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FDD8444

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Produktcode: 163329
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDD8444 FDD8444 ON Semiconductor fdd8444-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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FDD8444 FDD8444 ON Semiconductor fdd8444-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8444 FDD8444 onsemi fdd8444-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.05 EUR
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FDD8444 FDD8444 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
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180+3 EUR
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FDD8444 FDD8444 onsemi fdd8444-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
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7+3.45 EUR
10+2.32 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
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FDD8444 FDD8444 onsemi fdd8444-d.pdf FAIR-S-A0002365728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs LOW VOLTAGE
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1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.17 EUR
5000+1.09 EUR
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FDD8444 FDD8444 ON Semiconductor fdd8444-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8444 ONN fdd8444-d.pdf FAIR-S-A0002365728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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FDD8444
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8444
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8444
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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FDD8444
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
auf Bestellung 180 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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FDD8444 fdd8444-d.pdf
FDD8444
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
auf Bestellung 5238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.45 EUR
10+2.32 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.18 EUR
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FDD8444 fdd8444-d.pdf FAIR-S-A0002365728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD8444
Hersteller: onsemi
MOSFETs LOW VOLTAGE
auf Bestellung 3117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.17 EUR
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FDD8444
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD8444 fdd8444-d.pdf FAIR-S-A0002365728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONN
auf Bestellung 2500 Stücke:
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