FGL60N100BNTD FAIR
Produktcode: 54348
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Hersteller: FAIR
Gehäuse: TO-264
Vces: 1000
Vce: 2,5
Ic 25: 60
Ic 100: 42
Pd 25: 180
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 140/630
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| FGL60N100BNTD | ONS/FAI |
IGBT, 1000 V, 60 A, NPT Trench IGBT Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
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 |
FGL60N100BNTD | onsemi |
Description: IGBT NPT/TRENCH 1000V 60A TO-264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-264-3 IGBT Type: NPT and Trench Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V Gate Charge: 275 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 180 W |
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 |
FGL60N100BNTD | onsemi |
IGBTs HIGH POWER |
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| FGL60N100BNTD |
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Hersteller: ONS/FAI
IGBT, 1000 V, 60 A, NPT Trench IGBT Транзистори
IGBT, 1000 V, 60 A, NPT Trench IGBT Транзистори
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| FGL60N100BNTD |
|
Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT/TRENCH 1000V 60A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns
Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 275 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
Description: IGBT NPT/TRENCH 1000V 60A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns
Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 275 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
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| FGL60N100BNTD |
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Hersteller: onsemi
IGBTs HIGH POWER
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