1214-300 MICROSEMI

Hersteller: MICROSEMI
55KT-1/ RF Power Transistor 300W,50V 1214
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Technische Details 1214-300 MICROSEMI

Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 55KT, Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 4A, Power - Max: 88W, Gain: 7dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: 55KT, Packaging: Bulk.

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	1214-300	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 55KT Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 4A Power - Max: 88W Gain: 7dB Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: 55KT Packaging: Bulk	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

1214-300

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55KT
Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Power - Max: 88W
Gain: 7dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 55KT
Packaging: Bulk

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