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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ohne MwSt
QSE113E3R0 ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSE113E3R0 ONSEMI 2572443.pdf Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSE122 QSE122 ONSEMI QSE122-D.pdf Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QSD2030 QSD2030 ONSEMI QSD2030-D.PDF Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Dunkelstrom: 0.01
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Betriebstemperatur, min.: -40
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880
Betriebstemperatur, max.: 100
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QSD123A4R0 QSD123A4R0 ONSEMI QSD123-D.PDF Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QSE133 QSE133 ONSEMI QSE133-D.pdf Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QSD124 QSD124 ONSEMI 1717172.pdf Description: ONSEMI - QSD124 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Stromverbrauch: 100mW
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Abstrahlwinkel: 24°
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSD123 QSD123 ONSEMI 2287891.pdf Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AR0522SRSC09SURA0-DP AR0522SRSC09SURA0-DP ONSEMI AR0522-D.PDF Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
AR0521SR2C09SURA0-DP1 AR0521SR2C09SURA0-DP1 ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
AR0522SRSC09SURA0-DR AR0522SRSC09SURA0-DR ONSEMI AR0522-D.PDF Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
AR0521SR2C09SURA0-DR AR0521SR2C09SURA0-DR ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
AR0521SR2C09SURA0-DR1 AR0521SR2C09SURA0-DR1 ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
AR0521SR2C09SURA0-DP AR0521SR2C09SURA0-DP ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NLV14082BDG NLV14082BDG ONSEMI MC14001B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NLV14082BDR2G NLV14082BDR2G ONSEMI MC14001B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FQPF17N40T FQPF17N40T ONSEMI FQPF17N40-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
S320 S320 ONSEMI s320-d.pdf Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S320
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX84C43LT1G BZX84C43LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 43
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 225
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NUD3124LT1G NUD3124LT1G ONSEMI 2337868.pdf Description: ONSEMI - NUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SZNUD3124LT1G SZNUD3124LT1G ONSEMI 2337868.pdf Description: ONSEMI - SZNUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQP85N06 FQP85N06 ONSEMI 2304200.pdf Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FOD2742B FOD2742B ONSEMI 2299643.pdf description Description: ONSEMI - FOD2742B - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Bandbreite: 50kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSD2030F QSD2030F ONSEMI 1860776.pdf Description: ONSEMI - QSD2030F - Photodiode, 20°, 10nA, 880nm, T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20°
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Dunkelstrom: 0.01µA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm
Betriebstemperatur, max.: 100°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGA30T65SHD FGA30T65SHD ONSEMI ONSM-S-A0003590852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQPF7N80C FQPF7N80C ONSEMI 2299854.pdf Description: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
SSRD8620CTRG. SSRD8620CTRG. ONSEMI Description: ONSEMI - SSRD8620CTRG. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Anode, 1.3 V, 75 ns
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 45
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: SSRD8620CT
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7WZ17L6X NC7WZ17L6X ONSEMI 2287996.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NC7WZ17L6X NC7WZ17L6X ONSEMI 1725704.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NC7WZ17FHX NC7WZ17FHX ONSEMI NC7WZ17-D.PDF Description: ONSEMI - NC7WZ17FHX - BUFFERS & TRANSCEIVERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
2SD1048-6-TB-E 2SD1048-6-TB-E ONSEMI ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH041N65F-F155 FCH041N65F-F155 ONSEMI FCH041N65F-D.PDF Description: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60NF FCH47N60NF ONSEMI ONSM-S-A0012109438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH47N60N FCH47N60N ONSEMI ONSM-S-A0012400105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCS20071SN2T1G NCS20071SN2T1G ONSEMI 2337856.pdf Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCS333ASN2T1G NCS333ASN2T1G ONSEMI 2620005.pdf Description: ONSEMI - NCS333ASN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 3.5µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCS20081SQ2T2G NCS20081SQ2T2G ONSEMI 2907099.pdf Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.4
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVR0230P2T5G NSVR0230P2T5G ONSEMI NSR0230P2-D.PDF Description: ONSEMI - NSVR0230P2T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 200 MA, 30 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8000 Stücke:
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FDH047AN08A0 FDH047AN08A0 ONSEMI FDH047AN08A0-D.PDF Description: ONSEMI - FDH047AN08A0 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 ONSEMI 3005762.pdf Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 ONSEMI 3005762.pdf Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SURS8360BT3G. SURS8360BT3G. ONSEMI 1879303.pdf Description: ONSEMI - SURS8360BT3G. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, 1.25 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: -
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 10 Stücke:
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FOD260L FOD260L ONSEMI 2304068.pdf Description: ONSEMI - FOD260L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, DIP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FOD060L FOD060L ONSEMI 2304068.pdf Description: ONSEMI - FOD060L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
Isolationsspannung: 3.75
