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Preis |
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CAT25256XI-T2 | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - CAT25256XI-T2 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SPI, 5 MHz, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 256Kbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 5MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAT25256HU4I-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT25256HU4I-GT3 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 bit, Seriell SPI, 10 MHz, UDFN-EP, 8 Pin(s) Bauform - Speicherbaustein: UDFN-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.8 Taktfrequenz: 10 Speicherkonfiguration EEPROM: 32K x 8 bit Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 256 Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM Speicherschnittstelle: Seriell SPI Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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CAT25256YI-G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT25256YI-G - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 bit, Seriell SPI, 5 MHz, TSSOP, 8 Pin(s) Bauform - Speicherbaustein: TSSOP IC-Schnittstelle: SPI Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.8 Taktfrequenz: 5 Speicherkonfiguration EEPROM: 32K x 8 bit Anzahl der Pins: 8 Speichergröße: 256 Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM Speicherschnittstelle: Seriell SPI Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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SBAS40-04LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 200mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 11855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NRVUS230T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVUS230T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 2 A, Einfach, 1.3 V, 65 ns, 35 A Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 35 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.3 Sperrverzögerungszeit: 65 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SB20-03P-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB20-03P-TD-E - SCHOTTKY RECTIFIERS SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FSQ0765RSUDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSQ0765RSUDTU - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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NJW21193G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJW21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 16 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 8 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 16 Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FQPF2N70 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF2N70 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 2 A, 5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700 Dauer-Drainstrom Id: 2 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 28 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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74AC04SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74AC04SCX - Inverter, 74AC04, 6 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74AC Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74AC04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Sechs SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV317BTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV317BTG - Linearer Spannungsregler, einstellbar, bis zu 40V Eingangsspannung, 1.2V-37 V/1.5Aout, TO-220-3 Ausgang: Einstellbar Feste Ausgangsspannung, nom.: - Ausgangsstrom: 1.5 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37 Betriebstemperatur, min.: -55 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2 Eingangsspannung, max.: 40 Bauform - Linearregler: TO-220 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Adj 1.5A Linear Voltage Regulators Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FDD86102LZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFGY100T65SPD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 660W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFGHL75T65SQDC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDC - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFGHL75T65SQDT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDT - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFGHL50T65SQ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 mW, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Verlustleistung: 268 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 80 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AFGB40T65SQDN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFGB40T65SQDN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: 238W euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 80A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFGHL50T65SQDC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFGHL40T65SQD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL40T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Verlustleistung: 238 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 80 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AFGY120T65SPD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGY120T65SPD - IGBT, 120 A, 1.6 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFGHL40T65SQ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL40T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 239 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 239W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AFGHL75T65SQD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 80 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AFGHL50T65SQD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDFPD1N150CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDFPD1N150CG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 100 mA, 100 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 20 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP19N20C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 2359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP5800 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 242mW Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDP054N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 263 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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SPZT751T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPZT751T1G - HIGH CURRENT PNP BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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KSP42BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSP42BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW72LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW72LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BCW71 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW71 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCW70LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW70LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSI50010YT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSI50010YT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 50Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 10mAout, SOD-123-2 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 50V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 10mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 20205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AR0140AT3C00XUEA0-DPBR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 63 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V Bauform - Sensor: IBGA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800 Bildrate, Bilder pro Sek.: 60 Versorgungsspannung, max.: 3.1V Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUX85G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUX85G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 2 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FJN3303RTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJN3303RTA - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Durchsteckmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 22 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 22 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FSBB30CH60C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSBB30CH60C - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), SPM, IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV IPM-Baureihe: - Isolationsspannung: 2.5 Nennstrom (Ic/Id): 30 Bauform - IPM: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FSBB30CH60CT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSBB30CH60CT - INTELLIGENT POWER MODULES SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP551SN50T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN50T1G - LDO-Festspannungsregler, 12Vin, 40mV Dropout-Spannung, 5V/150mAout, TSOP-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 5V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP551SN30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN30T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V bis 12V, 40mV Dropout, 3Vout, 150mAout, TSOP-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 3V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3V productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP551SN28T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN28T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.8V 0.15A -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: -V Ausgangsspannung, max.: -V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 0 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 1.7V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 2.8V 150mA LDO Voltage Regulators productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV Betriebstemperatur, max.: 85°C |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP551SN18T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN18T1G - LDO-Festspannungsregler, 12Vin, 130mV Dropout-Spannung, 1.8V/150mAout, TSOP-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 1.8V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 1.8V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 1.