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2N3866A Central Semiconductor

Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 55Vcbo 30Vceo 3.5Vebo 0.4A 5.0W

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Technische Details 2N3866A Central Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 400mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TO-39.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	2N3866A	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TO-39	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N3866A

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-39

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