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1N4154TR

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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
1N4154TR 1N4154TR ON Semiconductor 10714075938722071n4154.pdf Diode Switching 35V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
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1N4154TR 1N4154TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4154.pdf Description: DIODE STANDARD 25V 150MA DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
auf Bestellung 50000 Stücke:
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10000+0.056 EUR
20000+0.051 EUR
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1N4154TR 1N4154TR ONSEMI FAIRS27891-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 1N4154TR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29500 Stücke:
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1N4154TR 1N4154TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4154.pdf Description: DIODE STANDARD 25V 150MA DO204AH
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 59977 Stücke:
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100+0.21 EUR
213+0.099 EUR
264+0.08 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.052 EUR
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1N4154TR 1N4154TR Vishay Semiconductors 1n4154.pdf Small Signal Switching Diodes Vr/35v Io/150mA T/R
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23+0.14 EUR
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2500+0.057 EUR
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1N4154TR 1N4154TR Vishay doc85524.pdf Diode Small Signal Switching 35V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R Automotive AEC-Q101
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1N4154TR 1N4154TR Vishay doc85524.pdf Diode Small Signal Switching 35V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 35V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 25V 150MA DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4154TR - MISCELLANEOUS MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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1N4154TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 25V 150MA DO204AH
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA
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Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Small Signal Switching Diodes Vr/35v Io/150mA T/R
auf Bestellung 83013 Stücke:
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Hersteller: Vishay
Diode Small Signal Switching 35V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R Automotive AEC-Q101
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Diode Small Signal Switching 35V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ST13007A (NPN-Bipolartransistor)
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Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 700 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 700 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 40
Montage: THT
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description BTA40 and BTA BTB41 series.pdf
BTA41-800B
Hersteller: ST
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TOP-3
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 50 mA
Imax, A: 40 A
UKTZED: 8541 10 00 90
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10+4.26 EUR
100+3.82 EUR
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
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Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
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10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
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2200uF 16V EHR 13X21mm (EHR222M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 20914
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EHR_081225.pdf
2200uF 16V EHR 13X21mm (EHR222M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 20 St.
  • 20 St. - stock Köln
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 06.10.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.25 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
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