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 130mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 130mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP551SN25T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN25T1G - LDO-Festspannungsregler, 0V bis 12Vin, 130mV Dropout-Spannung, 2.5V/150mAout, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Nennausgangsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 2.5V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 2.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 130mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 130mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP551SN28T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN28T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.8V 0.15A -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: -V Ausgangsspannung, max.: -V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 0 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 1.7V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 2.8V 150mA LDO Voltage Regulators productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV Betriebstemperatur, max.: 85°C |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP551SN25T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN25T1G - LDO-Festspannungsregler, 0V bis 12Vin, 130mV Dropout-Spannung, 2.5V/150mAout, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Nennausgangsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 2.5V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 2.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 130mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 130mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NCP551SN27T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN27T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.7V 0.15A -40 BIS 85°C Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.7 Ausgangsstrom: 150 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: TSOP Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 12 Eingangsspannung, min.: 1.7 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 2.7V 150mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 40 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NCP551SN27T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN27T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.7V 0.15A -40 BIS 85°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP551SN29T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN29T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BZX84C24LT1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BZX84C24LT1G - Zener-Diode, 24 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 24V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 27205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSUSB43L10X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSUSB43L10X - USB-Schnittstelle, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 2.4 V, 4.4 V, UQFN, 10 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: UQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse euEccn: NLR USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch Anzahl der Pins: 10Pin(s) Übertragungsrate: 480Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 4.4V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FSUSB31K8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSUSB31K8X - USB-Schnittstelle, Switch, ein Anschluss, USB 2.0, 3 V, 4.3 V, US8, 8 Pin(s) SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PZT2222AT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SPZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PZT2222A Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PZT2222A Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PZT2222AT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PZT2222A... | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222A... - BIPOLAR TRANSISTOR, (( TC )) Transistormontage: Surface Mount DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 51778 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 51778 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CAT25256XI-T2 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25256XI-T2 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SPI, 5 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CAT25256XI-T2 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SPI, 5 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CAT25256HU4I-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25256HU4I-GT3 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 bit, Seriell SPI, 10 MHz, UDFN-EP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: UDFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Taktfrequenz: 10
Speicherkonfiguration EEPROM: 32K x 8 bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT25256HU4I-GT3 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 bit, Seriell SPI, 10 MHz, UDFN-EP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: UDFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Taktfrequenz: 10
Speicherkonfiguration EEPROM: 32K x 8 bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT25256YI-G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25256YI-G - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 bit, Seriell SPI, 5 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Taktfrequenz: 5
Speicherkonfiguration EEPROM: 32K x 8 bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - CAT25256YI-G - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 bit, Seriell SPI, 5 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Taktfrequenz: 5
Speicherkonfiguration EEPROM: 32K x 8 bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SBAS40-04LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SBAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 11855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NRVUS230T3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVUS230T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 2 A, Einfach, 1.3 V, 65 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 65
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NRVUS230T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 2 A, Einfach, 1.3 V, 65 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 65
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FSQ0765RSUDTU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0765RSUDTU - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - FSQ0765RSUDTU - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NJW21193G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJW21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 16 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NJW21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 16 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQPF2N70 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF2N70 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 2 A, 5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 28
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF2N70 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 2 A, 5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 28
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 74AC04SCX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC04SCX - Inverter, 74AC04, 6 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74AC04SCX - Inverter, 74AC04, 6 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV317BTG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV317BTG - Linearer Spannungsregler, einstellbar, bis zu 40V Eingangsspannung, 1.2V-37 V/1.5Aout, TO-220-3
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 1.5
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37
Betriebstemperatur, min.: -55
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2
Eingangsspannung, max.: 40
Bauform - Linearregler: TO-220
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Adj 1.5A Linear Voltage Regulators
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV317BTG - Linearer Spannungsregler, einstellbar, bis zu 40V Eingangsspannung, 1.2V-37 V/1.5Aout, TO-220-3
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 1.5
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37
Betriebstemperatur, min.: -55
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2
Eingangsspannung, max.: 40
Bauform - Linearregler: TO-220
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Adj 1.5A Linear Voltage Regulators
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDD86102LZ |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDD86102 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AFGY100T65SPD |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AFGHL75T65SQDC |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDC - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDC - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AFGHL75T65SQDT |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDT - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDT - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AFGHL50T65SQ |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 mW, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 268
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 mW, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 268
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AFGB40T65SQDN |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AFGB40T65SQDN |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 238W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 238W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AFGHL50T65SQDC |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AFGHL40T65SQD |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL40T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 238
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AFGHL40T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 238
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AFGY120T65SPD |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGY120T65SPD - IGBT, 120 A, 1.6 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - AFGY120T65SPD - IGBT, 120 A, 1.6 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AFGHL40T65SQ |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL40T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 239 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 239W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - AFGHL40T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 239 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 239W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AFGHL75T65SQD |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AFGHL50T65SQD |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NDFPD1N150CG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDFPD1N150CG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 100 mA, 100 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 20
