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2N3906TA

2N3906TA ON Semiconductor

pzt3906-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Technische Details 2N3906TA ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N3906TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 999mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N3906TA 2N3906TA Hersteller : ON Semiconductor pzt3906-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N3906TA 2N3906TA Hersteller : ON Semiconductor pzt3906-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N3906TA 2N3906TA Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003589352-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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2N3906TA 2N3906TA Hersteller : onsemi pzt3906-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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2N3906TA 2N3906TA Hersteller : ON Semiconductor pzt3906-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N3906TA 2N3906TA Hersteller : ON Semiconductor pzt3906-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N3906TA 2N3906TA Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8D7644D884B5EA&compId=2N3906TA.pdf?ci_sign=199551894b104905ff37e5a9df593a5512316de6 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...400
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
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Anzahl Preis
250+0.29 EUR
455+0.16 EUR
632+0.11 EUR
737+0.097 EUR
1226+0.058 EUR
1299+0.055 EUR
1348+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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2N3906TA 2N3906TA Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8D7644D884B5EA&compId=2N3906TA.pdf?ci_sign=199551894b104905ff37e5a9df593a5512316de6 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...400
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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455+0.16 EUR
632+0.11 EUR
737+0.097 EUR
1226+0.058 EUR
1299+0.055 EUR
1348+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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2N3906TA 2N3906TA Hersteller : onsemi pzt3906-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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44+0.4 EUR
73+0.24 EUR
116+0.15 EUR
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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2N3906TA 2N3906TA Hersteller : onsemi / Fairchild 2N3906_D-1801672.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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12+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
2000+0.069 EUR
4000+0.063 EUR
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2N3906TA 2N3906TA Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013274765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N3906TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 999mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2N3906TA 2N3906TA Hersteller : ON Semiconductor pzt3906-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N3906TA Hersteller : Fairchild pzt3906-d.pdf ONSM-S-A0003589352-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Tranzystor PNP; 300; 625mW; 40V; 200mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N3906TA (350mW) (ta?mowany); 2N3906TAR; BULK 2N3906BU; 2N3906 T2N3906 FAI
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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