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2N3906G

2N3906G ON

2N3906-D.PDF
Produktcode: 35238
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-92
fT: 250 MHz
U, V: 40
U, V: 40
I, А: 0.1
h21,max: 300
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2N3906-G 2N3906-G Hersteller : Comchip Technology 166_20190708171941.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N3906-G 2N3906-G Hersteller : Comchip Technology 166_20190708171941.PDF Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
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73+0.24 EUR
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5000+0.075 EUR
10000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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2N3906-G 2N3906-G Hersteller : Comchip Technology 2N3906_G_RevB200102.pdf Bipolar Transistors - BJT -40V -200mA TO-92
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1000+0.099 EUR
2000+0.088 EUR
5000+0.081 EUR
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2N3906G Hersteller : ON 2n3906-d.pdf 05+ DIP
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2N3906G Hersteller : ON Semiconductor 2n3906-d.pdf
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2N3906G 2N3906G Hersteller : ON Semiconductor 2n3906-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Box
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2N3906G 2N3906G Hersteller : onsemi 2n3906-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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2N3906G 2N3906G Hersteller : onsemi 2N3906_D-1801672.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
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1 kOhm 5% 2W (MOR200SJTB-1K0-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 2W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+125°C
№ 7: 8533210000
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0,1 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-0R1-Hitano)
Produktcode: 15028
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0,1 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-0R1-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Resistenz: 0,1 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 9x3mm, DAusfuhr.=0,64mm
Typ: Kohlen-, miniatur
Температура: -55...+125°C
verfügbar: 840 Stück
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erwartet: 2000 Stück
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IRF640
Produktcode: 7926
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description IRF640.pdf
IRF640
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
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10+0.84 EUR
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4700uF 25V ECR 16x32mm (ECR472M25B-Hitano)
Produktcode: 3026
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ECR_081225.pdf
4700uF 25V ECR 16x32mm (ECR472M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4700uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 16x32mm
Lebensdauer: 16х32mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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Produktcode: 1779
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МКТ 120nF 100V (Folienkondensator)
Hersteller: Epcos
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 120nF
Nennspannung, V: 100VDC
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polypropylen
auf Bestellung 433 Stück:
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