Technische Details 2N3767 MOT
Description: TRANS NPN 80V 500UA TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 µA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 25 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2N3767 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 500UA TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 µA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N3767 | Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT 80V 4A NPN Power BJT THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2N3767 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
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2N3767 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
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| 2N3767 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 500UA TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 80V 500UA TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| 2N3767 |
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Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 4A NPN Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 80V 4A NPN Power BJT THT
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Stück im Wert von UAH
| 2N3767 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| 2N3767 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
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