BSN1T1G - VOLT REF, SHUNT, 1.24-16V, -40TO125DEG C tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FQP32N20C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 28 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 156 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 156 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 2896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FAN7631SJX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN7631SJX - PWM-Controller, bis zu 25V Versorgungsspannung, 300kHz, 1V/1Aout, SOIC-16 Bauform - Controller-IC: SOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgangsspannung: - Frequenz: 300 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: - Eingangsspannung: 17 Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 130 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 7785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359BN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 2.7 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQB55N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 55 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 155 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 155 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359BN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage Verlustleistung: 500 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN358P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
auf Bestellung 10634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFSP1665A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP1665A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 52nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFSB0665B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFSB0665B-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCS20231XV53T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 4V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 300µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCS20231XV53T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false Anstiegsrate: 4V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 300µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV20231SQ3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false Anstiegsrate: 4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SC-88 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 300µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV20231XV53T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 300µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV20231SQ3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SC-88 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 300µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| P6KE15A.. |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchbruchspannung, min.: 14.3
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15.8
Sperrspannung: 12.8
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE1
Klemmspannung, max.: 21.2
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchbruchspannung, min.: 14.3
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15.8
Sperrspannung: 12.8
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE1
Klemmspannung, max.: 21.2
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| NRVBA340T3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| NRVBA340T3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| NRVBA340T3G-VF01 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
| NRVBA340T3G-VF01 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
| NUP4202W1T2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42
tariffCode: 85363030
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 500W
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42
tariffCode: 85363030
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 500W
usEccn: EAR99
auf Bestellung 12820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BD180G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CS5173EDR8G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -V
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -V
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CS5173EDR8G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 560kHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Nennausgangsspannung: -V
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 560kHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Nennausgangsspannung: -V
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BZX85-C6V2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| BAV70WT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DFB2040 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| EU-SIGFOX-GEVB |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit
Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit
Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| FDS6612A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDS6670AS |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
| FDS6690AS |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| S2J |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2J
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2J
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NL17SZ126DFT2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| BCX19LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NC7SZ157P6X |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ157P6X - Multiplexer, 1 Kanal, 2:1, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S157
Logiktyp: Multiplexer
Leitungskonfiguration: 2:1
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7SZ157P6X - Multiplexer, 1 Kanal, 2:1, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S157
Logiktyp: Multiplexer
Leitungskonfiguration: 2:1
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 11140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CAT5113VI-00-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| CAT5113VI-00-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| CAT5140ZI-00-GT3. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 256
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 256
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| CAT5111ZI-00-T3. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| CAT5221WI-00-T1. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Zweifach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl Schritte: 64
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Zweifach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl Schritte: 64
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| FDPF12N50FT |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FDPF55N06 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCL31000ASGEVB |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorserie: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorserie: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FQA70N10 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 214
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 214
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 214
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 214
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FQA32N20C |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FQA10N80C-F109 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FQA40N25 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FQA9P25 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FQA28N15 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FQA6N90C-F109 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FQA65N20 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FQA8N100C |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 225
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 225
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FQA170N06 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FQA27N25 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.083 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 27
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 210
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.083 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 27
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 210
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCV7708BDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7708BDWR2G - Motortreiber, Halbbrücke, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 500mA/6 Ausgänge, WSOIC-28
Ausgangsstrom: 500
Motortyp: H-Brücke
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Treiber: WSOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NCV7708BDWR2G - Motortreiber, Halbbrücke, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 500mA/6 Ausgänge, WSOIC-28
Ausgangsstrom: 500
Motortyp: H-Brücke
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Treiber: WSOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCV7708BDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7708BDWR2G - Motortreiber, Halbbrücke, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 500mA/6 Ausgänge, WSOIC-28
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NCV7708BDWR2G - Motortreiber, Halbbrücke, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 500mA/6 Ausgänge, WSOIC-28
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| SCV431BSN1T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SCV431BSN1T1G - VOLT REF, SHUNT, 1.24-16V, -40TO125DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SCV431BSN1T1G - VOLT REF, SHUNT, 1.24-16V, -40TO125DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
| FQP32N20C |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FAN7631SJX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN7631SJX - PWM-Controller, bis zu 25V Versorgungsspannung, 300kHz, 1V/1Aout, SOIC-16
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 300
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Eingangsspannung: 17
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 130
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FAN7631SJX - PWM-Controller, bis zu 25V Versorgungsspannung, 300kHz, 1V/1Aout, SOIC-16
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 300
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Eingangsspannung: 17
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 130
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDN359BN |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FQB55N10 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 55
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 155
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 155
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 55
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 155
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 155
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDN359BN |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDN358P |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 10634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FFSP1665A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP1665A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FFSP1665A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FFSB0665B |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FFSB0665B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FFSB0665B-F085 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FFSB0665B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCS20231XV53T2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCS20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCS20231XV53T2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCS20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCV20231SQ3T2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NCV20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCV20231XV53T2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NCV20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCV20231SQ3T2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NCV20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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