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1N4003G

1N4003G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Technische Details 1N4003G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 1N4003G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 30A, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N4003, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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1N4003G 1N4003G ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
auf Bestellung 449 Stücke:
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1177+0.14 EUR
1471+0.11 EUR
2174+0.073 EUR
2381+0.063 EUR
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1N4003G 1N4003G YANGJIE TECHNOLOGY 1N4001G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
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1N4003G 1N4003G onsemi 1N4001-D.PDF Description: DIODE STANDARD 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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5000+0.083 EUR
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1N4003G 1N4003G onsemi 1N4001-D.PDF 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N400XG_1 Rectifiers 200V 1A Standard
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1N4003-G 1N4003-G Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Rectifiers VR=200V, IO=1A
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1N4003G 1N4003G Taiwan Semiconductor 1N4001-D.PDF 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N400XG_1 Rectifiers 1A, 200V, Standard Recovery Rectifier
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1N4003G 1N4003G ON Semiconductor 1n4001d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4003G 1N4003G ONSEMI ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N4003G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4003
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1440 Stücke:
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1N4003G
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Hersteller: ON Semiconductor
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5000+0.056 EUR
10000+0.055 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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2174+0.08 EUR
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2703+0.062 EUR
5000+0.06 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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1N4003G
Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
auf Bestellung 449 Stücke:
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1N4003G
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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2315+0.068 EUR
2532+0.06 EUR
2874+0.05 EUR
5000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 819 Stücke
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1N4003G
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
auf Bestellung 8080 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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1N4003G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
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1N4003G
Hersteller: onsemi
Description: DIODE STANDARD 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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Hersteller: onsemi
Rectifiers 200V 1A Standard
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1N4003-G
Hersteller: Comchip Technology
Rectifiers VR=200V, IO=1A
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5000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4003G 1N4001-D.PDF 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N400XG_1
1N4003G
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 1A, 200V, Standard Recovery Rectifier
auf Bestellung 1906 Stücke:
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6+0.67 EUR
10+0.38 EUR
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5000+0.11 EUR
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1N4003G
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag
auf Bestellung 337 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4003G ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N4003G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4003G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4003
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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