1214-55 Microchip Technology
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Technische Details 1214-55 Microchip Technology
Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW, Packaging: Bulk, Package / Case: 55AW, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 7dB, Power - Max: 175W, Current - Collector (Ic) (Max): 8A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Supplier Device Package: 55AW, Part Status: Obsolete.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 1214-55 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans RF BJT NPN 50V 8A 3-Pin Case 55AW-1 |
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| 1214-55 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW Packaging: Bulk Package / Case: 55AW Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 7dB Power - Max: 175W Current - Collector (Ic) (Max): 8A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 1.2GHz ~ 1.4GHz Supplier Device Package: 55AW Part Status: Obsolete |
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121455 | Hersteller : Brady Corporation |
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1214-55 | Hersteller : Microchip Technology |
RF Bipolar Transistors L-Band/Bipolar Radar Transistor |
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