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1N5408G

1N5408G ON Semiconductor

1n5400-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
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Technische Details 1N5408G ON Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5408G 1N5408G Hersteller : EIC Semiconductor 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ONSEMI 1N540x.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5408G 1N5408G Hersteller : onsemi 1n5400-d.pdf Rectifiers 1000V 3A Standard
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifiers 3A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
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1N5408G 1N5408G Hersteller : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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36+0.5 EUR
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1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
5000+0.17 EUR
10000+0.15 EUR
50000+0.13 EUR
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology QW_BG015_1N5400_G_Thru._1N5408_G_RevA.pdf Small Signal Switching Diodes VR=1000V, IO=3A
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1N5408G 1N5408G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
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110+0.65 EUR
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2500+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 82
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 870 Stücke:
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32+0.56 EUR
100+0.35 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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1N5408G 1N5408G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 1n5400-d.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ONSEMI 1n5400-d.pdf Description: ONSEMI - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5408
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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1N5408-G
Produktcode: 214966
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QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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