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2N2907 TO-92 CJ

Produktcode: 212319
Hersteller: CJ
Gehäuse: TO-92
fT: 200 MHz
U, V: 40 V
U, V: 60 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
auf Bestellung 100 Stück:
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2N2907
Produktcode: 161911
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Hersteller : CDIL datasheet-2n2907.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-18
fT: 200 MHz
U, V: 40 V
U, V: 60 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
Produkt ist nicht verfügbar
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2N2907 2N2907 Hersteller : Motorola MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 20785 Stücke:
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Anzahl Preis
86+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 86
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2N2907 2N2907 Hersteller : MULTICOMP PRO 2869790.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N2907 - Bipolarer Einzeltransistor, PNP, 40V, 600mA, 1.8W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7225 Stücke:
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2N2907 Hersteller : CDIL MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw 8896-lds-0059-pdf.pdf 2N2907.pdf 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907-CDI 2N2907 T2N2907
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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2N2907 Hersteller : CDIL MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw 8896-lds-0059-pdf.pdf 2N2907.pdf 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907-CDI 2N2907 T2N2907
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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2N2907 Hersteller : Microchip Technology 2N2906__2b2N2907A_MIL_PRF_19500_291-3499918.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 288 Stücke:
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Anzahl Preis
1+5.46 EUR
100+5.09 EUR
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2N2907 Hersteller : Motorola MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw 8896-lds-0059-pdf.pdf 2N2907.pdf 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf 2N2907
auf Bestellung 20613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
89+6.05 EUR
100+5.54 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.59 EUR
10000+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 89
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2N2907 Hersteller : Microchip Technology 2n2907adie.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Die Bag
auf Bestellung 180 Stücke:
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Anzahl Preis
15+9.54 EUR
25+9.06 EUR
65+8.3 EUR
125+5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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2N2907 2N2907 Hersteller : STMicroelectronics MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw 8896-lds-0059-pdf.pdf 2N2907.pdf 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
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2N2907 2N2907 Hersteller : CDIL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD086F2441F4EFC00DC&compId=2N2906_7.PDF?ci_sign=1c83b4e5b14e195415095881a545842523ef39a0 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.4/1.8W
Case: TO18
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Kind of package: bulk
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2N2907 Hersteller : Infineon Technologies MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw 8896-lds-0059-pdf.pdf 2N2907.pdf 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N2907 Hersteller : onsemi MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw 8896-lds-0059-pdf.pdf 2N2907.pdf 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N2907 Hersteller : Microchip Technology 2n2907adie.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Die Bag
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2N2907 2N2907 Hersteller : onsemi 2N%2CFTSO%2CPN%20NPN%20Type%20%2810p%29.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 400 mW
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2N2907 2N2907 Hersteller : STMicroelectronics 2N2907.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.8 W
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2N2907 Hersteller : Microchip Technology 2n2907adie.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Die Bag
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2N2907 2N2907 Hersteller : CDIL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD086F2441F4EFC00DC&compId=2N2906_7.PDF?ci_sign=1c83b4e5b14e195415095881a545842523ef39a0 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.4/1.8W
Case: TO18
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N2907 2N2907 Hersteller : STMicroelectronics 2n2907.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
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2N2907 2N2907 Hersteller : Microchip Technology 8896-lds-0059-pdf.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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