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2N3906-G

2N3906-G Comchip Technology

166_20190708171941.PDF Hersteller: Comchip Technology
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
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Technische Details 2N3906-G Comchip Technology

Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO92, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V.

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2N3906-G 2N3906-G Hersteller : Comchip Technology 2N3906_G_RevB200102-2504703.pdf Bipolar Transistors - BJT -40V -200mA TO-92
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2N3906-G 2N3906-G Hersteller : Comchip Technology 166_20190708171941.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N3906G Hersteller : ON 2n3906-d.pdf 05+ DIP
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2N3906G Hersteller : ON Semiconductor 2n3906-d.pdf
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2N3906G 2N3906G Hersteller : ON Semiconductor 2n3906-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Box
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2N3906G 2N3906G Hersteller : onsemi 2n3906-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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2N3906G 2N3906G Hersteller : onsemi 2N3906_D-2309245.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
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