Bauform - Optokoppler: SOIC
Übertragungsrate: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FOD2741ATV FOD2741ATV ONSEMI 2277719.pdf Description: ONSEMI - FOD2741ATV - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV, 100 %, 50 kHz
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
CTR, min.: 100
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: DIP
Bandbreite: 50
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1587ADR2G NCP1587ADR2G ONSEMI 1842137.pdf Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 200
Bauform - Controller-IC: SOIC
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Tastverhältnis (%): 75
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1587ADR2G NCP1587ADR2G ONSEMI 1842137.pdf Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP431BISNT1G NCP431BISNT1G ONSEMI 2236974.pdf Description: ONSEMI - NCP431BISNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Referenzspannung: 2.5V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP431BVSNT1G NCP431BVSNT1G ONSEMI 2236974.pdf Description: ONSEMI - NCP431BVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Referenzspannung: 2.5V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS5670 FDS5670 ONSEMI ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5670 FDS5670 ONSEMI 2298085.pdf Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5672 FDS5672 ONSEMI FAIRS43050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN339AN FDN339AN ONSEMI ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 84508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN339AN FDN339AN ONSEMI ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 84508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH3595 FDH3595 ONSEMI ONSM-S-A0003589415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDH3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCP067N65S3 FCP067N65S3 ONSEMI fcp067n65s3-d.pdf Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCP099N65S3 FCP099N65S3 ONSEMI fcp099n65s3-d.pdf Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCP150N65F FCP150N65F ONSEMI FCP150N65F-D.pdf Description: ONSEMI - FCP150N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 298
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 298
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.133
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
CPH5517-TL-E CPH5517-TL-E ONSEMI ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 900mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI 2711422.pdf Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
productTraceability: No
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
auf Bestellung 3627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSE113E3R0 2572443.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSE113E3R0 2572443.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSE122 QSE122-D.pdf
QSE122
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QSD2030 QSD2030-D.PDF
QSD2030
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Dunkelstrom: 0.01
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Betriebstemperatur, min.: -40
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880
Betriebstemperatur, max.: 100
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QSD123A4R0 QSD123-D.PDF
QSD123A4R0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QSE133 QSE133-D.pdf
QSE133
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
QSD124 1717172.pdf
QSD124
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD124 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Stromverbrauch: 100mW
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Abstrahlwinkel: 24°
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSD123 2287891.pdf
QSD123
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AR0522SRSC09SURA0-DP AR0522-D.PDF
AR0522SRSC09SURA0-DP
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
AR0521SR2C09SURA0-DP1 AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DP1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
AR0522SRSC09SURA0-DR AR0522-D.PDF
AR0522SRSC09SURA0-DR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
AR0521SR2C09SURA0-DR AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
AR0521SR2C09SURA0-DR1 AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DR1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
AR0521SR2C09SURA0-DP AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DP
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NLV14082BDG MC14001B-D.PDF
NLV14082BDG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NLV14082BDR2G MC14001B-D.PDF
NLV14082BDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FQPF17N40T FQPF17N40-D.pdf
FQPF17N40T
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
S320 s320-d.pdf
S320
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S320
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BZX84C43LT1G 2236792.pdf
BZX84C43LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 43
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 225
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NUD3124LT1G 2337868.pdf
NUD3124LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SZNUD3124LT1G 2337868.pdf
SZNUD3124LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQP85N06 2304200.pdf
FQP85N06
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FOD2742B description 2299643.pdf
FOD2742B
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD2742B - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Bandbreite: 50kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
QSD2030F 1860776.pdf
QSD2030F
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD2030F - Photodiode, 20°, 10nA, 880nm, T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20°
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Dunkelstrom: 0.01µA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm
Betriebstemperatur, max.: 100°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGA30T65SHD ONSM-S-A0003590852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FGA30T65SHD
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQPF7N80C 2299854.pdf
FQPF7N80C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
SSRD8620CTRG.
