HUF75545P3 Fairchild Semiconductor
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
| Anzahl | Preis |
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| 185+ | 2.44 EUR |
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Technische Details HUF75545P3 Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote HUF75545P3 nach Preis ab 1.95 EUR bis 5.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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HUF75545P3 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET |
auf Bestellung 1413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 73A Power dissipation: 270W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HUF75545P3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |