Technische Details 2N1131 MOT
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 600 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N1131 Produktcode: 149857
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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2N1131 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3-Pin TO-39 |
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2N1131 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3-Pin TO-39 |
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2N1131 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW |
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| 2N1131 | Hersteller : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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