SSRD8620CTRG.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SSRD8620CTRG. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Anode, 1.3 V, 75 ns
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 45
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: SSRD8620CT
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NC7WZ17L6X 2287996.pdf
NC7WZ17L6X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NC7WZ17L6X 1725704.pdf
NC7WZ17L6X
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NC7WZ17FHX NC7WZ17-D.PDF
NC7WZ17FHX
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17FHX - BUFFERS & TRANSCEIVERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
2SD1048-6-TB-E ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1048-6-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH041N65F-F155 FCH041N65F-D.PDF
FCH041N65F-F155
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60NF ONSM-S-A0012109438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH47N60NF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH47N60N ONSM-S-A0012400105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH47N60N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCS20071SN2T1G 2337856.pdf
NCS20071SN2T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCS333ASN2T1G 2620005.pdf
NCS333ASN2T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS333ASN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 3.5µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCS20081SQ2T2G 2907099.pdf
NCS20081SQ2T2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.4
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVR0230P2T5G NSR0230P2-D.PDF
NSVR0230P2T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVR0230P2T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 200 MA, 30 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH047AN08A0 FDH047AN08A0-D.PDF
FDH047AN08A0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH047AN08A0 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG040N120SC1 3005762.pdf
NVBG040N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVBG040N120SC1 3005762.pdf
NVBG040N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
SURS8360BT3G. 1879303.pdf
SURS8360BT3G.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURS8360BT3G. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, 1.25 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: -
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FOD260L 2304068.pdf
FOD260L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD260L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, DIP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FOD060L 2304068.pdf
FOD060L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD060L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
Isolationsspannung: 3.75
Bauform - Optokoppler: SOIC
Übertragungsrate: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FOD2741ATV 2277719.pdf
FOD2741ATV
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD2741ATV - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV, 100 %, 50 kHz
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
CTR, min.: 100
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: DIP
Bandbreite: 50
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP1587ADR2G 1842137.pdf
NCP1587ADR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 200
Bauform - Controller-IC: SOIC
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Tastverhältnis (%): 75
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1587ADR2G 1842137.pdf
NCP1587ADR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP431BISNT1G 2236974.pdf
NCP431BISNT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP431BISNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Referenzspannung: 2.5V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP431BVSNT1G 2236974.pdf
NCP431BVSNT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP431BVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Referenzspannung: 2.5V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS5670 ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS5670
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5670 2298085.pdf
FDS5670
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS5672 FAIRS43050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS5672
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN339AN ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN339AN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 84508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN339AN ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN339AN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 84508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH3595 ONSM-S-A0003589415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDH3595
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCP067N65S3 fcp067n65s3-d.pdf
FCP067N65S3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCP099N65S3 fcp099n65s3-d.pdf
FCP099N65S3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP150N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 298
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 298
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.133
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
CPH5517-TL-E ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH5517-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 900mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVJ6904DSB6T1G 2711422.pdf
NSVJ6904DSB6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
productTraceability: No
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
auf Bestellung 3627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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