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1N3768

1N3768 GeneSiC Semiconductor

1n3768-3482724.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 35A Std. Recovery
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Technische Details 1N3768 GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-5, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.

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1N3768 1N3768 Hersteller : Microchip Technology LDS_0138_r2-1593836.pdf Rectifiers Std Rectifier
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1N3768 1N3768 Hersteller : Vishay vs-1n1183series.pdf Rectifier Diode Si 1KV 35A 2-Pin DO-5
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1N3768 1N3768 Hersteller : GeneSiC Semiconductor 1n3765.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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1N3768 Hersteller : Microchip Technology 8540-coe-18-datasheet Description: STANDARD RECTIFIER
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 110 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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