
1N4007-G Comchip Technology

Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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5000+ | 0.046 EUR |
10000+ | 0.032 EUR |
25000+ | 0.03 EUR |
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Technische Details 1N4007-G Comchip Technology
Description: ONSEMI - 1N4007G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote 1N4007-G nach Preis ab 0.021 EUR bis 0.52 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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1N4007G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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auf Bestellung 8834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 10814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 30A Case: CASE59 Max. forward voltage: 1.1V Quantity in set/package: 1000pcs. |
auf Bestellung 2213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 30A Case: CASE59 Max. forward voltage: 1.1V Quantity in set/package: 1000pcs. Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2213 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 10814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 6168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007-G | Hersteller : Comchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N4007-G | Hersteller : Comchip Technology |
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auf Bestellung 48844 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 4404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8875 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
auf Bestellung 8875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 39295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 16043 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 347654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : SHIKUES |
![]() Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : YY |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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1N4007G |
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auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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auf Bestellung 4834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : PanJit International |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4007G | Hersteller : Diodes Incorporated |
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1N4007G | Hersteller : LITEON |
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1N4007G | Hersteller : YAGEO |
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1N4007-G | Hersteller : Comchip Technology |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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1N4007G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N4007G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 10pF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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1N4007-G | Hersteller : Comchip Technology |
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1N4007G | Hersteller : Diodes Inc |
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1N4007G | Hersteller : Rectron |
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1N4007G | Hersteller : EIC |
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1N4007G | Hersteller : Good-Ark |
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1N4007G | Hersteller : Good-Ark |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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1N4007G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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1N4007G | Hersteller : EIC |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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1N4007G | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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1N4007G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO41 Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 10pF |
Produkt ist nicht verfügbar |