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1N5408G

1N5408G ON Semiconductor

1n5400-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
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Technische Details 1N5408G ON Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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1N5408G 1N5408G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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1250+0.19 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 15500 Stücke:
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506+0.29 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : EIC Semiconductor 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
auf Bestellung 10000 Stücke:
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6000+0.27 EUR
9000+0.24 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB8749461F840D6&compId=1N540x.PDF?ci_sign=edfd626bae2e7653ac1fbc632df6258f6bde519c Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: bulk
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
248+0.29 EUR
275+0.26 EUR
391+0.18 EUR
455+0.16 EUR
500+0.15 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB8749461F840D6&compId=1N540x.PDF?ci_sign=edfd626bae2e7653ac1fbc632df6258f6bde519c Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: bulk
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 1101 Stücke:
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Anzahl Preis
200+0.36 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : onsemi 1N5400-D.PDF Rectifiers 1000V 3A Standard
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2500+0.15 EUR
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Small Signal Switching Diodes VR=1000V, IO=3A
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 1381 Stücke:
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35+0.51 EUR
46+0.39 EUR
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
auf Bestellung 2400 Stücke:
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1N5408G 1N5408G Hersteller : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
auf Bestellung 53852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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33+0.55 EUR
49+0.36 EUR
100+0.31 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
5000+0.16 EUR
10000+0.15 EUR
50000+0.14 EUR
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1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400-d.pdf 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf 1N5400G SERIES_K2105.pdf Rectifiers 3A, 1000V, Standard Recovery Rectifier
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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5+0.62 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1250+0.19 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+0.62 EUR
37+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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1N5408G 1N5408G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+0.69 EUR
42+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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1N5408G 1N5408G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED883F8E7897F5D8A18&compId=1N5400G_SER.pdf?ci_sign=8e0dcbe4a7cc8c13aa5ef9edb827de75a9b903b1 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3694 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
108+0.66 EUR
293+0.24 EUR
358+0.2 EUR
459+0.16 EUR
575+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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1N5408G 1N5408G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED883F8E7897F5D8A18&compId=1N5400G_SER.pdf?ci_sign=8e0dcbe4a7cc8c13aa5ef9edb827de75a9b903b1 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 1kV
Kind of package: tape
Case: DO27
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 3694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
108+0.66 EUR
293+0.24 EUR
358+0.2 EUR
459+0.16 EUR
575+0.12 EUR
642+0.11 EUR
1250+0.093 EUR
2500+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408G 1N5408G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013179088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5408
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408G 1N5408G Hersteller : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Box
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G SERIES_K2105.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G SERIES_K2105.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400g20series_k2105.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408G 1N5408G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n5400g20series_k2105.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5408G 1N5408G Hersteller : EIC Semiconductor 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
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1N5408-G 1N5408-G Hersteller : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
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1N5408G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 1n5400-d.pdf 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf 1N5400G-1N5408G%20N1631%20REV.A.pdf 1N5400G SERIES_K2105.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 125A; DO201AD
Mounting: THT
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 125A
Max. off-state voltage: 1kV
Case: DO201AD
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
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