2N3906G

2N3906G ON


2N3906-D.PDF
Produktcode: 35238
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-92
fT: 250 MHz
U, V: 40
U, V: 40
I, А: 0.1
h21,max: 300
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2N3906-G 2N3906-G Hersteller : Comchip Technology 166_20190708171941.PDF Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
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2N3906-G 2N3906-G Hersteller : Comchip Technology 2N3906_G_RevB200102-2504703.pdf Bipolar Transistors - BJT -40V -200mA TO-92
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2N3906-G 2N3906-G Hersteller : Comchip Technology 166_20190708171941.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N3906G Hersteller : ON Semiconductor 2n3906-d.pdf
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2N3906G 2N3906G Hersteller : ON Semiconductor 2n3906-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Box
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2N3906G 2N3906G Hersteller : onsemi 2n3906-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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2N3906G 2N3906G Hersteller : onsemi 2N3906_D-1801672.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
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1N4739A
Produktcode: 29768
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1N4728A-1N4764A.pdf
1N4739A
Hersteller: Diodes
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 9,1
Istab.direkt,A: 28mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.035 до 0.075 %/°C
auf Bestellung 138 Stück:
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10 kOhm 1% 0,5W (MFR050SSFTB-10K-Hitano)
Produktcode: 50289
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FMF-MFR_120622ds.pdf
10 kOhm 1% 0,5W (MFR050SSFTB-10K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%, ±100ppm
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 3,2x1,5mm, DAusfuhr.=0,45mm
Typ: metall-folien miniatur
verfügbar: 5858 Stück
954 Stück - stock Köln
4904 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 338 Stück
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100+0.01 EUR
1000+0.01 EUR
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33uF 35V EXR 5x11mm (EXR330M35B-Hitano)
Produktcode: 2432
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EXR_080421.pdf
33uF 35V EXR 5x11mm (EXR330M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 33uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 9203 Stück
298 Stück - stock Köln
8905 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.02 EUR
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6,8 Ohm 5% 0,125W Ausfuhr.
Produktcode: 2420
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6,8 Ohm 5% 0,125W Ausfuhr.
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,125W
Resistenz: 6,8 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,125W
auf Bestellung 4145 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.00 EUR
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560pF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B561K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2228
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X7R_X5R.pdf
560pF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B561K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 560pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
auf Bestellung 1185 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 10
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