HUF75545P3 ON Semiconductor
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| 231+ | 2.35 EUR |
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Technische Details HUF75545P3 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote HUF75545P3 nach Preis ab 1.57 EUR bis 5.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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HUF75545P3 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
 Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V |
auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 73A Power dissipation: 270W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HUF75545P3 | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
auf Bestellung 30200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HUF75545P3 | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
auf Bestellung 3350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HUF75545P3 | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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HUF75545P3 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V |
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