1N4007G

1N4007G ON Semiconductor


1n4001-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Technische Details 1N4007G ON Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4007G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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1N4007G 1N4007G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4007G 1N4007G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4007G 1N4007G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4007G 1N4007G Hersteller : MULTICOMP PRO 2863966.pdf Description: MULTICOMP PRO - 1N4007G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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1N4007G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n4001g20series_p2104.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41
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1N4007G Hersteller : ONSEMI 3688375.pdf Description: ONSEMI - 1N4007G - GLEICHRICHTER, 1KV, 1A, DO-41
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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1N4007G 1N4007G
Produktcode: 87230
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1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N4001G SERIES_P2104.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
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1N4007G 1N4007G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4007-G 1N4007-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 65000 Stücke:
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5000+0.046 EUR
10000+0.03 EUR
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1N4007G 1N4007G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
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5000+0.044 EUR
25000+0.04 EUR
50000+0.036 EUR
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1N4007G 1N4007G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 55000 Stücke:
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5000+0.065 EUR
10000+0.058 EUR
15000+0.055 EUR
25000+0.051 EUR
35000+0.049 EUR
50000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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1N4007G 1N4007G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G SERIES_P2104.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 9662 Stücke:
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5000+0.075 EUR
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1N4007G 1N4007G Hersteller : ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
auf Bestellung 1544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
770+0.093 EUR
1158+0.062 EUR
1544+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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1N4007G 1N4007G Hersteller : ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
770+0.093 EUR
1158+0.062 EUR
1544+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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1N4007G 1N4007G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Anzahl Preis
1216+0.12 EUR
4099+0.034 EUR
4116+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1216
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1N4007G 1N4007G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
auf Bestellung 240710 Stücke:
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1232+0.12 EUR
4150+0.034 EUR
4185+0.032 EUR
4220+0.031 EUR
5000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 1232
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1N4007-G 1N4007-G Hersteller : Comchip Technology 1041n400120thru.201n400720reva.pdf Diode 1KV 1A 2-Pin DO-41 Ammo
auf Bestellung 50000 Stücke:
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Anzahl Preis
5000+0.12 EUR
30000+0.11 EUR
45000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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1N4007G 1N4007G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
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2000+0.13 EUR
2598+0.054 EUR
14000+0.048 EUR
21000+0.043 EUR
28000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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1N4007-G 1N4007-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 7857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.18 EUR
118+0.15 EUR
161+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.069 EUR
2000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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1N4007G 1N4007G Hersteller : onsemi 1n4001-d.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
auf Bestellung 296624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.19 EUR
125+0.14 EUR
144+0.12 EUR
500+0.089 EUR
1000+0.066 EUR
2000+0.06 EUR
5000+0.055 EUR
10000+0.048 EUR
50000+0.043 EUR
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1N4007G 1N4007G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
778+0.19 EUR
1096+0.13 EUR
1232+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 778
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007G 1N4007G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
auf Bestellung 240710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
778+0.19 EUR
1096+0.13 EUR
1232+0.11 EUR
4150+0.031 EUR
4185+0.03 EUR
4220+0.028 EUR
5000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 778
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007G 1N4007G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
778+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 778
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007G 1N4007G Hersteller : onsemi 1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N4001G SERIES_P2104.pdf Rectifiers 1000V 1A Standard
auf Bestellung 49426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+0.2 EUR
20+0.14 EUR
100+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.06 EUR
2000+0.049 EUR
5000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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1N4007G 1N4007G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N4001G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
auf Bestellung 3634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
417+0.17 EUR
648+0.11 EUR
944+0.076 EUR
1484+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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1N4007G 1N4007G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N4001G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3634 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
417+0.17 EUR
648+0.11 EUR
944+0.076 EUR
1484+0.048 EUR
5000+0.029 EUR
15000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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1N4007-G 1N4007-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Rectifiers 1A 1000V
auf Bestellung 69249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.32 EUR
13+0.22 EUR
100+0.14 EUR
500+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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1N4007G 1N4007G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N4001G SERIES_P2104.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: glass passivated
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
285+0.25 EUR
358+0.2 EUR
918+0.078 EUR
949+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007G 1N4007G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N4001G SERIES_P2104.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
285+0.25 EUR
358+0.2 EUR
918+0.078 EUR
949+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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1N4007G 1N4007G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 17092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.35 EUR
84+0.21 EUR
134+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.085 EUR
2000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007G 1N4007G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G SERIES_P2104.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 9662 Stücke:
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1N4007G 1N4007G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N4001G SERIES_P2104.pdf Rectifiers 1A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
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1N4007G 1N4007G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013442997-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N4007G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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1N4007G 1N4007G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4007G 1N4007G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n4001g20series_p2104.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R
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1N4007G Hersteller : SHIKUES 1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N4001G SERIES_P2104.pdf 1A; 1000V packaging: tape&reel 1N4007G SHIKUES diode rectifying DP 1N4007G SHK
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1N4007G Hersteller : Yageo 1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N4001G SERIES_P2104.pdf 1N4007G
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1N4007G Hersteller : YY 1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N4001G SERIES_P2104.pdf 1A; 1000V packaging: ammo 1N4007G diode rectifying DP 1N4007G YY
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1N4007G Hersteller : Yageo 1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N4001G SERIES_P2104.pdf 1N4007G
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1N4007G 1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N4001G SERIES_P2104.pdf 1N4007G Диоды
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1N4007G Hersteller : PanJit International 1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1N4001G SERIES_P2104.pdf 1A, 1000V, DO-41
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1N4007G 1N4007G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n4001g20series_p2104.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R
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1N4007-G 1N4007-G Hersteller : Comchip Technology 1041n400120thru.201n400720reva.pdf Diode 1KV 1A 2-Pin DO-41 Ammo
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1N4007G 1N4007G Hersteller : Good-Ark 141n400xg.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41
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1N4007G Hersteller : Diodes Inc download.phphsfile1n4001g-1n4007g-6.pdfhdfiletecfile01348194808.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41
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1N4007G Hersteller : YAGEO 1N400xG.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
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