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2N2906A MOT

2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf
Hersteller: MOT

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Technische Details 2N2906A MOT

Description: MULTICOMP - 2N2906A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 400 mW, TO-18, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 40, Verlustleistung Pd: 400, Übergangsfrequenz ft: 200, Bauform - Transistor: TO-18, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 600, Betriebstemperatur, max.: -, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N2906A onsemi 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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2N2906A Microchip Technology 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
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2N2906A 2N2906A Microchip Technology 2N2906A_2N2907A_MIL_PRF_19500_291.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT
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2N2906A onsemi / Fairchild 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N2906A 2N2906A STMicroelectronics 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N2906A 2N2906A MULTICOMP SCMPS00151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MULTICOMP - 2N2906A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 400 mW, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 400
Übergangsfrequenz ft: 200
Bauform - Transistor: TO-18
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 600
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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2N2906A 2N2906A Microchip Technology 2n2906a2n2907amilprf19500291.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
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2N2906A 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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2N2906A 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
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2N2906A 2N2906A_2N2907A_MIL_PRF_19500_291.pdf
2N2906A
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
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2N2906A 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf
2N2906A
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
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2N2906A SCMPS00151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N2906A
Hersteller: MULTICOMP
Description: MULTICOMP - 2N2906A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 400 mW, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 400
Übergangsfrequenz ft: 200
Bauform - Transistor: TO-18
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 600
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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2N2906A 2n2906a2n2907amilprf19500291.pdf
2N2906A
Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
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