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2N3906BU

2N3906BU Fairchild

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Produktcode: 26290
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 250 MHz
Spannung Uce, V: 40 V
Spannung Ucb, V: 40 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 300
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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2N3906BU 2N3906BU Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000088118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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2N3906BU 2N3906BU ON Semiconductor pzt3906-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N3906BU 2N3906BU onsemi 2N3906-D.PDF FAIR-S-A0000088118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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2N3906BU 2N3906BU onsemi 2N3906-D.PDF Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
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40+0.52 EUR
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2N3906BU 2N3906BU ONSEMI ONSM-S-A0013274765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N3906BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 33383 Stücke:
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435+0.57 EUR
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2N3906BU 2N3906BU ON Semiconductor pzt3906-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N3906BU 2N3906BU ONSEMI 2N3906BU.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 250MHz
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N3906BU FAIR-S-A0000088118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N3906BU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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2N3906BU
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N3906BU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1627 Stücke:
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872+0.2 EUR
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2N3906BU
Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
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2N3906BU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3906BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: ON Semiconductor
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2N3906BU
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 250MHz
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2N3904 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,2 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: THT
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1N4148TA
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-35
Urev., V: 100 В
Iausr., A: 0,2 А
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1 В
auf Bestellung: 3675 St.
  • 3675 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+0.058 EUR
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100+0.036 EUR
1000+0.027 EUR
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4700uF 25V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR472M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
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4700uF 25V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR472M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4700 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 18x36 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 432 St.
  • 432 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.17 EUR
10+0.96 EUR
100+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 11065
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CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1500 St.
  • 1500 St. - stock Köln
auf Bestellung: 7348 St.
  • 7348 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
510 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-510R-Hitano)
Produktcode: 11099
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CR-S_080911.pdf
510 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-510R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 510 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1174 St.
  • 1174 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 15.12.2026
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH