Technische Details 2N4854 MOT
Description: NPN/PNP SILICON COMP SMALL SIGNA, Power - Max: 600mW, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-78-6, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Current - Collector (Ic) (Max): 600mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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2N4854 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANSISTOR DUAL TO78 Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-78-6 Part Status: Obsolete |
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2N4854 | Microchip Technology |
Description: NPN/PNP SILICON COMP SMALL SIGNA Power - Max: 600mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN, PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: TO-78-6 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Current - Collector (Ic) (Max): 600mA |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N4854 | Central Semiconductor | Central Semiconductor |
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2N4854 | Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT BJTs |
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| 2N4854 |
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANSISTOR DUAL TO78
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-78-6
Part Status: Obsolete
Description: TRANSISTOR DUAL TO78
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-78-6
Part Status: Obsolete
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| 2N4854 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN/PNP SILICON COMP SMALL SIGNA
Power - Max: 600mW
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-78-6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Description: NPN/PNP SILICON COMP SMALL SIGNA
Power - Max: 600mW
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-78-6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
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| 2N4854 |
Hersteller: Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
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| 2N4854 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Bipolar Transistors - BJT BJTs
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