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NDFPD1N150CG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 100 mA, 100 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 20
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQP19N20C |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDP5800 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDP054N10 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SPZT751T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZT751T1G - HIGH CURRENT PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SPZT751T1G - HIGH CURRENT PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KSP42BU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP42BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - KSP42BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCW72LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW72LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCW72LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCW71 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW71 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCW71 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCW70LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW70LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCW70LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSI50010YT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI50010YT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 50Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 10mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 50V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSI50010YT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 50Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 10mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 50V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AR0140AT3C00XUEA0-DPBR2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Bauform - Sensor: IBGA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Bauform - Sensor: IBGA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BUX85G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUX85G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 2 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BUX85G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 2 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FJN3303RTA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJN3303RTA - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 22
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - FJN3303RTA - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 22
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FSBB30CH60C |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSBB30CH60C - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), SPM, IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV
IPM-Baureihe: -
Isolationsspannung: 2.5
Nennstrom (Ic/Id): 30
Bauform - IPM: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - FSBB30CH60C - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), SPM, IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV
IPM-Baureihe: -
Isolationsspannung: 2.5
Nennstrom (Ic/Id): 30
Bauform - IPM: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FSBB30CH60CT |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSBB30CH60CT - INTELLIGENT POWER MODULES
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FSBB30CH60CT - INTELLIGENT POWER MODULES
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP551SN50T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN50T1G - LDO-Festspannungsregler, 12Vin, 40mV Dropout-Spannung, 5V/150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP551SN50T1G - LDO-Festspannungsregler, 12Vin, 40mV Dropout-Spannung, 5V/150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP551SN30T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN30T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V bis 12V, 40mV Dropout, 3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP551SN30T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V bis 12V, 40mV Dropout, 3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP551SN28T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN28T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.8V 0.15A -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.8V 150mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - NCP551SN28T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.8V 0.15A -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.8V 150mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP551SN18T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN18T1G - LDO-Festspannungsregler, 12Vin, 130mV Dropout-Spannung, 1.8V/150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 130mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 130mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP551SN18T1G - LDO-Festspannungsregler, 12Vin, 130mV Dropout-Spannung, 1.8V/150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 130mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 130mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP551SN25T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN25T1G - LDO-Festspannungsregler, 0V bis 12Vin, 130mV Dropout-Spannung, 2.5V/150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 130mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 130mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP551SN25T1G - LDO-Festspannungsregler, 0V bis 12Vin, 130mV Dropout-Spannung, 2.5V/150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 130mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 130mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP551SN28T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN28T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.8V 0.15A -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.8V 150mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - NCP551SN28T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.8V 0.15A -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.8V 150mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP551SN25T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN25T1G - LDO-Festspannungsregler, 0V bis 12Vin, 130mV Dropout-Spannung, 2.5V/150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 130mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 130mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP551SN25T1G - LDO-Festspannungsregler, 0V bis 12Vin, 130mV Dropout-Spannung, 2.5V/150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 130mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 130mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP551SN27T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN27T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.7V 0.15A -40 BIS 85°C
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.7
Ausgangsstrom: 150
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 12
Eingangsspannung, min.: 1.7
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 2.7V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 40
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP551SN27T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.7V 0.15A -40 BIS 85°C
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 2.7
Ausgangsstrom: 150
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 12
Eingangsspannung, min.: 1.7
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 2.7V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 40
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP551SN27T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN27T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.7V 0.15A -40 BIS 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP551SN27T1G - LDO-FESTSP.REGL 2.7V 0.15A -40 BIS 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP551SN29T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN29T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP551SN29T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZX84C24LT1G | |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C24LT1G - Zener-Diode, 24 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C24LT1G - Zener-Diode, 24 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 27205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FSUSB43L10X |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSUSB43L10X - USB-Schnittstelle, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 2.4 V, 4.4 V, UQFN, 10 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 4.4V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FSUSB43L10X - USB-Schnittstelle, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 2.4 V, 4.4 V, UQFN, 10 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 4.4V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FSUSB31K8X |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSUSB31K8X - USB-Schnittstelle, Switch, ein Anschluss, USB 2.0, 3 V, 4.3 V, US8, 8 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSUSB31K8X - USB-Schnittstelle, Switch, ein Anschluss, USB 2.0, 3 V, 4.3 V, US8, 8 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PZT2222AT3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPZT2222AT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PZT2222A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PZT2222A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SPZT2222AT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PZT2222A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PZT2222A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PZT2222AT3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PZT2222A... |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222A... - BIPOLAR TRANSISTOR, (( TC ))
Transistormontage: Surface Mount
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - PZT2222A... - BIPOLAR TRANSISTOR, (( TC ))
Transistormontage: Surface Mount
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PZT2222AT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 51778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PZT2222AT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 51778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH