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2N2221AUA

2N2221AUA Microchip Technology

2n22212n2222aalauaabmil-prf-19500_255.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 650mW 4-Pin UA Waffle
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Technische Details 2N2221AUA Microchip Technology

Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: 4-SMD, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 650 mW.

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2N2221AUA 2N2221AUA Hersteller : Microsemi Corporation 2N2221A%2C%202N2222A.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
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2N2221AUA Hersteller : Microchip Technology 2N2221A-2N2222A-00005314A-MIL-PRF-19500-255.pdf Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT
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