2N2907 TO-92 CJ
Produktcode: 212319
Hersteller: CJGehäuse: TO-92
fT: 200 MHz
U, V: 40 V
U, V: 60 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2N2907 Produktcode: 161911
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Hersteller : CDIL |
 Transistoren > Bipolar-Transistoren PNPGehäuse: TO-18 fT: 200 MHz U, V: 40 V U, V: 60 V I, А: 0,6 A h21,max: 300 |
Produkt ist nicht verfügbar
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2N2907 | Hersteller : CDIL |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.4/1.8W Case: TO18 Current gain: 100...300 Mounting: THT Frequency: 200MHz Kind of package: bulk |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2907 | Hersteller : CDIL |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.4/1.8W Case: TO18 Current gain: 100...300 Mounting: THT Frequency: 200MHz Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N2907 | Hersteller : Motorola |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.8 W |
auf Bestellung 20524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N2907 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2907 - Bipolarer Einzeltransistor, PNP, 40V, 600mA, 1.8W, TO-18, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: TO-18 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N2907 | Hersteller : CDIL |
PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907-CDI 2N2907 T2N2907 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N2907 | Hersteller : CDIL |
PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907-CDI 2N2907 T2N2907 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N2907 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N2907 | Hersteller : Motorola |
2N2907 |
auf Bestellung 20524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N2907 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Die Bag |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N2907 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Die Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2907 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
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2N2907 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18 Packaging: Tube Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.8 W |
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2N2907 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose |
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| 2N2907 | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
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| 2N2907 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2907 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 |
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| 2N2907 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Die Bag |
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