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Technische Details 2N5830 ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 0.2A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 625 mW.
Weitere Produktangebote 2N5830 nach Preis ab 0.069 EUR bis 0.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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2N5830 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 15590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5830 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 100V 0.2A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW |
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| 2N5830 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5830 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 39219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5830 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5830 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
Produkt ist nicht verfügbar |