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2N5935 MOT


Hersteller: MOT
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Technische Details 2N5935 MOT

Description: POWER BJT, Power - Max: 175 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
2N5935 Microchip Technology Description: POWER BJT
Power - Max: 175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
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2N5935 Microchip Technology Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5935
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 175 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
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2N5935
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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